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有时候我们自己有个新想法,就以为是自己发明了什么重大成果,其
 
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那我就明白了您的意思了。
应该说关于几个区的划分,在命名上就有混淆,所以在本帖上面的回复中我宁可认为划分的4个区域应该是参考普通的BJT的命名方式:“““不饱和区”“饱和区”“截止区”“击穿区”””,这样可能更容易让人理解。
然后是刘老的电路4管的工作区,到底是在哪个区,这个可能是关键,尤其是前面的2个管子,我原来的观点是在“不饱和区”,看过刘老的回复之后,我现在有点怀疑自己的观点,因为管子的工作电流太小了,而实际工作的时候,管压降又太小了,普通的测试方法可能很难分辨ID处于UA级别的电路了。所以我感觉还是求同存异的好,不必非要求证到底这个管子到底是工作在“不饱和区”或者“饱和区”,因为通过之前的帖子,大家都明白了这么个道理“FET线性放大,可以工作在饱和区,也可以工作在不饱和区”,这应该是您发帖子的最重要的目的。
至于FET管工作在不饱和区和饱和区的音色不同,这个确实很少有人体会,我也没有做过刘老的4管前级。但是我们可通过另外的方式解决,让普通的FET也就是J-FET工作在饱和区,采用类似的电路使用一种特殊的FET,也就是V-FET,使管子工作在不饱和区,音质的差别就很明显了。这个实验我已经做过了,V-FET的不饱和特性,带来的音色变化十分明显,就像电子管中的三极管与五极管那样明显。下面我引用当初我们试听的我设计的一个前级的音色表现来说明问题,不一定对,但是我们是两地的发烧友小聚的时候,我亲自操刀焊接,对比的J-FET和V-FET的音质区别,可能有误,仅供参考:
“老曹的V-FET,声音特点十分明显,三频平衡,没有一般J-FET电路容易带来的低频“清淡”的问题。在中高频上,有自己的音染,但是这种音染使得中高音显得顺滑,耐听。” |
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