看图我提高了 5401级的电流
大家也别逼楼主了，要想做好正温管，还是去请教lysohu(李阳)，在坛子里做正温管的专家，无论是理论，还是动手能力绝对是高手。
lzlz 发表于 2015-4-10 10:52
IRFP260输入电容实在太大 电路开环增益大的情况下
大环路反馈的超前相位补偿会比较难处理
闭环增 ...
一语道破天机，赞一个，所以楼主给我推荐的那个管子我真没胆量去试
觉得3886推不好
xianrenb同学，我去寻求闭环相位裕量也是无奈之举，之前一直找不到好的办法用multisim去仿真环路相位裕量，在烧管过程中我总结出一点经验，当我有一点闭环相位裕量时就不容易烧，所以我就盯上了闭环相位裕量，当然我也知道没道理的，闭环相位裕量和环路相位裕量并没有必然相关性，闭环没有相位裕量也不意味着环路相位裕量就不够
今天突然脑洞大开，找到一个用multisim精确仿真环路相位裕量的办法，和大家分享一下，欢迎理论基础够的同学们指正
Acl=闭环电压增益
Aol=开环电压增益
F=反馈电压增益（<1）
以上都是和频率相关的复数，有模值和复角（相位）
大家都知道 Acl=Aol/（1+F*Aol）
当F*Aol=-1时Acl无穷大环路自激，环路相位裕量是0，也就是说这时F*Aol的模是1，相角是-180度
所谓环路相位裕量是指F*Aol的模是1时F*Aol的相角离-180度还有多远
两个复数相乘就是相角相加模相乘（转换成dB就是dB值相加），幸运的是Aol和F的幅频曲线（模）和相频曲线（相角）都是能用multisim仿真出来的，这下简单了，在F的模（dB，是负数）+Aol的模（dB）等于0时的频率下F和Aol的相角相加，看和-180度还有多远立即就得到了仿真出的精确环路相位裕量了
我用这个方法初步把我的电路中（68页1343楼）的电容48p10p18p换成10p5p5p发现有36度左右的环路相位裕量，F*Aol模=1（0dB）时频点大约在3.2MHz，这时Aol相角-213.5度左右，F相角+69.5度左右，相加等于-144度左右离-180度有36度左右的环路相位裕量，貌似问题解决了，出差回去按这个值改改试试，大家也帮我看看，这个方法靠谱吗？烧管烧怕了
dune2012 发表于 2015-4-10 19:25
xianrenb同学，我去寻求闭环相位裕量也是无奈之举，之前一直找不到好的办法用multisim去仿真环路相位裕量， ...
阅读了之前我在网上找到的资料后，我认为现时根本无仿真方法可量度出电路的开环增益，你是如何取得 Aol 之值呢？
如果你只是把电路断开环路，那么电路运作的条件就已经变了，所以测出来的东西不会是原来电路的开环增益的。
另外，如我最近了解的，环路增益有分电压环路增益与电流环路增益。
从之前的资料看，一是仿真两次，一是用两组相同电路做单次仿真，才有足够资料计算综合的环路增益。
我看使用 Multisim 的话， Middlebrook 方法应是最合理的相关仿真方法了。
改用 LTspice 使用 Tian Probe 也可以。
xianrenb 发表于 2015-4-10 20:00
阅读了之前我在网上找到的资料后，我认为现时根本无仿真方法可量度出电路的开环增益，你是如何取得 Aol...
"电路运作的条件就已经变了" 什么条件变了？
dune2012 发表于 2015-4-10 20:10
"电路运作的条件就已经变了" 什么条件变了？
断开了环路的话，断开处两端接点的阻抗就应该会不同了，电流亦应该不同了，电压亦应该不同了，运作条件就自然不同了。
Middlebrook 方法是 1975 年论文相关的方法。
Tian 方法是 2001 年论文相关的方法。
相信采用这些方法比想一个新的论文级方法要好。
阻抗变化问题我已经考虑了，输入负端是场管断不断开反馈没啥影响，输出端的输出阻抗会变大，我试过即使开环输出阻抗大到200欧（有点夸张了）对这种方法测出来的环路相位裕量的影响也才2度，另外我不认为这是个论文级的方法，只是硬把F和Aol仿真出来然后人工计算而已。
xianrenb 发表于 2015-4-10 20:24
Middlebrook 方法是 1975 年论文相关的方法。
Tian 方法是 2001 年论文相关的方法。
相信采用这些方法比 ...
