本帖最后由 xianrenb 于 2015-4-8 09:12 编辑
tb3008940 发表于 2015-4-8 01:27
在MOS管中，跨导的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用，相当于放大能力。在转移特性曲线上，跨导为 ...
大概你未接触过 IC CMOS 的设计方式。
我现在虽然是外行，但也算是大概了解要用算式计算 W/L 的比例，懂得如何设计一个 IC 运算放大器。
音频功放，其实可算是运算放大器的放大版，基本原理都一样。
以我的理解，正统设计运算放大器必定先考虑各级 gm 、 slew rate 、 GBWP 等等，才能设计元件所用的参数。
因为 W/L 比例几乎可以任意选定，所以并不会如业余 HIFI DIY 一般乱试元件数目组合。
一切参数之选用都是以算式计算的。
上面都说过了， gm =2 * Id / Veff = 2 * Id / (Vgs – Vth) 。
Vgs 、 Vth 数值是对等的话， gm 要相同的条件就是 Id 数值要对等。
gm 是会随 Id 变的，这是放大器做不到完全线性的主要原因。
Datasheet 说得好清楚什么 Vgs 会出什么 Ids 了，根本不用怀疑。
再不明白的话，考虑 4 V 至 5 V Vgs 变化（即 1 V 变化）会有多少 Id 变化就能明白。
而且不只 4 V 至 5 V ， 5 V 至 6 V 的变化也应该要一致。
当然，上下臂不对称也可以做到放大器效果的，例如上臂用 MOSFET ，下臂用电阻也可以。
问题是，这样就不算是对称的设计了。
效能亦应该不会太理想。
tb3008940 发表于 2015-4-8 01:27
在MOS管中，跨导的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用，相当于放大能力。在转移特性曲线上，跨导为 ...
请看1536楼 别说了 说的多错的多
要不要我给你把图表发出来让你看看错对？？？
你永远不会独行 发表于 2015-4-8 11:22
现在讨论的是安全可靠性的问题。还用仿真？纯铜的材质是软的，并不适合器件的连接。尤其是在苛刻的条 ...
我觉得 用铜均热板 没多大问题工作温度也就80度 是有积极意义的 功率管的基板不就是红铜的吗？
这种弄法不是楼主发明的只是他不用拿出来得瑟
你永远不会独行 发表于 2015-4-8 11:04
你也没懂意思吧？看看下面的文字：
“补充一下，之前的回帖掉了几个字，应该是：
文字说明已经很清楚了，怎么还会不明白？楼主的这种做法与PASS老头的功率管通过绝缘片固定在散热器上的效果，哪个更好不是很明显么？可能图文结合更容易让人理解。
你永远不会独行 发表于 2015-4-8 11:52
这位牛哥很有意思，小学毕业都不让。咱农村D，交不起学费D。您能帮我交学费说不定博士毕业了。你要搞 ...
您自己可以是小学都没毕业，但是不要说别人是幼儿园的。
与人交流别恶语相加，作用力=反作用力，这应该是初中物理的知识？
你永远不会独行 发表于 2015-4-8 11:36
功率管的基板的固定和LZ在紫铜板攻丝固定不同，本身紫铜材质就软，攻丝的螺牙这么小，就更软了。除 ...
我认为 三极管基板和均热铜板 焊接一块是最好的了 因为接触热阻也不容忽视 说白点 就是 加大三极管基板面积
你永远不会独行 发表于 2015-4-8 12:28
所以说连散热都弄不好，连PCB，电磁波幅射都不懂，还谈什么技术，牛皮吹上天也没用。希望大家引以为 ...
我开始对你是很尊敬的，看你现在言辞真失望。
本来从你评价“又烧了”了的那个作品跟BGW150就几分相似的时候，你的技术水平就已经摆在别人面前了，尽管你可以目空一切的藐视本论坛的各位版主、管理员。
本来你称呼“又烧了”为“锗兄弟”，以为你跟他关系还是不错的，尽管后来有你的推波助澜，使得“又烧了”ID被封。
给你发个图片，你自己想想吧，不要把别人的善意理解成软弱，也不要把自己无理取闹当成豪放。
别在别人的帖子里捣乱了，虽然可能您自己认为这不是捣乱，但是结果是捣乱。
为了不跑题，还得说跟散热有关的事情，之前在地摊2SK60牛出单端的时候，管子没用绝缘片，直接固定在铜角导热桥上，直观感觉管子的温度与铜角的温度差别比较小，后来装箱的时候，在管子与铜角之间加了硅胶绝缘片，管子本身的温度要比铜角的温度高很多。
地摊试验：
后来装箱：