[DIY制作] OM2.7双并版

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发表于 2026-7-8 21:46 | 显示全部楼层
本帖最后由 zjzj007 于 2026-7-8 21:52 编辑
liujian2024 发表于 2026-7-8 09:23
你可以用电桥(0.1V/10lHz)测试一下结电容和质超的对比一下,大概率就是zhichao tie pai de.

10kHz/ ...


刘老师,我测试了两款韩国管子,1943、5200的极间电容好像和质超的有差别,个别指标有点接近华微。
微信图片_20260708212127_52_181.jpg
微信图片_20260708212313_73_181.jpg 微信图片_20260708212312_72_181.jpg
微信图片_20260708212307_70_181.jpg 微信图片_20260708212306_69_181.jpg
微信图片_20260708212305_68_181.jpg 微信图片_20260708212303_67_181.jpg
微信图片_20260708212301_66_181.jpg 微信图片_20260708212253_65_181.jpg
微信图片_20260708212211_63_181.jpg 微信图片_20260708212138_53_181.jpg
微信图片_20260708212153_60_181.jpg
微信图片_20260708212150_58_181.jpg
微信图片_20260708212142_55_181.jpg
微信图片_20260708212142_55_181.jpg

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 楼主| 发表于 2026-7-8 22:03 | 显示全部楼层
zjzj007 发表于 2026-7-8 21:46
刘老师,我测试了两款韩国管子,1943、5200的极间电容好像和质超的有差别,个别指标有点接近华微。

...

你测我也测

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 楼主| 发表于 2026-7-8 22:30 | 显示全部楼层
本帖最后由 microstar 于 2026-7-8 22:32 编辑

忙里偷闲,今天把音量电位器和rca的线做好了,可以正式对比双并和单管的rmaa了
在设计的时候,留了1个电源接口,让差分放大部分单独供电,或者断开22r电阻,通过电容倍增器供电,这是电源倍增器子卡的样子

去掉22r电阻,插上功放板合体

连接线材,接上负载开测

附上rmaa对比,两者均带8R负载

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 楼主| 发表于 2026-7-8 22:35 | 显示全部楼层
本帖最后由 microstar 于 2026-7-8 22:37 编辑

继续上传rmaa具体对比的图(白色双并,绿色单管)
频率
fr.png
IMD失真
imd.png
THD失真
thd.png
噪音
ns.png
顺便吐槽下,双并温度真的高,室温30度,散热器温度50度
dr.png

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发表于 2026-7-8 22:55 | 显示全部楼层
zjzj007 发表于 2026-7-8 21:46
刘老师,我测试了两款韩国管子,1943、5200的极间电容好像和质超的有差别,个别指标有点接近华微。

...

ES 的1943/5200除了接近华微的,也接近质超的0302/0281,如果你有ES的0302/0281,测试结果可能与ES的1943/5200也接近。

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发表于 2026-7-8 22:59 | 显示全部楼层
microstar 发表于 2026-7-8 22:35
继续上传rmaa具体对比的图(白色双并,绿色单管)
频率

加上电容倍增器后效果很明显。

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 楼主| 发表于 2026-7-8 23:27 | 显示全部楼层
筑明 发表于 2026-7-8 22:59
加上电容倍增器后效果很明显。

加了后15k多了一个峰,大概-86db,还在想怎么能去掉

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发表于 2026-7-9 05:23 来自手机端 | 显示全部楼层
microstar 发表于 2026-7-8 22:03
你测我也测

我的技术水平有限,你测的我看不太懂,还得继续学习。

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发表于 2026-7-9 05:27 来自手机端 | 显示全部楼层
liujian2024 发表于 2026-7-8 22:55
ES 的1943/5200除了接近华微的,也接近质超的0302/0281,如果你有ES的0302/0281,测试结果可能与ES的1943 ...

所以。ES是哪家芯片厂代工的还真不好说呀。

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发表于 2026-7-9 08:03 | 显示全部楼层
microstar 发表于 2026-7-8 23:27
加了后15k多了一个峰,大概-86db,还在想怎么能去掉

可能是地线的问题,50Hz的峰还增加了差不多10db。

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发表于 2026-7-9 08:24 | 显示全部楼层
zjzj007 发表于 2026-7-9 05:27
所以。ES是哪家芯片厂代工的还真不好说呀。

如果ES的0281/0302结电容与ES的1943/5200接近,且耐压高达350V,那就极可能就是华微打标的
1943.png

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本帖最后由 zjzj007 于 2026-7-9 11:43 编辑
liujian2024 发表于 2026-7-9 08:24
如果ES的0281/0302结电容与ES的1943/5200接近,且耐压高达350V,那就极可能就是华微打标的


        我问了一下某宝该品牌经销商,这批货为韩国东部的流片,芯片上有CHN标志的才是大陆代工,一般由华虹或积塔代工。我豆包了一下,流片的概念是:“流片 = Tape-out,半导体行业核心术语:是芯片设计完成、全部验证通过后,把最终版图文件(GDSII)交付晶圆代工厂(Foundry),把电路图纸做成真实硅基芯片的全过程,是设计终点、制造起点”
        通俗理解:芯片的试生产 / 打样,先做出实物样片测试功能、功耗、时序,验证无误再大规模量产。
        我个人认为在东芝、ON等大厂管子假货满天飞的当下,选用一些其他厂商的管子用用也不乏是明智之举。

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发表于 2026-7-9 12:00 | 显示全部楼层
就是所谓到国外蹭个洋名设计外包,实际制造厂家,嘿嘿。同前几天上海某公司雇印度组长4个月上杀锁控公司一样,舔屁股还是很香。

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本帖最后由 zjzj007 于 2026-7-9 12:07 编辑
liujian2024 发表于 2026-7-9 12:00
就是所谓到国外蹭个洋名设计外包,实际制造厂家,嘿嘿。同前几天上海某公司雇印度组长4个月上杀锁控公司一 ...


狗能吃到屎当然觉得香,哪怕是屁股沟子里剩的一点点,我已经联系上他们总部的销售工程师,给寄点推动管和功率管的样品回来测试。

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EKS的饱和电压太高
ADL5200.jpg
EKS5200.jpg

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 楼主| 发表于 2026-7-9 18:22 来自手机端 | 显示全部楼层
今晚我来测一下国产3G功率管在实际上机后的表现。

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 楼主| 发表于 2026-7-9 18:27 来自手机端 | 显示全部楼层
筑明 发表于 2026-7-9 08:03
可能是地线的问题,50Hz的峰还增加了差不多10db。

50hz我觉得是摆地摊造成的,因为单管我采用的是电源分体设计,通过航空插连接功放,50赫兹干扰屏蔽了。双并没有接大地,装箱后50和其倍频干扰应该能压下来

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发表于 2026-7-9 18:36 | 显示全部楼层
liujian2024 发表于 2026-7-9 17:06
EKS的饱和电压太高

照您这么说,EKS的3281和1302的饱和电压还可以,就是放大倍数太低了,N管的HFE才50几,P管也就70几。

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发表于 2026-7-9 18:47 | 显示全部楼层
microstar 发表于 2026-7-9 18:22
今晚我来测一下国产3G功率管在实际上机后的表现。

3G是啥管?

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 楼主| 发表于 2026-7-9 19:14 来自手机端 | 显示全部楼层
zjzj007 发表于 2026-7-9 18:47
3G是啥管?

语音输入的,三极管。
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