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楼主 |
发表于 2014-1-30 23:34
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本帖最后由 bg1rzk 于 2014-1-30 23:42 编辑
Once. 发表于 2014-1-30 17:16 
刚看完这个帖子。冒昧提几点想法:
1.环路。闭环反馈的仔细设计是开关电源的稳定性与响应速度的终极来源。 ...
多些您的建议,都是实际经验啊,谢谢!
汇报一下我的情况:
1.环路。闭环反馈的仔细设计是开关电源的稳定性与响应速度的终极来源。楼主如果按照PI Intergration软件的设计值来做,可能会存在瞬态响应偏慢。但是环路是个巨大难题,学起来……啊……经验之谈,吐血。不知道路遥版之前能把这些知识学得怎么样。
PI Intergration只用来确定变压器数据,再在这个数据上微调参数多次试验看变压器实际表现。反馈环路和吸收电路没用软件给出的数据,而是参照了若干实例取的值,再根据实际变现微调原件参数。
2.查了一遍TOP249Y的datasheet。RDS_ON达到2.15~2.5欧。这算是比较大的。所以做这么大的开关频率肯定会很烫。另外兄台的效率不知怎么得出的,应该是偏高了。所以如果要进一步探索的话,TOP系列的产品肯定无法满足你您的需要的。建议改用UC3843+好的MOSFET。比如ST的22NM60等。仙童的FDPF10N60NZ。东芝的TK10A60U。做起来也不会很难。
效率感觉是偏高了,按测出来的值,管子温度不该这么高。问题应该出在功率表上,用的是带功率表的电源插板,应该是它不太准。
参照了些网上的实例,温度控制的都还可以,所以一直试图把温度降下来,徒劳的瞎折腾。现在觉得一百多瓦的输出功率,TOP的芯片八九十度应该是正常值,降不下来。
长时间测试的板子装的是TOP250Y,最高功率试到110W(变压器按150W设计的),再高功率靠自然冷却就顶不住了,需要强制风冷。目前100多瓦的功率已经能满足需求,需要再高的功率时再折腾其他电路。
3.PQ3220的中柱偏短。如果实在很难控制漏感的话,可以改用中柱更长一些的磁芯,但请确认中柱是圆形的,否则可能适得其反。比如在RM系列,PQ系列,ETD系列磁芯中选择。另外题外话,兄台的Ferrite磁芯哪里来的啊……零售多半不是正品哦。120K Hz的话,我记得天通的TP4A磁芯恰好适合这个频率工作(仅供参考)。此外,效率要是真能达到90%的话,变压器应该会是最烫的器件。
PQ3220磁芯只绕了一只变压器,50W以下能应付,超过50W温升很高。现在用来长时间老化测试的变压器用的是PQ3230磁芯,70瓦左右,微温。100瓦左右,温度有点高,但还能行。
磁芯来自某宝,电源频率130KHz,大功率时温度有点高,可能与您提到的磁芯品质有关。
4.吸收电路如果经常烧的话,有可能是器件的选择不正确。三个方向:1,评估吸收二极管的电压电流应力。2,计算RCD吸收电路上的损耗,看看是否超标。计算方法如下:吸收电压计为 V_SN.漏感计为 L_lk,开关管电留峰值 IDS_PK.震荡峰值 V_OS.
Psnubber=1/2*fs*L_lk*(IDS_PK)^2*(VSN/V_OS) 。炸管子的话,无论是开机还是带过载,请确认不是尖峰超过了TOP249内置MOS的电压应力。务必留出15~20%的设计余量。然后,高压输出绕组反射回初级侧绕组的电压是多少也请计算一下,再与输入电压相加,看看初级测平顶电压能会到多少?
反射电压按120V取值,箝位损耗3W左右(计算值)。
TVS管型号P6KE200A,初期用的是拆机件,加之可能是最初几只变压器绕的不好漏感高,造成TVS管烧毁,进而炸TOP246。后期用的是新购置的TVS管,吸收回路原件参数稍作调整,重载、高压、故意短路,再怎么折腾也没再烧过管。
5.抓初级测波形的时候请务必注意安全,要么为AC输入增加隔离变压器。要么把示波器的接地线断开。否则危险很大(即便你使用分压也无意义)。
示波器为手持式,测试时特意用电池供电,不存在共地问题。
6.可否尝试做做“空载满载互切”实验?留几个波形来分析。这对于低频性能的评估具有重大意义。
您说的这个实验还没特意做过。印象里低压负载变动时电压几乎没有波动,高压负载变动瞬间电压少许波动,个位数。波形还是不能测,没买高压探头,过了年再折腾吧。
多谢您的建议,遇到问题还要向您请教,祝马年吉祥,谢谢。 |
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