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本帖最后由 xianrenb 于 2015-4-8 09:12 编辑
tb3008940 发表于 2015-4-8 01:27
在MOS管中,跨导的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用,相当于放大能力。在转移特性曲线上,跨导为 ...


大概你未接触过 IC CMOS 的设计方式。
我现在虽然是外行,但也算是大概了解要用算式计算 W/L 的比例,懂得如何设计一个 IC 运算放大器。
音频功放,其实可算是运算放大器的放大版,基本原理都一样。

以我的理解,正统设计运算放大器必定先考虑各级 gm 、 slew rate 、 GBWP 等等,才能设计元件所用的参数。
因为 W/L 比例几乎可以任意选定,所以并不会如业余 HIFI DIY 一般乱试元件数目组合。
一切参数之选用都是以算式计算的。

上面都说过了, gm =  2 * Id / Veff = 2 * Id / (Vgs – Vth) 。
Vgs 、 Vth 数值是对等的话, gm 要相同的条件就是 Id 数值要对等。
gm 是会随 Id 变的,这是放大器做不到完全线性的主要原因。

Datasheet 说得好清楚什么 Vgs 会出什么 Ids 了,根本不用怀疑。

再不明白的话,考虑 4 V 至 5 V Vgs 变化(即 1 V 变化)会有多少 Id 变化就能明白。
而且不只 4 V 至 5 V , 5 V 至 6 V 的变化也应该要一致。

当然,上下臂不对称也可以做到放大器效果的,例如上臂用 MOSFET ,下臂用电阻也可以。
问题是,这样就不算是对称的设计了。
效能亦应该不会太理想。

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tb3008940 发表于 2015-4-8 01:27
在MOS管中,跨导的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用,相当于放大能力。在转移特性曲线上,跨导为 ...

请看1536楼   别说了   说的多错的多
要不要我给你把图表发出来让你看看  错对???
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你永远不会独行 发表于 2015-4-8 11:22
现在讨论的是安全可靠性的问题。还用仿真?纯铜的材质是软的,并不适合器件的连接。尤其是在苛刻的条 ...

我觉得 用铜均热板   没多大问题  工作温度也就80度   是有积极意义的   功率管的基板不就是红铜的吗?
这种弄法不是楼主发明的  只是他不用拿出来得瑟   
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发表于 2015-4-8 11:42 | 显示全部楼层
你永远不会独行 发表于 2015-4-8 11:04
你也没懂意思吧?看看下面的文字:

“补充一下,之前的回帖掉了几个字,应该是:

文字说明已经很清楚了,怎么还会不明白?楼主的这种做法与PASS老头的功率管通过绝缘片固定在散热器上的效果,哪个更好不是很明显么?可能图文结合更容易让人理解。

图文解说

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发表于 2015-4-8 11:54 | 显示全部楼层
你永远不会独行 发表于 2015-4-8 11:52
这位牛哥很有意思,小学毕业都不让。咱农村D,交不起学费D。您能帮我交学费说不定博士毕业了。你要搞 ...

您自己可以是小学都没毕业,但是不要说别人是幼儿园的。
与人交流别恶语相加,作用力=反作用力,这应该是初中物理的知识?

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你永远不会独行 发表于 2015-4-8 11:36
功率管的基板的固定和LZ在紫铜板攻丝固定不同,本身紫铜材质就软,攻丝的螺牙这么小,就更软了。除 ...

我认为 三极管基板和均热铜板 焊接一块是最好的了   因为接触热阻也不容忽视    说白点 就是 加大三极管基板面积   
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你永远不会独行 发表于 2015-4-8 12:28
所以说连散热都弄不好,连PCB,电磁波幅射都不懂,还谈什么技术,牛皮吹上天也没用。希望大家引以为 ...

我开始对你是很尊敬的,看你现在言辞真失望。
本来从你评价“又烧了”了的那个作品跟BGW150就几分相似的时候,你的技术水平就已经摆在别人面前了,尽管你可以目空一切的藐视本论坛的各位版主、管理员。
本来你称呼“又烧了”为“锗兄弟”,以为你跟他关系还是不错的,尽管后来有你的推波助澜,使得“又烧了”ID被封。
给你发个图片,你自己想想吧,不要把别人的善意理解成软弱,也不要把自己无理取闹当成豪放。


混混.png



别在别人的帖子里捣乱了,虽然可能您自己认为这不是捣乱,但是结果是捣乱。

为了不跑题,还得说跟散热有关的事情,之前在地摊2SK60牛出单端的时候,管子没用绝缘片,直接固定在铜角导热桥上,直观感觉管子的温度与铜角的温度差别比较小,后来装箱的时候,在管子与铜角之间加了硅胶绝缘片,管子本身的温度要比铜角的温度高很多。
地摊试验:


2SK60散热器.jpg

后来装箱:

2SK60散热.jpg
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