[基础知识] 关于IGBT击穿的问题

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修了不少焊机有mos,icbt,他们的驱动方式不一样,
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发表于 2012-1-9 19:57 | 显示全部楼层
回复 81# haoming


    你好,你焊机修得多,请问MTH8N90和SSH15N100是不是都是IGBT管,谢谢

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发表于 2012-1-10 10:56 | 显示全部楼层
用MOS管就没事说明此MOS管在7V已偏向饱和导通.
一般IGBT的导通电压比MOS高1V左右,处理好驱动在这个位置用IGBT是完全没问题的.

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发表于 2012-1-10 11:22 | 显示全部楼层
这个电路烧掉是理所当然的。。IGBT在欠驱动下工作,热量快速积累一下就烧了。我发个电路过去你试试。

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最近做了点小东西,用大功率的Mos管作开关,频率10KHz,控制电压+-12V,一切正常,正好手里有IGBT管子(仙童 ...
Watt 发表于 2012-1-5 10:38


按改掉的图做准不会烧的。 这个没必要用正负12V电压驱动,IGBT开启电压很高,你12V驱动MOS再驱动IGBT,送到IGBT有电压只有8V左右。正好在开启电压附近,导致IGBT管耗很大。单电源驱动就好,最好把驱动电压改为15V。没有人会去用负压的。这样不仅没作用,而且加长了开启时间。
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 楼主| 发表于 2012-1-10 16:03 | 显示全部楼层
看来是我的问题,等有时间了再改为单电源,用+-12V只是为了方便。我也感觉12有点低了。可能用15V更好。

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 楼主| 发表于 2012-1-10 16:05 | 显示全部楼层
用-12V是因为有人说IGBT用负压才能快速关断。
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发表于 2012-1-11 08:46 | 显示全部楼层
运放驱动能力完全不够的。
IGBT一般需要至少1A的驱动电路。

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发表于 2012-1-11 09:16 | 显示全部楼层
IGBT加反压是为了防止误触发。
楼主要搞清楚几点。
第一 ,你要告诉我们 你的负载是什么类型的,阻性,容性,还是感性?
第二,示波器测量必不可少。探头要直接点在管子的GE上。
第三,这种电路,有廉价的专用芯片可以驱动,
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发表于 2012-1-11 15:11 | 显示全部楼层
本帖最后由 GHJIANG 于 2012-1-11 15:12 编辑

做电路实验:一要有必要设备;而要具备相关的基础知识。要想走捷径,也可借鉴一些成熟的电路。本例的烧管原因:主要是欠激励,这里的欠激励有两个含义。一是电平幅度,二是波形!做脉冲电路的实验,没有示波器,犹如“瞎子摸象”。

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发表于 2012-1-11 16:52 | 显示全部楼层
用-12V是因为有人说IGBT用负压才能快速关断。
Watt 发表于 2012-1-10 16:05


三极管才要拉负电流关断,IGBT和MOS应用一样。只不过电压低了最好不用IGBT,MOS比IGBT好

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发表于 2012-1-11 17:01 | 显示全部楼层
你这个烧管主要不是欠驱动引起的,我让你GE间加双向18V TVS管加了吗?另你这个电路结构,负压确实不是必需的 ...
zhonggx 发表于 2012-1-10 22:28


你这个真有意思,不搞清楚也在这里正儿八径的忽悠人。Rg用大了管耗更大。Rg的选用是有条件的。。。管子不发热他能烧掉吗? IGBT的开启电压一般都很高,这是1200V25AIGBT的Qg测试波形,自己看吧,以后话不要说得太满,小是错的话碰到对的人。我是专做MOS管测试设备的。对MOS及IGBT的特性还算是了解的。 7413_device2_3.gif

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发表于 2012-1-11 17:04 | 显示全部楼层
IGBT本身对雪崩击穿很弱,如果不加Body Diode应用在感性负载下很容易雪崩打死,所以会集成一颗BodyDiode在上面。
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