tsyg99 发表于 2015-4-8 22:10
我的CPU散热器都采用铜柱芯了，难道他们是白痴？
不玩极限功耗是不需要紫铜板的
我的功放散热加了风扇，尽管很多玩HIFI的很反对，依然坚持自己做法。
tsyg99 发表于 2015-4-8 22:10
我的CPU散热器都采用铜柱芯了，难道他们是白痴？
不玩极限功耗是不需要紫铜板的
但是在体积不受限制的情况下!!!!!
tb3008940 发表于 2015-4-7 23:57
这位兄弟，你可能是看过了我之前对某些人的不客气，你完全不必担心有话直说，我仅仅只是看人来说话。
凡 ...
其实我是很好奇的，irf240 150w功耗，就算你把散热作到了极至，管壳温度在240 150w功耗时也能保持25度。100v电压下，最多输出1.7a电流，4欧负载上6.8伏电压,就算是上下两管分去一半的功率，再给一个峰值算下来也就是最大6.8a电流 27.2伏电压还没有一个3886的功率大，这时240的峰值功率已经是489w了就是水冷1秒钟也就烟花了。不知楼主的功放实际输出功率到底有多大。
理想发烧 发表于 2015-4-8 23:46
其实我是很好奇的，irf240 150w功耗，就算你把散热作到了极至，管壳温度在240 150w功耗时也能保持25度。1 ...
正负100v供电只是楼主为了搪塞坛友彰显本事故意弄出来的 他自己实际是多大电压（提供测试图证明） 我问了 几次都装没看见;P
xianrenb 发表于 2015-4-8 09:10
大概你未接触过 IC CMOS 的设计方式。
我现在虽然是外行，但也算是大概了解要用算式计算 W/L 的比例， ...
人各有所长，我的确没有接触过 IC CMOS 的设计方式，不过，这不影响对称互补功放的正确理解。
你说的对的，我就不回应了。
你之前说25 ℃时：
IRFP240 Vgs ~= 5 V 时， Ids ~= 2.5 A 。
IRFP9240 Vgs ~= -5V 时， Ids ~= -4.5 A 。
这也没错，问题是，我在分别设置240、9240的静态电流时，不是以调整两管的Vgs相等为基准，而是调整两管的Id相等为基准。
我调整的静态工作点如下：
IRFP240 Ids = 0.4A ，Vgs ~= 4.3V
IRFP9240 Ids = -0.4 A ，Vgs ~= -4.0V
这时，中点电压为0V。假设N/P管的gm完全一样，那么，输出波形也是完全对称的。这，才是AB类功放静态工作点设置基本原理。
虽然N/P管的Vgs ~= 4.3V/4.0V不相等，但静态电流Id是相等的，这是功放静态的状况，只要设置稳定，绝不会影响功放动态的放大能力，因为动态的放大能力唯一是由gm决定（无反馈时）。
dune2012 发表于 2015-4-8 13:05
没看出一句是从技术角度讨论的，这种没营养的话以后还是别说了。器件参数好是做出“好菜”的基础，漂亮姑 ...
我之前想，你可能会理解，230比260相对更好，所以就打了个比喻简单地说。
玩正温管功放，我认为最首要考虑的参数，应该是Qg，Qg就是栅电荷。正温管也是电压控制器件，G极加电压就能控制器件的开启。这只是静态的说法，实际上，在工作状态，G、S和D之间会是一种电容状态。G的控制电压并不是马上就能加载上去，而是像并了电容一样，有一定延迟。简单来说，要等G充到一定电压了，器件才会开启，所以，一个器件的Qg大小直接影响到它的开启、关闭的速度。230、240、250的Qg都比260小，如果你基本不考虑Qg的影响，那你是对的，我无话可说。
dune2012 发表于 2015-4-8 13:29
相同耗散功率的情况下，管子和散热器温差越小说明从管子到散热器的热阻越小，硅胶片的热阻比较大，我现在 ...
他山之石，可以攻玉。
我不否认有比硅胶片热阻更小的材料替代，每个人都不可能想的十全十美，因此，谢谢你的建议。但可不可行，必须经过实践检验，才有运用价值。
均热铜板的表面，和铝散热片的表面，不可能是绝对的平面，如果之间夹着坚硬的陶瓷片。出现4个接触面，2个面缝隙，那好，你如何解决这2个缝隙产生的热阻问题呢？还有，用力紧固，你如何保证陶瓷片不会脆裂？
理想发烧 发表于 2015-4-8 21:59
没想到简单的散热问题也能引起这么大的争论，既然楼主喜欢直接又是真心讨论问题，我就一次把这个问题说清 ...
谢谢！学习了！
tb3008940 发表于 2015-4-9 01:36
我之前想，你可能会理解，230比260相对更好，所以就打了个比喻简单地说。
玩正温管功放，我认为最首要 ...
看一下我的电路设置，驱动级电流是多少你就不会这么肯定我没考虑260的Qg了，说点对我有营养的话吧，就像理想发烧、老牛和W等人。科普的事就不要对着我说了，对别人说我绝不会插嘴。不好意思得罪了，我这人比较直不太会说话见谅别介意
tb3008940 发表于 2015-4-9 02:03
他山之石，可以攻玉。
我不否认有比硅胶片热阻更小的材料替代，每个人都不可能想的十全十美，因此，谢谢 ...
