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楼主 |
发表于 2012-10-4 16:15
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本帖最后由 okra 于 2012-10-4 16:19 编辑
快写吧吧……O版
苯考拉 发表于 2012-9-25 20:29 
就在这儿简单地说一下吧,不另发帖了。
基本原理:近场测量的声压与声源的辐射面积无关,所以合成时必需考虑声源的辐射面积。
方法:
1。测量低频单元的有效辐射直径和倒相管开口直径。
2。近场测量低频单元正面辐射响应。mic与振膜表面距离<10mm,并记下这个距离。保存测量结果。
3。以同样的距离、同样的电平,测量倒相管开口处的辐射响应。mic对准倒相管开口的中心位置。保存测量结果。
4。在lspcad的justmls中使用“添加”功能,将倒相管辐射合并到低频单元的近场响应中。添加时,倒相管测量结果需要下移的dB数(即测量结果的声压级减少值)为20×log(倒相管直径/单元有效直径),或10×log(倒相管开口面积/单元有效辐射面积)。
可能存在一个问题,当倒相管开口作了大半径的倒角处理,或是喇叭形开口时,倒相管的有效辐射直径不容易确定。
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刚才搞错了,把这些文字“编辑”到你的回帖中去 |
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