有关“结型场效应管JFET”的那些事

LeonBernieniv · 发表于 2015-6-9 19:51

本帖最后由 LeonBernieniv 于 2015-6-9 19:52 编辑

zhke 发表于 2015-6-9 19:37
就是从脸到胸都蒙上哈~~~

哈，那个图片的关键部位还有预夹断后面那段电场跟阻抗相顶撞产生恒流效应的同工之妙呢~~
说回正题，不是一定要拉鬼佬来给我撑腰，但是这个鬼佬确实也定义得很明白：

http://stompville.co.uk/?p=112

4. To turn the JFET off we make the gate negative with respect to the source.
At some voltage – called Vgs(off),
the “pinch-off voltage” – current in the drain-source falls to zero and the JFET is fully off.

aloha123 · 发表于 2015-6-9 19:56

LeonBernieniv 发表于 2015-6-9 19:27
没弄错，您误解了
Vds=0的意义在于沟道的两端是等宽的

你用的这个图，跟1.4.3(a)一点关系也没有。
1.4.3(c)才是解释Vp，当|Vgs|大到一定时Id=0，这时的|Vgs|就是Vp。
而当Id=0，简单的说就是JFET断路，
JFET断路那它两端的电压就是外加在D-S端的电压，而不是0。
如果不信你可做实验测试就知道。

aloha123 · 发表于 2015-6-9 19:57

LeonBernieniv 发表于 2015-6-9 19:27
没弄错，您误解了
Vds=0的意义在于沟道的两端是等宽的

你用的这个图，Vp跟1.4.3(a)一点关系也没有。
1.4.3(c)才是解释Vp，当|Vgs|大到一定时Id=0，这时的|Vgs|就是Vp。
而当Id=0，简单的说就是JFET断路，
JFET断路那它两端的电压就是外加在D-S端的电压，而不是0。
如果不信你可做实验测试就知道。

zhke · 发表于 2015-6-9 19:58

LeonBernieniv 发表于 2015-6-9 19:51
哈，那个图片的关键部位还有预夹断后面那段电场跟阻抗相顶撞产生恒流效应的同工之妙呢~~
说回正题，不 ...

你翻翻俺看不懂啊

LeonBernieniv · 发表于 2015-6-9 20:06

本帖最后由 LeonBernieniv 于 2015-6-9 21:05 编辑

zhke 发表于 2015-6-9 19:58
你翻翻俺看不懂啊

就是用栅负压控制JFET关闭，某个电压时，称作Vgs(off)；漏源电流为0时，叫做夹断电压，JFET完全关闭。

借问一句，636跟2p3什么差别？似乎元件少好多呢

hulx · 发表于 2015-6-9 22:09

本帖最后由 hulx 于 2015-6-9 22:10 编辑

LeonBernieniv 发表于 2015-6-9 20:06
就是用栅负压控制JFET关闭，某个电压时，称作Vgs(off)；漏源电流为0时，叫做夹断电压，JFET完全关闭。
...

看到你对引文的翻译，突厥天雷滚滚！其实他说的是：

4、JFET的栅极对源极加负电压，在某个电压——称为Vgs（off），即夹断电压（pinch-off voltage）——时，漏源电流跌至零，JFET完全关断。

=============================分隔线=============================
技术不是艺术，这里不存在一千个读者面对同一个莎士比亚会有一万个哈姆雷特的事情。不同厂家夹断电压测试条件的差别，在前面22L就提到过。对于特定的JFET，夹断电压只有一个。对此有些人很不以为然，列在下边，请再仔细体会一下吧。

Q5：到底哪里是夹断电压，100uA、50uA、20uA还是10uA，说法很乱，我都不知道信谁了。
A5：根据夹断电压的定义，是Vds一定时，漏极电流Id=0时的栅源电压Vgs。至于100uA、50uA、20uA还是10uA，都是规定一个电流很小的条件。看转移特性，横轴夹断电压Vp左侧，Id一直都等于0，对应的那么多Vgs值就没有意义了，规定了一个足够小的电流，就有了标准。要是你有足够小量程的电流表，完全可以在更小的电流下比如nA级甚至pA级测试，但是意义不大。

hulx · 发表于 2015-6-9 22:16

天马飞云发表于 2015-6-9 17:34
2SK170的PDF上确实是以0.1UA作为测试条件的。

版主，那是有人把栅漏击穿电压测试条件看错了。

hulx · 发表于 2015-6-9 22:22

牛哥发表于 2015-6-9 17:10
豚豚大人好，明天杀奔东北白河，去长白山玩几天，可惜距离您那还是比较远，不然真应该当面拜访，学习您的 ...

