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本帖最后由 路遥plus 于 2014-5-30 08:00 编辑
这是一个电子管与场效应管组成的混合WCF输出低输出阻抗(小于3欧姆)的耳放电路。通常电子管耳放假如不采用变压器输出,驱动150欧姆以上的高阻耳机没什么问题,但要驱动30欧姆的低阻耳机就非常吃力甚至难以为继了。
为了能够驱动低阻抗耳机又不想使用输出变压器,用电子管阴极输出电路是比较难做得到,所以采用了MOSFET组成WCF输出级,输出阻抗低达欧姆级(小于3欧姆),驱动力强劲,驱动32欧姆的耳机轻松自如,而推高阻耳机就更是游刃有余了。
电压放大级采用低工作电压的6DJ8 or 6N11,以良好适应WCF输出级的150V低工作电压。
所采用的MOSFET场管是以低输入电容著称的IRF610,输入电容Ciss低达135pF,这在大功率场效应管之中算是非常小的了,这样可以比较好的保证电路的高频放大性能。
电源部分采用串联稳压电源,调整管也是采用IRF610,方便了零件采购,也保证了电源的高瞬态响应。
按下图电路,放大量约为13倍/22db。假如嫌放大量不够,可以在R2上并220uF/10V旁路电容,放大量就可以提高到23倍/27db,但失真就大些。
因为WCF输出级与电源调整管都工作在大电流状态(WCF级静态功耗约为每声道12W,电源调整管功耗约为9W),因此必须要加足够大的散热片。
WCF输出级上/下两只场效应可以不配对,但左右声道要做跨导镜像配对。
原电路图
增加高频消振电容修改电路图(05-30-2014):有鉴于不少朋友做这个电路都发生高频自激甚至烧废MOSFET管,针对这个缺陷,在Q2的D-S跨接一只1000pF/250V高频消振电容,加入这只电容后就可以消除容易自激的毛病,提高了制作成功率。
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