[基础知识] 关于IGBT击穿的问题

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发表于 2012-1-11 18:54 | 显示全部楼层
这一个超级喧宾夺主的帖,LZ完全沦为了配角,都差不多隐形,太好玩了!
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发表于 2012-1-11 19:02 | 显示全部楼层
本帖最后由 路遥plus 于 2012-1-11 19:09 编辑
只能说楼主不是一个搞技术的人,不但没有钻研精神,更是只会索取,没有分享……
zhonggx 发表于 2012-1-11 18:58

没错!而且还遮遮掩掩。所以我最开始的时候回了两三帖,后来发现他根本不会也不愿正面回应提出的最关键问题,所以就算了。

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本帖最后由 lysohu 于 2012-1-11 20:07 编辑
楼主的推挽电路有问题,汗……当我没说。
zhonggx 发表于 2012-1-11 18:56



对,我也看出来有问题了!这个电路要上下两只管分开驱动, 还是用三极管推挽驱动吧,成本低,简单方便。MOS不能直接接成推挽,要在Gate上加偏置才行。
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我不想说什么……你牛就牛吗,不就个卖仪器的嘛。我还让他用你推荐的RG值,还惹来一身骚,还能说 ...
zhonggx 发表于 2012-1-11 20:06


手脚真快!

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我不想说什么……你牛就牛吗,不就个卖仪器的嘛。我还让他用你推荐的RG值,还惹来一身骚,还能说 ...
zhonggx 发表于 2012-1-11 20:06


算我错了,还不行吗?哈,Sorry

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 楼主| 发表于 2012-1-12 19:40 | 显示全部楼层
都是搞技术的,没有必要争来争去,回答的人好象都有道理,但是又好象都没有道理,我也说不清楚为什么用IGBT会击穿,我自己弄的电路可能是有问题。也在努力改更中。管了也不是烧坏的,管子还没热就击穿了,什么现象也没有。而用NMOS管就正常工作。

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 楼主| 发表于 2012-1-12 19:49 | 显示全部楼层
还有可能是驱动电路不同的原因,NMOST是2~4V,IGBT是4~7V,就是可能由于这个的不同才造成IGBT击穿的。但是奇怪就是在这一点,难道驱动不足就击穿管子?这个电路实际的功率并不大。我标5A还是夸大的了。如果管子发热严重烧了还说的通。
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发表于 2012-1-12 20:49 | 显示全部楼层
在IGBT的源极和漏极之极要加阻容保护的。我之前做激光点焊机时,IGBT没有加阻容。上一个挂一个,而且我用的IGBT的耐压是1200V。加了阻容保护就OK了。还有就是驱动在够大,不然在上面产生的电压会高过IGBT的耐压值的。

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 楼主| 发表于 2012-1-13 12:37 | 显示全部楼层
回复 113# zhonggx

这个电路本身也没有多少参数,不是做什么产品之类,就是这么个简单的应用,就是因为简单所以什么保护之类的也没有,我想可能性比较大的就是驱动电压不足导制的,因为场管可以正常工作,两个管子的参数差不多,就是驱动电压一个大一个小。等过了春节后把电路改一改增加驱动电压再试一试。
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 楼主| 发表于 2012-1-14 21:56 | 显示全部楼层
回复 116# tsyg99
这个也有点说不通,换了MOS管就一切正常了,上IGBT就击穿。而IGBT好象需要更高的驱动电压。

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发表于 2012-1-14 22:22 | 显示全部楼层
在IGBT的源极和漏极之极要加阻容保护的。我之前做激光点焊机时,IGBT没有加阻容。上一个挂一个,而 ...
haozhiyong 发表于 2012-1-12 20:49


这阻容就是用来降Dv/Dt的,因为你带的是感性负载,而且能量很大...带阻性负载是不需要这个的...因为阻性负载随你的Gate关断后没有反向能量对CE极冲击.

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发表于 2012-1-14 22:34 | 显示全部楼层
还有可能是驱动电路不同的原因,NMOST是2~4V,IGBT是4~7V,就是可能由于这个的不同才造成IGBT击穿的。但是 ...
Watt 发表于 2012-1-12 19:49


你的驱动在临界点,瞬时管耗很大,来不及传导就烧了...另外,驱动改用一对三极管做推挽吧.我给的图有错,那图是用于上下管分开驱动的,可高速的关断Gate.....你用MOS 接的推挽驱动还存在一个无驱动区,就是两GS间的电压差...没法用的.

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 楼主| 发表于 2012-1-15 18:48 | 显示全部楼层
基本明白问题的所示了,等年后再慢慢搞它。
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