关于IGBT击穿的问题

毛毛虫

回复 40# Watt
大功率P沟道的场效应管到很多的。
注意P管要截至，G级电压要高于S级。

Watt

回复 41# 毛毛虫
还是用NMOS，不准备用PMOS管。

ZSJWJ

把2K电阻那里并一个稳压管，或者用IGBT专用驱动

眼镜123

负载要接在管子下边的话
这个可以用NMOS管作开关的
驱动输入用正12V方波，2K的换成10K的，再并15V稳压管试试

Watt

回复 44# 眼镜123
没有办法了，试验了IGBT不行，不知道NMOS管如何。

fysy

就你发表的两部分电路，两部分都存在不合理的地方。

nieice

IGBT管子 对整流后的直流电压很敏感，一定要好的整流桥+好电容。
我以前烧几次管子，换了整流就没烧了。

眼镜123

选耐压高点吧
开关状态下，功率MOS管6A的电流，小意思
散热也很容易
试试看

我做过类似的电路，但频率没这个高
用的就是NMOS管，工作正常

SHILKA

回复  SHILKA
是阻性负载。
Watt 发表于 2012-1-5 13:09

我还是怀疑你的负载在高速开关下产生高的尖峰电压，试下在IGBT的E极对地加个高速二极管看看，5A负载就算是假管也不会过流损坏。

Watt

回复 46# fysy
那里不合理，请指明，烧了好几个管子了。

Watt

回复 49# SHILKA
得找个示波器看一看了是否有尖峰了。

溺水的鱼

上正弦波看看

路遥plus

回复  路遥plus

   基本上就是全部电路图了，前面就是三角波生成，三角波变方波的两个NE5532，三角波生 ...
Watt 发表于 2012-1-5 19:34

继电器在驱动下用10KHz当然不行，用在稳态有什么问题？100V电压是直流的吧？既然是直流，那用IGBT做开关，为什么非得要用到10KHZ方波去驱动？用静态DC电压不就可以了吗？好象你都不大认真看回帖的。

fysy

第一个图中：IGBT管的发射极电位关闭时是0V，导通时电位就在近100V。前级驱动如果共地的话将在很高的电位下工作非常不稳定也危险，非要这种负载接法的话建议找个小磁环隔离驱动，注意下IGBT驱动电压不要超过17V就行了。
第二个图中将MOS管驱动换成晶体管图腾驱动，场管G极没释放回路的话是没法正常关断的。
先试下，把一图中负载移到上端，这样IGBT管的发射极电位关闭时是0V，导通时电位就在1v之间变化了。然后把驱动换成下面这个图腾方式

mxwmke1

好象没有加上吸收电路,具体应用请参考开关电源应用电路,
其实研究这样一个电路没有意义.有很多成熟电路方案可以解决.
己见.

Watt

回复 53# 路遥plus

我不明白静态DC如何生产10KHz的脉冲开关？

路遥plus

回复  路遥plus

我不明白静态DC如何生产10KHz的脉冲开关？
Watt 发表于 2012-1-6 12:30

看来我们都有不明白的地方。
我是一直都不明白你这个开关是双稳态开关还是脉冲开关，在之前的回帖我问过你两次，你都没有回应。
如果仅仅是当为双稳态开关（也就是普通的开关），为何必须要用10KHZ的方波脉冲去驱动？
如果是当为脉冲开关，你这样的电路结构又怎么能够稳定可靠工作？

Watt

回复 57# 路遥plus

我也不是很明白电路，我的目的就是有一个开关（10KHz级的），控制一个100V的直流电的开通与断开。目的就是这样简单。双稳态开关与脉冲开关的概念我不太分得清楚。

Watt

回复 54# fysy

谢谢回答，IGBT与驱动不共地，驱动的地接在IGBT的发射极上。晶体管图腾的方案上网看明白了，就是上导通下截止，下导通上截止，那我现在用MOS管也是上导通下截止，下导通上截止的工作方式，难道与用晶体管方式不一样？另外负载不能移到上面，必需在下面。

wugangwh

从图片上看，管子烧炸了，说明有极端的过热现象，并非简单的击穿。

应该检查波形，看看IGBT是否工作在开关状态，有没有自激等异常情况。