有关“结型场效应管JFET”的那些事

hulx

liushuliang 发表于 2015-6-5 07:52
你只是刚接触JFET，看了几本书，多玩玩以后你也会明白，你坚持的东西不一定是对的，譬如讲对第一级的改动

其实认真地读一本书就足够了，呵呵

hulx

liushuliang 发表于 2015-6-5 08:54
牛哥，倒是可以将这个四管前级与老曹的VFET去比较一下，到底哪个音色音质最棒。这次上海音响展会期间，有一 ...

我们在这里还是讲技术，艺术先放放？

hulx

牛哥 发表于 2015-6-4 23:27
那我就明白了您的意思了。
应该说关于几个区的划分，在命名上就有混淆，所以在本帖上面的回复中我宁可认 ...

第一级的工作区，有工作点、有具体使用的管子参数，是很容易判定的，称呼不同绝不是问题，因为在输出特性曲线上工作区的位置是确定的。这个可不是靠谁嘴上说是什么区就是什么区的。

按照牛哥的说法，我们使用“饱和区”和“非饱和区”的称呼，完全没问题。

这里设想一下，如果搞不清哪里是饱和区哪里是非饱和区，这个问题还能谈下去吗？这可不是天方夜谭！本来JFET的工作区在输出特性曲线上面，清清楚楚，但是偏偏反其道而行之，非要在输入转移特性上面搞。前面已经多次说过，这也不是不可以。设若看不懂特性曲线的含义的话，话就不是这样说了。不信再请看这个图，绝对考验你的认知，什么IC、IP、IQ密码，统统交出来吧：

看看啥是预夹断

看见那两根红色虚线了吗？还有个箭头引出线写着“预夹断区”了吗，这里就是某某说的JFET真正工作区——饱和区，而右边那根红线的右边都是可变电阻区！怎么样？反正看得我是头皮发麻！






  
教材上都把JFET的饱和区作为放大电路的工作区，这个是传统，而不是像某某说的别人的电路都是工作在可变电阻区。而4管机的第一级，千真万确是工作在不饱和区！承认这个，我们可以讨论他的声音魅力。

这个帖子，到此可以告一段落，感谢大家的关注，也感谢版主为本帖加了高亮！！

如果大家有兴趣，很想再来一贴——“有关四管机的那些事”，聊聊本帖的缘起。跟本帖一样，我们还是聊技术，不聊声音，也不聊艺术。

hulx

zx1113 发表于 2015-6-5 15:18
刘老的电路应该工作在C区，只是大家叫法不一致，容易产理解不同。

牛哥的曲线，C区是夹断区，管子夹断漏极电流为零。我明白您的意思，是想说是工作在靠近夹断区的饱和区内吧？但真不是，是工作在A区。

hulx

理想发烧 发表于 2015-6-5 16:37
那个区都能响，但是不同的区有不同的失真大小和音色的差别，一般的情况是恒流区失真最小声音也就最干，可变 ...

说的好！

hulx

aloha123 发表于 2015-6-5 11:47
如果没记错，现在所有的动态记忆体就是VFET这型

听你这么一说，翻书看到的这个FAMOS，Floating-gate Avalanche-injection Metal Oxide Semiconductor ——悬浮栅雪崩注入型金属氧化物半导体，很拗口，不知跟VFET是否一样结构。

zx1113

hulx 发表于 2015-6-6 21:29
牛哥的曲线，C区是夹断区，管子夹断漏极电流为零。我明白您的意思，是想说是工作在靠近夹断区的饱和区内 ...

刘老的本意是接近c区，只是后期很多人制作时设在A区。刘老的表述同我们的理解不一至。

hulx

zx1113 发表于 2015-6-6 22:30
刘老的本意是接近c区，只是后期很多人制作时设在A区。刘老的表述同我们的理解不一至。

1、不知道你做过四管机没有？如果做了话，你可以实测一下工作点。
2、既然你引用了02.jpg，能否简单叙述一下2张曲线的含义？这张图可以完美解说输入转移特性、输出特性以及二者之间的关系。
3、大概你没看懂原帖，01.jpg和后面2张图不是一回事，还是不放在一起说为好。

valley

直接说工作在截至区、可变电阻区，横流区好了，自己发明个预夹断区，我只知道每个Vgs对应于一个夹断点，不知哪个预？区如何定义，还是要按约定俗成出牌的好不好。教授艺术听感我不感冒，只赞楼主说的读好一本书就够了，前面我说的迷迷糊糊赞一个并不代表糊里糊涂地赞，只是没仔细看贴预先赞一下而已，楼主顶住，暑假我再上来。

牛哥

hulx 发表于 2015-6-6 21:22
第一级的工作区，有工作点、有具体使用的管子参数，是很容易判定的，称呼不同绝不是问题，因为在输出特性 ...

    事情不要太绝对，除了“C”区（截止区），可以很好的界定，因为ID=0了，A区（不饱和区）,B（饱和区）两个区，本来就没有非常明确的定量界限，因为曲线是弯曲的，这条“预夹断曲线”的位置误差也比较大。
    比如下图，使用的我手头很久前测试的2SK373的特性曲线，特意把小电流部分放大了一些，然后根据与刘老的4管FET前级相近的工作条件，您再看看下面的那两个工作点，到底是工作在哪个区？我说不用争了，自己判断一下就行了。



    绿色接近第一个管子的工作条件。黑色的那个是接近第二个管的工作条件。因为怕在这个小范围划线太多，不容易分辨，考虑的只是工作条件大约相近，也可能误差比较大，选择的管子也不相同，但是还是有参考价值的。

LeonBernieniv

牛哥 发表于 2015-6-7 00:00
事情不要太绝对，除了“C”区（截止区），可以很好的界定，因为ID=0了，A区（不饱和区）,B（饱和区） ...

