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本帖最后由 hdbhv580742 于 2019-8-31 19:25 编辑
这仿真明显不公平:
1,R3的阻值,7815就用42毫欧,10000uf就用12毫欧
2,大电容的ESR是否如你列的几十毫欧我不敢确定。
但是在高频状态,彼此性能是差不多的,78xx也就是要靠去藕电容才可以进一步降低内阻。
主要100以下低频状态,如你仿真,区区前级动用10000UF,效果也不及1片78xx,再低30hz就怕更难看了。
而楼主恰恰觉得低频有改进,真是心理因素。
宇宙间,理想电源是任何频率任何电流大小状态下内阻都是0的电源。
内阻是唯一衡量电源的优秀与否的标准。
现实中,如你仿真,动用万UF级别的电容在低频完全不是廉价78xx的对手,至于高频,如果去藕C2采用优质小电容,完全可以代替78xx秒掉10000uf电容。而且前级是否需要那么高性能的内阻也值得磋商,毕竟只是电源纹波,不是到输入端的纹波。
至于摇了就滚那位网友,看了那么多仿真数据还在胡言乱语稳压增加内阻,我觉得他应该还是在校学生,我不应该那样说他的。 |
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