有关“结型场效应管JFET”的那些事

LeonBernieniv

牛哥 发表于 2015-6-8 17:43
等等～～～这里有个关键性的错误。
实际的C区是基本与横轴重合的那条线与横轴就之间的区间，因为这时候I ...

对的牛哥，越辩越明了！但是又回到起点了……满头大汗

zhke

天马飞云 发表于 2015-6-8 17:48
636单管来复机,图片里元件好像有些多了。

发错了！

那是636+。

这个是636。

hulx

牛哥 发表于 2015-6-8 12:32
按照您的想法，理论上是这样划分的，而且可以说泾渭分明，但是在实际应用中这个“确切”，如果真的工 ...

牛哥，恕我愚钝，才搞明白您的意思。
1、如果要理想的器件，只能凭空捏造一个，比如我在前面32L就DIY过这样一只JFET。那只管子的可变电阻区和恒流区转折倒是清清楚楚。
2、对于现实世界中的FET，可变电阻区和恒流区的转折不会那样“泾渭分明”。状态发生转变，不会一蹴而就。
3、可变电阻区和恒流区特性不会是理想的，比如可变电阻线性不好、恒流区不够平直。
4、电路中的一只FET，或者工作于饱和区，或者工作于可变电阻区，必居其一，没有中间的过渡区，预夹断轨迹就是“界河”。
5、一只确定的管子，Vp、Idss是确定的，输出特性曲线也是确定的，预夹断轨迹也是确定无疑的，不存在无限接近的说法。
6、如果调试好了电路，工作区就是明确的。如果说某个电路中的管子一会儿工作于饱和区，一会儿工作于可变电阻区，只能说电路没调试好。

工作区就是绝对的，并不存在含糊的地方。

hulx

LeonBernieniv 发表于 2015-6-8 12:44
原谅我一钻原理的牛角尖就停不下来。
似乎是越来越认同牛哥在90楼贴的这张图示出的工作区域：

这个图的坐标都是什么？出自哪里？

呼啸沧桑

天马飞云 发表于 2015-5-16 20:03
还有一类具有非饱和输出特性的垂直沟道场效应晶体管（简称SIT或者VFET)也是属于JFET的.

马版是场效应管的绝对权威了

牛哥

hulx 发表于 2015-6-8 19:36
牛哥，恕我愚钝，才搞明白您的意思。
1、如果要理想的器件，只能凭空捏造一个，比如我在前面32L就DIY过 ...

牛哥，恕我愚钝，才搞明白您的意思。
1、如果要理想的器件，只能凭空捏造一个，比如我在前面32L就DIY过这样一只JFET。那只管子的可变电阻区和恒流区转折倒是清清楚楚。
2、对于现实世界中的FET，可变电阻区和恒流区的转折不会那样“泾渭分明”。状态发生转变，不会一蹴而就。
3、可变电阻区和恒流区特性不会是理想的，比如可变电阻线性不好、恒流区不够平直。
4、电路中的一只FET，或者工作于饱和区，或者工作于可变电阻区，必居其一，没有中间的过渡区，预夹断轨迹就是“界河”。
5、一只确定的管子，Vp、Idss是确定的，输出特性曲线也是确定的，预夹断轨迹也是确定无疑的，不存在无限接近的说法。
6、如果调试好了电路，工作区就是明确的。如果说某个电路中的管子一会儿工作于饱和区，一会儿工作于可变电阻区，只能说电路没调试好。

1、同意
2、同意
3、同意
4、不同意：这条界限就是人为划定的，没有反映出管子真正工作的状态，跟问题5是一个出发点。
5、不同意：确定的是点，另外还没有考虑那个VP是怎么来了，VP是不是个常量。
6、不同意：正常的工作点的管子，在输入大信号的时候，随时可能进入“不饱和区”或者“截止区”。

hulx

牛哥 发表于 2015-6-8 19:49
牛哥，恕我愚钝，才搞明白您的意思。
1、如果要理想的器件，只能凭空捏造一个，比如我在前面32L就DIY过 ...

造好了管子，VP就确定了，只有测试准确与否的问题。
6、电路发生了失真，是电路工作条件不合适，比如工作电压、静态工作点、器件参数等。

牛哥

hulx 发表于 2015-6-8 19:56
造好了管子，VP就确定了，只有测试准确与否的问题。
6、电路发生了失真，是电路工作条件不合适，比如工 ...

