有关“结型场效应管JFET”的那些事

牛哥

引力F 发表于 2015-5-21 00:10
牛哥，你实际测量的工作点是多少？

我虽然是最早接触这个电路的人之一,是在隔壁论坛,帮助刘老先生把图上到论坛,但是我没有实际做过这个前级.
一开始很多人也在怀疑FET的工作点一反常态,本想出来解释一下这个前级的工作特点..但是后来看到很多人都做成功了,也就没再说话.
引用我在隔壁论坛的理解,不一定正确,可以一起研究:
"从电路中的电阻取值，能知道管子应该是工作在预夹断区，与我们常用的饱和区不一样。但是在预夹断区，管子的线性不是很好，难道这是电路好声的成因？"
"在FET的预夹断区（BJT的饱和区），其特性很类似电子管的正常输出特性曲线，实际上MOS管子也有类似的特性。现在应该有助于对于楼主电路元件取值的理解了吧？"
"我早就了解刘老的设计根据了，但是很多人并没有仔细看您的设计原理图，打算省事的按图索骥，对不起刘老的一番心血。"

具体的工作点,楼主会讲的,稍微等一下,别着急.

hulx

牛哥 发表于 2015-5-21 00:20
我虽然是最早接触这个电路的人之一,是在隔壁论坛,帮助刘老先生把图上到论坛,但是我没有实际做过这个前级. ...

牛哥，把jfet的预夹断区和bjt的饱和区相比拟，这一点问题也没有。按照这个思路，就是说：jfet的预夹断区就是可变电阻区，这样的称呼也是有依据的。说的再直白一点，预夹断区就是预夹断轨迹左边的区域，或者说是jfet饱和之前的区域。

引力F

牛哥 发表于 2015-5-21 00:20
我虽然是最早接触这个电路的人之一,是在隔壁论坛,帮助刘老先生把图上到论坛,但是我没有实际做过这个前级. ...

原来是土炮坛的坛主，失敬了，牛哥。

valley

这么好的贴，怎么会没回应。楼主的帖子从发出那天起我就看到了由于工作忙没仔细看楼主的贴，但基本明白其意思，迷迷糊糊赞一个。
因为i我有几个97年左右的场管，想做个前级，源于大学时代的分离元件的磁头放大的美好回味.那个4管前级我也恰好看到过，也对起工作点有质疑，难道作者要多的就是预夹断的非线性的经过修饰的声音？就像有人拿遥截至来产生失真一样,但看到那贴我也不想回，也不会盲目模仿，发此贴只为支持楼主。

hulx

valley 发表于 2015-5-28 16:21
这么好的贴，怎么会没回应。楼主的帖子从发出那天起我就看到了由于工作忙没仔细看楼主的贴，但基本明白其意 ...

感谢关注！

hulx

JFET原理，没那么难懂。一个预夹断点，一个夹断电压。
JFET工作区，也没那么复杂。一个可变电阻区，一个恒流区。
预夹断是工作区的分水岭。
有把可变电阻区叫预夹断区的，有把恒流区叫饱和区的，叫什么都没关系，但是得知道它们究竟在哪里。

帖子到此，原来想说的话突然不想说了。悟出来一点：懂的人不是看了我的帖子才明白的！泰囧嘞……
原来，那些糊涂的不能静下心来看书，只想吃人家嚼过的，终也只能继续糊涂着了。

DIYer，业余爱好居多，一旦被某个错误的说法灌输，只会越做越糊涂，越做疑问越多。

无论何时，请相信科学。对那些玄而又玄的说法，就像鬼神一样敬而远之罢。

牛哥

hulx 发表于 2015-5-28 19:48
JFET原理，没那么难懂。一个预夹断点，一个夹断电压。
JFET工作区，也没那么复杂。一个可变电阻区，一个恒 ...

