关于IGBT击穿的问题

tsyg99 · 发表于 2012-1-15 20:46

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lysohu · 发表于 2012-1-16 21:41

MOS管是单管，输入电容大，驱动电流足够时，容易饱和。而IGBT是2个管组合的，MOS管必须达到一定的电流时才会驱动后级的三极管，为了使三极管高速截至，估计be接有10欧的电阻。相比之下，单管的MOS管功耗远远大于IGBT里的MOS管，我估计是IGBT里的MOS管击穿后烧三极管的，但IGBT里的MOS管击穿后可能会自动修复，这是MOS管的特点。因为.......所以才被烧坏tsyg99 发表于 2012-1-15 20:46

MOS 是MOS , IGBT是IGBT......

IGBT和MOS的工艺不同,IGBT也是单管, 在IGBT的工艺中是"形成一个MOS"和"形成一个三极管" 你不能把它他拆开来分析的...所以,IGBT里面没有B极,也不需要给B极驱动电流..

MOS的输入电容相对IGBT来说小多了,IGBT都应用于高电压,大电流的场合,输入电容小不了....因为IGBT比MOS多了PN结,所以能承受更高的电压,更大的电流.....也正是IGBT多出的PN结使它内阻比MOS管大...所以,如果MOS管够用的话,用MOS做的东西比IGBT好.内阻更低,开关时间更快.

MOS管受工艺影响一直以来做不了高压,P的200V,N的1200V,电压做高了,电流就上不去.而IGBT现在有的器件达到了6000V以上,电流几百A以上..像动车用的IGBT就是这种...只有进口的,没有国产的.

目前一直在研发更高电压,更大电流的MOS,在某些场合来代替IGBT.

tsyg99 · 发表于 2012-1-16 21:54

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lysohu · 发表于 2012-1-16 22:08

看26楼就明白是IGBT管的构成了。MOS启动电压达到6V都是超高速的，多用于开关电路，在音响上都是因为不会 ...
tsyg99 发表于 2012-1-16 21:54

MOS的开发本来就不是针对音响的....开启电压高低也是有原因的, Gate的正/负电离子密度更高,更薄,他所需要的Gate电压就越低.但更容易击穿,更容易干扰.....
不过,小声的告诉你一声..MOS用在功放上很好声...

它的速度也是本身和三极管等工艺不同.Gate开启导电沟道形成,Gate关闭导电沟道马上关闭....三极管的话不把B极的电子反抽回来的话器件无法快速关闭...

tsyg99 · 发表于 2012-1-17 11:30

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火星计划2009 · 发表于 2012-1-18 20:46

看看你的负载是什么，要是感性负载就要有防护措施啊

Watt · 发表于 2012-1-19 00:00

有时间就看一看，知道了好多东西。

mercyau · 发表于 2013-2-20 18:19

还在等LZ年后的试验呢。虽然NMOS已经过关，还是期望多分享经验，新年快乐！！！各位

唐波先生 · 发表于 2014-2-4 03:19

一般的IGBT最简单的是用光偶驱动，正负18V，截至要加负18V电压，大的模块要在光偶后加驱动电路，提高驱动电流，这是和mos管驱动的区别。

金龙123 · 发表于 2014-2-4 13:38

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pcllwwkk · 发表于 2014-4-16 16:20

没有峰值限制保护击穿了！

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