年纪大了不愿意读书了只能吃点老本了，如果你用你提到的论文的方法能帮我计算一下我那个电路的环路相位裕量是多少做个对比，那我会万分感谢
dune2012 发表于 2015-4-10 20:36
阻抗变化问题我已经考虑了，输入负端是场管断不断开反馈没啥影响，输出端的输出阻抗会变大，我试过即使开环 ...
要留意，场管即使 DC 无 Igs 电流， AC 还是有的。
无论怎样断开，断开就等同加一个无限大电阻在之间，所以电路运作条件无可能完全相等的。
这也是为何人家要研究写出那些论文、产生复杂的量度方法出来。
另外，就算真是量度出相位裕度，相位裕度亦要足够大才有意思。
<=45 度算是不应该。
63.4 度左右算可以。
71.6 度才算真正够安全。
http://en.wikipedia.org/wiki/Step_response
In particular, for case α = 1, φm = 45°, and for α = 2, φm = 63.4°. Sansen recommends α = 3, φm = 71.6° as a "good safety position to start with".
建议各位大师另外发帖，谈反馈，论开环，讲相位，做仿真。在正温管的帖子里谈这些，实在是太浪费了你们的才华了，也浪费你们时间，帖子主题和内容偏离，想看的人不一定看得到，我替你们可惜。虽然玩正温管功放也少不了这些，可是我认为，你们另外发帖显得更专业，更系统，更合适。本来早就想这么说，但是又不想打扰你们的兴致，我性格较直，今天忍不住说了，还请你们原谅我冒昧之言，谢谢了。
本帖最后由 dune2012 于 2015-4-11 00:07 编辑
tb3008940 发表于 2015-4-10 22:39
建议各位大师另外发帖，谈反馈，论开环，讲相位，做仿真。在正温管的帖子里谈这些，实在是太浪费了你们的才 ...
楼主，我们谈的正是如何安全的搞定这么大输入电容的正温管，你要是不欢迎我们在宝地谈论正温管我们就闭嘴好了，我想你不是这个意思吧，把我们几个真正在讨论通过技术手段搞定正温管的人赶走而不去赶只在你这胡乱吹牛逼的人你不觉得无聊吗
woaw 发表于 2015-4-10 01:51
使用场管做线性放大的功放电路，工作频率低，驱动信号幅度小，有的电路中实际的VGS变化幅度很小，设计方 ...
Ciss会与栅极驱动电路的输出内阻串联，共同构成了一个不可忽视的时间参数，直接影响着MOSFET的性能。先不提开关应用，就算是模拟音频范围内应用，栅极驱动内阻与Qg的配合也很重要，一定程度上就是由它的充电时间决定MOSFET的转换速率。
ciss肯定与Vds外加电压有关，这个，就无需多解释了。
dune2012 发表于 2015-4-10 02:57
兄弟，你推荐的那个管驱动好了性能可能更好，可是驱动不好做呀，当然吹个牛比很容易，那个Ciss，唉，不说 ...
所以，我之前推荐你用230，Ciss比260小太多了。
tb3008940 发表于 2015-4-11 00:36
所以，我之前推荐你用230，Ciss比260小太多了。
不是眼馋260的性能吗，认为垫垫脚应该能搞定，不过目前看还是很有信心搞定
dune2012 发表于 2015-4-10 23:40
楼主，我们谈的正是如何安全的搞定这么大输入电容的正温管，你要是不欢迎我们在宝地谈论正温管我们就闭 ...
千万不要误解，我估计你没有全部看完这个帖子，我一直认为正温管功放不宜级数过多，正温管和三极管的功放架构基本是不能套用的，无论这个电路如何优秀也枉然，否则，弄巧成拙。你的功放电路和大部分三极管功放电路几乎一样，我认为难以发挥正温管的长处，会带来很多难以克服的问题，包括你们聊的那些情况，其实都是可以通过换合适正温管的电路架构来彻底解决的。不过，我还是非常佩服你们的专注和功力。我之前在1405楼推荐过一个适合正温管的功放电路，后来补充了一些改进的想法。很多人可能不耻这个电路，我不想解释什么了，有兴趣自己去验证吧，最好是能动手做一个。
至于说到赶胡乱吹牛逼的人，我有驱赶过的，无奈有个别人死皮赖脸，我只有听之任之。最后被正义禁言，也是他的造化。
dune2012 发表于 2015-4-10 03:31
Woaw，你说的对，正温管IV曲线离散性很大，因为我有图示仪，我还真用四十对240/9240拆机管配出了一对Id/V ...
用四十对240/9240拆机管配出了一对Id/Vgs曲线完全吻合的，非常佩服你的毅力，请教一下，你如何配对，以什么参数为准。