牛哥，欢迎来二道白河，方便可以过来喝酒！

牛哥 · 发表于 2015-6-9 22:37

hulx 发表于 2015-6-9 22:22
牛哥，欢迎来二道白河，方便可以过来喝酒！

对东北不太熟悉,几年前去长白山,走的是吉林市过去的,这次是直接到"白河",应该是长白山天池的西坡吧,不知道跟"二道白河"距离远不远呢?

,不会真的这么巧,论坛上先争论一番,然后再到一起煮酒论英雄?

LeonBernieniv · 发表于 2015-6-10 07:32

hulx 发表于 2015-6-9 22:09
看到你对引文的翻译，突厥天雷滚滚！其实他说的是：

4、JFET的栅极对源极加负电压，在某个电压——称 ...

啊，又见天雷…… 昨晚的我展现出断句的艺术才华？难道这个鬼佬不是猴子派来的救兵？是二师兄般的队友？显然是的，那我面壁修拉链去！

hulx · 发表于 2015-6-10 07:58

牛哥发表于 2015-6-9 22:37
对东北不太熟悉,几年前去长白山,走的是吉林市过去的,这次是直接到"白河",应该是长白山天池的西坡吧,不知 ...

吉林人民欢迎牛哥大驾光临！

hulx · 发表于 2015-6-10 08:11

LeonBernieniv 发表于 2015-6-10 07:32
啊，又见天雷…… 昨晚的我展现出断句的艺术才华？难道这个鬼佬不是猴子派来的救兵？是二师兄般的队友？ ...

别怪鬼佬，带着自己的观点去看那段英文以求佐证，于是在脑海中重新组织了文字，得出自己想要的意思了。

类似的还有前面103L说可变电阻区2个缺点那2页书，你的理解是有偏差的。

112L引图也是不恰当的。

关于负载线的认识，牛哥已做纠正。

LeonBernieniv · 发表于 2015-6-10 08:35

hulx 发表于 2015-6-10 08:11
别怪鬼佬，带着自己的观点去看那段英文以求佐证，于是在脑海中重新组织了文字，得出自己想要的意思了。
...

那两处您说服不了我。
103的例子求的是轨迹的垂直，刘老电路求的是轨迹的平直，两个变量去其一个，非要说我偏差那也请便。
112图是最直观的。
而且从头到尾都没有意图否定您的任何观点，最多就是加塞了些朴素的视线，只是试图从您这个帖子里重新认识以前一眼晃过的内容。

zhke · 发表于 2015-6-10 10:24

还在讨论啊~

jsawar · 发表于 2015-6-11 23:21

非常好的技术贴，收藏先！

hulx · 发表于 2015-6-12 05:56

LeonBernieniv 发表于 2015-6-10 08:35
那两处您说服不了我。
103的例子求的是轨迹的垂直，刘老电路求的是轨迹的平直，两个变量去其一个，非要 ...

103l图作者说的是2个事情。
首先，可变电阻区的非线性，原因是id的变化，不仅由vgs决定，还跟Vds有关。
其次，可变电阻区工作区段比较窄，是说Vds条件。
以上，跟信号的小或者微都不相关。

hulx · 发表于 2015-6-12 06:04

LeonBernieniv 发表于 2015-6-10 08:35
那两处您说服不了我。
103的例子求的是轨迹的垂直，刘老电路求的是轨迹的平直，两个变量去其一个，非要 ...

112l你引用的图，记得你说过是mosfet的什么特性，我没看懂。
图上垂直轴单位是A.um-1，水平轴没看到单位。
引图起因是想说明原点附近的预夹断轨迹形状，可是这个跟预夹断轨迹有什么关系呢？最好说说此图来历。

引力F · 发表于 2015-6-13 12:53

zx1113 发表于 2015-6-5 15:18
刘老的电路应该工作在C区，只是大家叫法不一致，容易产理解不同。

还是这位兄弟看出问题了。

saa7350 · 发表于 2015-6-13 22:48

本帖最后由 saa7350 于 2015-6-13 23:01 编辑

请问楼主JFET的IDSS是负温度系数吗

hulx · 发表于 2015-6-14 10:17

本帖最后由 hulx 于 2015-6-14 10:19 编辑

saa7350 发表于 2015-6-13 22:48
请问楼主JFET的IDSS是负温度系数吗

测量Idss时，会发现电流表的数字一直在下降，虽然速度会减慢。下图说明了这个现象。

[经验心得] 有关“结型场效应管JFET”的那些事

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