牛哥你这个又要模糊别人的视线了，工作是讲轨迹的，那些绿点黑点应该是在不同的特性曲线上……

牛哥

LeonBernieniv 发表于 2015-6-7 09:38
牛哥你这个又要模糊别人的视线了，工作是讲轨迹的，那些绿点黑点应该是在不同的特性曲线上……

没有模糊视线的想法,我说的就是工作条件基本接近,因为所用的管子也不一样,不可能完全一样,但是可以参考.
那条负载线是基本根据第一个FET画的,也就是绿色的三条竖线.
第二个FET管子的工作曲线跟第一个FET的相差不是很大,就没有另外画负载线,工作点看黑色的三条竖线.如果另外画一条第二个管子的负载线,应该是与第一个管子的负载线接近的,要不您画一下看看.

xianrenb

Wikipedia 有 MOSFET 不同工作区的名称，但就没有 JFET 的。

http://zh.wikipedia.org/zh-cn/%E9%87%91%E5%B1%AC%E6%B0%A7%E5%8C%96%E7%89%A9%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E5%A0%B4%E6%95%88%E9%9B%BB%E6%99%B6%E9%AB%94
http://zh.wikipedia.org/zh-cn/%E7%BB%93%E5%9E%8B%E5%9C%BA%E6%95%88%E5%BA%94%E7%AE%A1

但我看运作情形／图表差不多，大概应分为“截止区 ”、“线性区（三极区） ”及“饱和区 ”。

截止区就明显是 Ids 电流等于 0 的情况。

线性区（三极区）就是 Ids 电流会随 Vgs 及 Vds 电压而变化的情况，基本上运作就像一个三极真空管。

饱和区就是 Ids 电流只随 Vgs 变化。
即使Vds 变化也不会明显改变 Ids 。

我看设计电路时，选用那一个区域运作都可以，但理应选用合适的来产生最大的效能。

饱和区的特点是输出（漏极）的阻抗会很高，即是当输出电流有小量变化时，该点电压就会有很大的变化，反之亦然。

线性区或三极区就不同了，输出电压变化时，电流亦会明显变化，反之亦然。
所以输出阻抗比饱和区的低好多。

基本上阻抗只能以并联方式加东西来降低，好难以串联方式加东西来增加。
而高输出点的阻抗配正常的跨导就是高电压增益，所以我看一般 JFET 应用都是采用饱和区较为合理。
因为这是可用最少零件做出最大电压增益的方式。

hulx

valley 发表于 2015-6-6 23:17
直接说工作在截至区、可变电阻区，横流区好了，自己发明个预夹断区，我只知道每个Vgs对应于一个夹断点，不 ...

每个Vgs对应一个预夹断点，说的好！

hulx

牛哥 发表于 2015-6-7 00:00
事情不要太绝对，除了“C”区（截止区），可以很好的界定，因为ID=0了，A区（不饱和区）,B（饱和区） ...

预夹断轨迹是有方程的，vds=vgs-vp，以此为判据，工作区是绝对的，一点都不模糊。从管子物理结构讲，预夹断点也是确切的，那就是两侧的耗尽层刚好碰上的那一刻。

hulx

xianrenb 发表于 2015-6-7 11:05
Wikipedia 有 MOSFET 不同工作区的名称，但就没有 JFET 的。

http://zh.wikipedia.org/zh-cn/%E9%87%91% ...

您理解的我完全赞同。其实维基英文版有jfet词条，3楼的图就是那里摘的。它管可变电阻区叫线性区。饱和区、夹断区称呼不变。

牛哥

hulx 发表于 2015-6-7 11:13
预夹断轨迹是有方程的，vds=vgs-vp，以此为判据，工作区是绝对的，一点都不模糊。从管子物理结构讲，预夹 ...

是的,从物理微观结构分析,每个FET管子在某个确定的工作点,预夹断点是可以确切的.但是到实际运用中要确切的画出预夹断曲线就能就可能不确切.输出曲线本身本来若干个点连起来的近似,没法确切,只能无限接近.
如果能确切的话,那下面这个图的确切的预夹断曲线能不能确切的画出来呢?


或者这个NPD5566的曲线看起来应该更理想一点,那么能不能确切的画出来预夹断曲线呢?

LeonBernieniv

牛哥 发表于 2015-6-7 10:27
没有模糊视线的想法,我说的就是工作条件基本接近,因为所用的管子也不一样,不可能完全一样,但是可以参考.
...

冒犯了，直接拿您的图，就是我一直以来的理解方式

hulx

牛哥 发表于 2015-6-7 11:58
是的,从物理微观结构分析,每个FET管子在某个确定的工作点,预夹断点是可以确切的.但是到实际运用中要确切 ...

管子确定了，vp也确定了，图上看不出准确值，应该知道的。有了vp就能准确画出来预夹断轨迹了。

牛哥

LeonBernieniv 发表于 2015-6-7 12:49
冒犯了，直接拿您的图，就是我一直以来的理解方式

不用客气,论坛本来就是用来研讨技术的,图文并茂的形式更容易理解.
但是在这个曲线中,您的画法可能有有问题,一般是先画出来直流负载线,然后再根据直流负载线来确定工作点,我在90楼的那个放大曲线图,比较接近第一级,第二级的管子管子实际工作情况,电源电压大约16V,第一级漏极电阻100K,做出来直流负载线,就是最下面的那条红色斜线.然后根据管子各极的工作电压,大约确定了三条绿色竖线的位置.
第二级的情况也差不多.


对了,为了统一名称,便于讨论,我在97楼的叫法"预夹断曲线"应该改成"预夹断轨迹"