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楼主 |
发表于 2015-4-10 01:27
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本帖最后由 tb3008940 于 2015-4-10 01:34 编辑
MOS管的开关时间要考虑的是Qg的,而不是由Ciss决定的,一个MOS可能有很大的输入电容,但是并不代表其导通需要的电荷量Qg就大,必须还要考虑MOS的跨导!虽然Ciss与Qg有一定的对应关系,但与栅极驱动内阻和外加电压有关,并具有非线性。另外,Qg反映了米勒反馈的概念,Ciss是不能说明的。
你说的是Ciss,是静态下测出来的值,实际应用时这个值是变动的。早期的MOS就只有这种参数,后来发现在应用中会碰到很多问题,也就是说不能满足应用的需求,后来的MOS管中才多了Qg等电荷参数。
你单单看Ciss是没有什么参考价值的,不同的Vds下,值肯定是不一样的。就算是Ciss比较大,只要加大驱动功率(电流)照样速度很快。
所以,正温管做功放,最重要是综合考虑Qg和线路的设计、配对也是看Qg,而不是Ciss。 |
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