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发表于 2026-8-13 12:42 | 显示全部楼层
本帖最后由 xh370105 于 2026-8-13 12:55 编辑
yxu2018 发表于 2026-8-13 12:19
你好,落地电容220p,截止频率应该是看前面的信号源的内阻,与这个100K的落地电阻无关,
因为这个100K落 ...


落地电阻的补偿电容和落地电阻的阻值就是有关的,影响高频的,我测试过会不知道吗,这是我现在用的平衡输入输出前级板的电路,是我自己修改的。一开始我使用的是原版电容47pf,发现高频表现不行,接着就改成了5pf,发现高频表现比47pf更好,47pf和5pf材质都是一样的,都是x7r材质的3000v高压瓷片电容,最后就索性改成1pf了。
改版电路
无标题.jpg
原版电路
无标题1.jpg

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发表于 2026-8-13 12:49 | 显示全部楼层
yxu2018 发表于 2026-8-13 12:23
负反馈的超前补偿电容,100P只是预设的容量,实物会根据实测的情况决定加不加这个电容,
如果需要加的话 ...

需要加的容量范围应该是1pf到79pf之间才对,能不加自然是最好的,电路不稳定才需要加。

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 楼主| 发表于 2026-8-13 12:51 | 显示全部楼层
xh370105 发表于 2026-8-13 12:42
落地电阻的补偿电容和落地电阻的阻值就是有关的,影响高频的,我测试过会不知道吗,这是我现在用的平衡 ...

我觉得你对低通滤波的拓扑结构理解错了,你贴出的原版电路图中,R1与C1才构成低通网络,
而R3与C1是不构成低通滤波的。

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 楼主| 发表于 2026-8-13 12:59 | 显示全部楼层
xh370105 发表于 2026-8-13 12:49
需要加的容量范围应该是1pf到79pf之间才对,能不加自然是最好的,电路不稳定才需要加。

嗯嗯这个我同意,双运放都有内部补偿的,如果电路实测没有自激振荡就不用加超前补偿电容。

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 楼主| 发表于 2026-8-13 13:03 | 显示全部楼层
xh370105 发表于 2026-8-13 12:09
你的参数不对啊。R101等于100k,C102等于220p,截止频率是7.23Khz。已经严重影响高频了,截止频率必须要 ...


你计算的100K电阻加220p电容,截止频率是7.23Khz,是把100K电阻当成与220P电容串联的低通网络,
但是,实际上,这个100K电阻不是与220P电容串联的,而是并联的,因此不构成低通滤波网络。
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发表于 2026-8-13 13:10 | 显示全部楼层
yxu2018 发表于 2026-8-13 12:51
我觉得你对低通滤波的拓扑结构理解错了,你贴出的原版电路图中,R1与C1才构成低通网络,
而R3与C1是不构 ...

我以为和落地电阻形成滤波电路来着,真不是那不改也没事。

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发表于 2026-8-13 13:34 来自手机端 | 显示全部楼层
xh370105 发表于 2026-8-13 13:10
我以为和落地电阻形成滤波电路来着,真不是那不改也没事。

但是计算公式给出的答案和我的听感一致啊。1500k电阻,47pf电容,截止频率是2.26Khz,严重影响高频。5pf电容,截止频率是21.2Khz加上损耗轻微影响高频。1pf电容,截止频率是106.1Khz,不影响高频。我还装过10000v3pf的np0材质的高压瓷片电容,高频表现不如现在的500v1pf银云母电容。我还是觉得你应该用两个电容对照一下比较好,一个是现在的220pf,一个是小于79pf,真没区别那就不用管了。

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发表于 2026-8-13 13:37 来自手机端 | 显示全部楼层
yxu2018 发表于 2026-8-13 13:03
你计算的100K电阻加220p电容,截止频率是7.23Khz,是把100K电阻当成与220P电容串联的低通网络,
但是 ...

我还是觉得你的说法不对,那ne5532的反馈电阻和补偿电容难道就是串联的吗,也是并联的。落地电阻和220pf也是并联的,一模一样的构造的。

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 楼主| 发表于 2026-8-13 14:33 | 显示全部楼层
xh370105 发表于 2026-8-13 13:37
我还是觉得你的说法不对,那ne5532的反馈电阻和补偿电容难道就是串联的吗,也是并联的。落地电阻和220pf ...

反馈回路的补偿电容工作原理与低通滤波不一样,
反馈电容并联在反馈电阻两端,相当于高频分量不经过反馈电阻,直接进入运放反相端,
目的是让高频分量的负反馈量更大,运放对高频的增益就会下降,就可以消除高频自激。

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 楼主| 发表于 2026-8-13 14:36 | 显示全部楼层
本帖最后由 yxu2018 于 2026-8-13 14:37 编辑

第09版
1.顶层输入耦合电容增加了一个脚距5mm的薄膜电容焊盘;
2.底层退耦电容增加了一对封装为1206的22uf的陶瓷电容;
3.供电改为从底层走线,先经过退耦电容的焊盘再进运放引脚;
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