画了一个迷你运放线路放大器，请各位老师点评一下

xh370105

yxu2018 发表于 2026-8-13 16:04
如果说电容隔直，那么是C101与R101形成高通网络，
根据目前的C101取值220nf，R101取值100K，高通频率是7 ...

我还说错了，隔直电容和电阻的取值是完全相反的，你要注意一下。
隔直电容容值越大越好才对。
差一点误 导人了。

yxu2018

xh370105 发表于 2026-8-13 16:42
我还说错了，隔直电容和电阻的取值是完全相反的，你要注意一下。
隔直电容容值越大越好才对。
差一点误 ...

嗯嗯，我明白，隔直电容取值理论上是越大越好，但是实际上并非如此，
因为各种电容的材质会影响电容的性能，目前已知用于音频耦合性能比较好的电容材质是CCB，
但是采用ccb电容时，受到体积的限制，无法使用比较大的容量，因此需要精打细算。

xh370105

yxu2018 发表于 2026-8-13 16:55
嗯嗯，我明白，隔直电容取值理论上是越大越好，但是实际上并非如此，
因为各种电容的材质会影响电容的性 ...

CBB哪里好了，最关键的是材质，你用C0G陶瓷贴片电容就远超CBB了。

yxu2018

xh370105 发表于 2026-8-13 16:59
CBB哪里好了，最关键的是材质，你用C0G陶瓷贴片电容就远超CBB了。

刚刚看了53楼老师推荐的资料，TI的模拟电路专家实测的结论，
在音频信号耦合通路，聚丙烯薄膜电容的性能是优于NPO/C0G电容的，
看来明天我要把输出电容也改为聚丙烯薄膜电容的封装和脚距。

xh370105

yxu2018 发表于 2026-8-13 17:37
刚刚看了53楼老师推荐的资料，TI的模拟电路专家实测的结论，
在音频信号耦合通路，聚丙烯薄膜电容的性能 ...

音频耦合电容方向我倒是不清楚，就高频损耗来说，cbb电容高频连x7r材质的高压瓷片电容都不如，更别说np0材质的高压瓷片电容和银云母电容了。我电源里的cbb电容逗换成了高压瓷片电容了。

xh370105

yxu2018 发表于 2026-8-11 16:41
我第1版就是就把所有接地都放在底层，
以电源地为基准点，输入地在电源地左边，输出地在电源地右边，各 ...

CBB电容在20Khz以内音频段确实是损耗角最低的，超过1Mhz就不行了，损耗角极速上升。C0G陶瓷贴片电容，20Khz以内损耗角比cbb电容大一点，但是1Mhz以上，C0G陶瓷贴片电容损耗角就比CBB电容低的多了。

xh370105

xh370105 发表于 2026-8-13 20:34
CBB电容在20Khz以内音频段确实是损耗角最低的，超过1Mhz就不行了，损耗角极速上升。C0G陶瓷贴片电容，20K ...

前级板耦合电容对低频的影响大对高频的影响小，确实CBB电容最合适。

xh370105

xh370105 发表于 2026-8-13 20:37
前级板耦合电容对低频的影响大对高频的影响小，确实CBB电容最合适。

电容寄生参数对低频影响小，C0G贴片陶瓷电容寄生参数比cbb电容好的多，但在低频方面用处不大。

yxu2018

第10版

1.既然已经确认耦合电容采用聚丙烯薄膜电容性能比较好，
那么输入耦合电容采用MKP铜脚薄膜电容224J/100V，脚距5mm

2.输出耦合电容也改用MKP铜脚薄膜电容2.2uf/63V，脚距5mm
预期后级功放的输入阻抗不会低于10K，那么输出电容取值2.2uf的话，
按10K欧的输入阻抗计算，高通频率为7.23Hz，参数能满足实际需求。

xh370105

你最好都尝试一下，退藕电容到底是电容容值重要还是低频曲线平滑重要。50v470uf无极电解电容，规格13*21mm，引脚直径0.6mm。用耳朵收货就可以，喜欢哪个就用哪个，对低频来说，电容的寄生参数并不十分重要。

xh370105

你原理图上C104、C105这两个100nf电容是非常影响低频的，最好能大则大，我的前级板有自激正负30v的电压，装不了25v1000uf的无极电解电容，受到焊盘限制，才装了50v470uf电容的。

yxu2018

xh370105 发表于 2026-8-14 15:13
你原理图上C104、C105这两个100nf电容是非常影响低频的，最好能大则大，我的前级板有自激正负30v的电压，装 ...