继续吧,别想的你那么多,明白的人不一定有您这么图文并茂的讲的清楚.不明白的人,看了您这样图文并茂的讲解,会逐渐加深对FET管的了解的.
FET放大电路是简单,但是因为教科书成书的时候,那些老师,专家对于这些了解的也没有您后期的理解这样深刻,编写普通教科书背后的事情我还是了解的.至少在对于预夹断区的理解,您是很深刻的.问题就怕较真,较真起来就会发现很多原来我们可能忽略的那些细节.您把很多人明白,但是讲不清楚的问题讲清楚了.
只要是抓住了这个关键:那个可变电阻区=不饱和合区,可能视野会更宽阔.

hifiwanjia

很好的文章!

liushuliang

JFET
п(нж)ж100k10k

liushuliang

这么好的帖子，我也看不懂了。实际上hulx要说的话，没说出来。那就是我说的工作在预夹断区是不存在的，应该是工作在可变电阻区才对。我说饱和区也有的书上叫是恒流区或预夹断区。他说这样说法不对。根据helx的理解，第一级设计是错误的，应该将100k电阻改为10k

liushuliang

事实上100k改为10k，电路就不在恒流区了，而是工作在可变电阻区了。JFET真正的工作区就是恒流区，是最线性的工作区，但是同工作在可变电阻区是完全不同的，它是微信号放大。

zjmcxf

改后一耳朵应该能听出来区别！

想学维修

继续啊，我这些业余的菜鸟，分不大清哪些对哪些错，得跟着你嚼嚼才行…

liushuliang

我是向需要前级电路的人推荐一个绝对好声的电路吧了。你感到电路那里有否问题，你不要搞就是了。你觉得应该如何改才对，就贴图来说清楚，让人家也能知道这个电路是我在骗人的。现在我变成了不讲科学讲玄学的人了。要知道，书本上说来说去都是一样的，而各人的理解会有出入。就像大家都在看股市的同一盘面走势图，有人选择买进，有人选择卖出一样，理解程度不同

牛哥

liushuliang 发表于 2015-6-4 10:20
我是向需要前级电路的人推荐一个绝对好声的电路吧了。你感到电路那里有否问题，你不要搞就是了。你觉得应该 ...

因为比较喜欢FET管，之前也看了一些资料，做了一点测试和试验，也来说说自己的看法，不一定对，欢迎探讨。
刘老的电路不错，根据工作点和管子的转移特性曲线分析，工作实际没有问题的，论坛很多朋友制作成功了，也测量了实际的管子的工作点。从实际电路中管子的各极电压来看，我认为管子基本是工作在了可变电阻区，也就是不饱和区。
在过去传统的教科书中，一般是坚定的认为“FET线性放大，只能工作在饱和区”，因为这部分的曲线看起来是线性的。但是如果我们对比了电子管中三极管，五极管的特性曲线就会发现，FET在饱和区更像五极管的特性曲线，在非饱和区有点像三极管的特性曲线。这就告诉我们，实际上FET在不饱和区是可以用于线性放大的。对于这个关键的问题，很多照搬教科书的人，不经过实践，是不会理解的，这才是问题的关键。

下面是我实测的某个FET的特性曲线。

NPD5566曲线

下面是论坛某同学实际测试的关键点工作电压：

liushuliang-amp

其实，正是楼主说的那样，从曲线上看，每个部分的名称叫什么不重要，比如我认为按照普通BJT晶体管的名称延伸过来更容易理解分成“不饱和区”“饱和区”“截止区”“击穿区”。

下面是我以前试验过的一个电路实物图片，试验表明，不仅FET可以工作在不饱和区，普通的MOS一样可以。

MOS BJT

liushuliang

这个电路本身是没有问题的。工作点究竟工作在哪个区域，我认为前三级都是工作在饱和区(

liushuliang

最后一级才是工作在可变电阻区。

liushuliang

JFET

liushuliang

JFET特性就是类同电子五极管特性，而不是电子三极管。真不知道推荐了一个电路，还要为这些东西而争论，这是我实在想不到的事情。

liushuliang

我上班时同JFET