造好了管子，VP就确定了，只有测试准确与否的问题。
6、电路发生了失真，是电路工作条件不合适，比如工作电压、静态工作点、器件参数等。

请详细解说一下VP的定义？
6、您对工作点的设置和应用条件有偏见，理解的不一定全面。就像刘老的4管FET前级，设计之初就预计到了再这个工作点下，可能会有有意义的失真产生，自然要这样选在这个点的附近。前面也说过了，这个工作点附近的动态比较小，容易引起限幅失真，所以在输入端预先把强信号做了衰减，这正是我们应该学习的地方。

牛哥

hulx 发表于 2015-6-8 19:56
造好了管子，VP就确定了，只有测试准确与否的问题。
6、电路发生了失真，是电路工作条件不合适，比如工 ...

如果您认为VP对于理想的FET来说是确定的，那也可能您是对的，可是如果考虑实际FET工作原理的微观物理情况，VP实际上是要受到V-DS影响的，依然不是个常数。
如果对于FET这类管子来说，VP就不是个常数，即使是同型号的管子，也是有个范围的。

牛哥

zhke 发表于 2015-6-8 17:03
牛哥啊~

别研究那么深了。。。

，让我想起来了小学时代的矿石收音机，初中时代的5管直放式收音机，以及高中时代的7管朝外差。。。。
玩就是个乐趣，现在在国外也有很多朋友喜欢玩简单的，古老的，甚至是电子管的单管机，两管机，三管机。

LeonBernieniv

hulx 发表于 2015-6-8 19:39
这个图的坐标都是什么？出自哪里？

那个是借mos的特性曲线来的。
后来又画过一张，画得感觉太奇葩了，就没敢示人，既然兄问起，还是斗胆贴出来。
说明一下，横轴本来是水平的，为了显示靠近夹断区的那些曲线，象折扇一样把那部分展开来。

hulx

牛哥 发表于 2015-6-8 20:41
如果您认为VP对于理想的FET来说是确定的，那也可能您是对的，可是如果考虑实际FET工作原理的微观物理情况 ...

参数范围是那样理解的？！

不能再讲了。

hulx

牛哥 发表于 2015-6-8 20:23
造好了管子，VP就确定了，只有测试准确与否的问题。
6、电路发生了失真，是电路工作条件不合适，比如工 ...

牛哥想多了，这样讲人家liushulang不会认可的。别人的电路都是工作在可变电阻区，只有他的电路工作在饱和区（他把饱和区等同于预夹断区，这倒也没什么），而他讲的饱和区跟大家讲的饱和区还不一样，是输入特性上小电流的部分。

hulx

LeonBernieniv 发表于 2015-6-8 21:03
那个是借mos的特性曲线来的。
后来又画过一张，画得感觉太奇葩了，就没敢示人，既然兄问起，还是斗胆贴 ...

如果想说明原点附近的预夹断轨迹，根本不用这么复杂。

zx1113

hulx 发表于 2015-6-8 21:17
牛哥想多了，这样讲人家liushulang不会认可的。别人的电路都是工作在可变电阻区，只有他的电路工作在饱和 ...

他的讲法的确不一样，按自已的理解取名。

牛哥

hulx 发表于 2015-6-8 21:08
参数范围是那样理解的？！

不能再讲了。

不管怎么理解，您是把VP作为一个确定量，我认为是不妥的。

这样吧，为了更好的说明问题，您把您的VP定义拿出来，让我也学习一下，看看是不是我理解有问题？如果定义中有“趋于****”、“接近****”的字样就不用拿出来了。

hulx

牛哥 发表于 2015-6-8 21:39
不管怎么理解，您是把VP作为一个确定量，我认为是不妥的。

这样吧，为了更好的说明问题，您把您的VP定 ...

帖子搞了这么久，vp要自己定义？

输入特性上面好理解，记得是三楼的图，文字叙述也很清楚。id=0时，vgs就是夹断电压vp，没有趋近之类的字样吧？

牛哥

hulx 发表于 2015-6-8 21:51
帖子搞了这么久，vp要自己定义？

输入特性上面好理解，记得是三楼的图，文字叙述也很清楚。id=0时，vg ...

我还真的有点糊涂，因为微观的夹断看不到。只能去找了一些可以操作的测试方法，但是很可惜，很多人的测量标准并不是理论的ID=0的时候，而是ID是一个接近0的很小值。而且就是在这个接近0的很小值附近，V-GS的变化值还是比较大的。

zhke

                                 

LeonBernieniv

Vp是在漏源之间电压为零条件下得出的参数，Vp表示的夹断，并不会在正常使用的电路里出现，即便数据表上有一点点泄漏的电流，即便与正常电路里预夹断时的电流等值，那也不是一回事。
也就是说“预夹断”永远不会转化到“实验条件下的Vp状态”，因为|Vgs|增大向Vp值接近的过程中还要经过可变电阻区，这个过程中因为有Id和Vds参与，电场和沟道宽度相互作用，沟道始终呈楔形，是虚掩虚闭的。