这个有营养，四个面是用啥绝缘导热介质都无法避免的对吧，我是在面与面间用了硅脂，另外薄陶瓷片真的比想象中弹性大，用了你就会有体会，要求高的可以把薄陶瓷片放在铜均热块和散热器之间，我是这么干的，薄陶瓷片钻孔并不难
理想发烧 发表于 2015-4-8 22:04
我表达有误，我就是说的仿真过程。
回头我发个仿真时的电路给你
理想发烧 发表于 2015-4-8 23:46
其实我是很好奇的，irf240 150w功耗，就算你把散热作到了极至，管壳温度在240 150w功耗时也能保持25度。1 ...
如果散热条件非常好，能确保正温管里面的“晶圆”的温度只要不超过125°C，那么一只IRFP240的管耗哪怕就是达到1000W也没问题。信不信，就看每个人对正温管的理解深度了，我不想在本帖深入再聊这个话题，私信可以。各自理解吧，不过，我相信，很快，又会有人狂喷了，没文化，真可怕！
dune2012 发表于 2015-4-9 02:39
看一下我的电路设置，驱动级电流是多少你就不会这么肯定我没考虑260的Qg了，说点对我有营养的话吧，就像 ...
那我恭喜你！建议你。
建议你用：
IRFP4668PbF
VDSS 200V RDS(on) typ. 8.0m max. 9.7m 130A
gfs Forward Transconductance 150 S
Ciss Input Capacitance 10720
Coss Output Capacitance 810
Crss Reverse Transfer Capacitance 160
Idm（最高）520安培！秒杀260！
tb3008940 发表于 2015-4-9 01:03
人各有所长，我的确没有接触过 IC CMOS 的设计方式，不过，这不影响对称互补功放的正确理解。
你说的 ...
其实实际情况未必如我先前所述般那么夸张。
因为内部温度一定不会是 25 ℃。
不过，也不会是到接近顶值 150 ℃。
正常设定的话，小 Vgs 的情况还是应该比较像我先前／datasheet 中所述的，两种管在相同 Vgs 下有不同的 Ids 。
按你的资料，第一个问题看来是，电路中的 IRFP9240 的 Vth 应该不是 SPICE 模型中的 -4.0 V 了。
因为按算式算，应该是无电流的。
按 datasheet 所述，两种管子的 Vth 绝对值范围可以是 2.0 ~ 4.0 V 。
而温度看来极会影响实际 SPICE 模型中的 Kp 值。
而从这个角度看，此对管子效能不是那么优秀。
不论如何，只有当 Vth 、 Vgs 及 Ids 在一段数值范围内均为对等时，才算是完全对称，做到相同的 gm 。
跨导 gm ，实际等于 ΔIds / ΔVgs 。
gm 相等，即是相同／对等的 Ids 变化时要有相同／对等的 Vgs 变化。
若然只是某点 Ids 相同，但 Vgs 不同的话，相关的曲线段落，我看就不可能相同。
亦即是 Ids 相同，但两条曲线的斜率，即 gm ，却可以是不同，相交就会是一点，而不是一段。
本帖最后由 xianrenb 于 2015-4-9 11:14 编辑
dune2012 发表于 2015-4-8 19:30
应该没错，一两句说不清，你先百度一下吧
有时间的话，建议认真看看 1589 楼最后的那个连结。
这应是网上关于 Tian Probe 最好的解说。
你永远不会独行 发表于 2015-4-9 09:00
假仁假义的混世魔王，批斗你是众望所归。别人敢怒不敢言，不代表你可以翻天了。
因为我肯定了一下楼主的散热方法，怎么会引来这么大的事情？这根您也没什么大关系，没有涉及到您的什么内容啊？怎么会引起您的这么激烈的反应？
我肯定楼主的散热方法，也是有道理的，有别人的做法（有贴图），有我自己实际的经验（有贴图），都不是在想当然放空炮。
如果您认为有什么不对的地方，就从技术方面讨论一下，别这么激动好不好？
“作用力=反作用力”是告诉您，您在攻击别人的时候，肯定要承受“反作用”的，难道不是么？所有的扣分操作，都是在您对其他同学进行人身攻击之后进行的，您可以查看时间记录。
说实话，我本来不愿意回您这种没有意义的帖子，但是还是很感激您把“又烧了”的短消息记录发出来，让各位同学，尤其是我更认识了“又烧了”的那些卑劣的背后手段。
对了，您可以检视一下您在这个帖子里前面的回帖，个别涉及人身攻击的回帖，我已经举报了，这也算是通告您了。
估计再过去多年的，论坛还一直存在的话，您会对您之前的做法感到羞愧的。
dune2012 发表于 2015-4-8 19:30
应该没错，一两句说不清，你先百度一下吧
或者我明白你的思路了。
你是测出 V(vout) 的相位，以此比较输入的话，若果有 180 度分别，就会把负反馈转成正反馈了。
做这仿真应该就知有没有问题。
不过，这个相位数值，并不是相位裕度。
我看相位裕度，应是环路增益为 0 dB 时，环路增益的相位值。
又或者是测开环增益时，在增益为闭环增益数值时，相关的相位值与 -180 度之差。
xianrenb 发表于 2015-4-9 09:52
或者我明白你的思路了。
你是测出 V(vout) 的相位，以此比较输入的话，若果有 180 度分别，就会把负反 ...
我测的就是环路增益为零时的相位与180之间的差
dune2012 发表于 2015-4-9 10:49
我测的就是环路增益为零时的相位与180之间的差
测单点电压的话，大概只会是闭环增益而不是环路增益。
要准确测出环路增益或开环增益，不大可能测单点电压就能求得。
Tian Probe 用到的算式，要复杂好多。