退耦电容分为高频退耦和低频退耦两部分，
高频退耦标配容量就是100nf，关键之处是必须尽量靠近芯片的引脚，
低频退耦的容量可以从10uf到100uf之间选取，我选了22uf贴片陶瓷电容，性能比电解电容好得多。

yxu2018

xh370105 发表于 2026-8-14 15:13
你原理图上C104、C105这两个100nf电容是非常影响低频的，最好能大则大，我的前级板有自激正负30v的电压，装 ...

退耦电容的关键是位置和材质，也就是要速度快，能量够。
1个运放的退耦电容，容量搞到1000uf应该没有意义，大电容的速度会比较慢。

xh370105

yxu2018 发表于 2026-8-14 15:29
退耦电容分为高频退耦和低频退耦两部分，
高频退耦标配容量就是100nf，关键之处是必须尽量靠近芯片的引 ...

说实话，你的22uf贴片陶瓷电容和电解电容就低频来说，真好不到哪里去。470uf电解电容自谐振频率是200Khz,能够更好的覆盖500hz以下的低频滤波。22uf贴片陶瓷电容自谐振频率1Mhz，无法覆盖低频频率。

这是百度的。
470uf电容和22uf电容，哪个更适合500hz以下滤波
470μF电容更适合500Hz以下的低频滤波场景‌，二者在该频段的滤波性能差异显著，核心原因如下：
核心滤波性能对比
容抗特性‌：500Hz下，470μF电容的容抗约为0.68Ω，22μF电容的容抗约为14.5Ω，大容值电容在低频下阻抗更低，对50Hz、100Hz这类工频低频纹波的旁路效果远优于小容值电容。
典型应用匹配‌：工程中1kHz以下的低频滤波（如电源整流后的工频纹波滤除），主流选型容值范围为100μF~1000μF，470μF完全落在该适配区间内，而22μF更适合中等负载下的高频噪声平滑，无法满足500Hz以下的深度滤波需求。

xh370105

yxu2018 发表于 2026-8-14 15:33
退耦电容的关键是位置和材质，也就是要速度快，能量够。
1个运放的退耦电容，容量搞到1000uf应该没有意 ...

退藕电容的关键是滤除低频干扰，你搞错了，和中高频一点关系都没有的。

xh370105

yxu2018 发表于 2026-8-14 15:29
退耦电容分为高频退耦和低频退耦两部分，
高频退耦标配容量就是100nf，关键之处是必须尽量靠近芯片的引 ...

你的100nf和我用的前级板原版100nf，容值一样，有可能位置不一样，那确实就不好说了。

yxu2018

xh370105 发表于 2026-8-14 15:56
说实话，你的22uf贴片陶瓷电容和电解电容就低频来说，真好不到哪里去。470uf电解电容自谐振频率是200Khz, ...

退耦电容不是主滤波电容，我的主滤波电容在电源模块上，容量是4700uf，
电源模块上还有LM317和LM337组成的线性稳压电源，电源纹波已经压制到很小了。

xh370105

yxu2018 发表于 2026-8-14 15:33
退耦电容的关键是位置和材质，也就是要速度快，能量够。
1个运放的退耦电容，容量搞到1000uf应该没有意 ...

只要不超过1000uf就没事，我用过2200uf，是真不能用，信号会有延迟。

zfl1211

yxu2018 发表于 2026-8-13 16:04
如果说电容隔直，那么是C101与R101形成高通网络，
根据目前的C101取值220nf，R101取值100K，高通频率是7 ...

既然是高通，R=100K，C=220P，其截止频率为7.23KHz。意味着大于7.23K的信号部分入地了，对高频是有影响的。可取47K\100P,前面串一个2.2K电阻更好

zfl1211

yxu2018 发表于 2026-8-14 15:33
退耦电容的关键是位置和材质，也就是要速度快，能量够。
1个运放的退耦电容，容量搞到1000uf应该没有意 ...

还有退耦，退耦电容前，电源串一个几欧的电阻再退耦，效果更好。电容47uf就差不多了，再并一个0.01uf的薄膜电容