关于用两颗功率MOS管背靠背替代喇叭保护器继电器

qsj8889

无语密码 发表于 2026-8-17 11:52
你做的必须有压降。我做的就不能有。如果要求很高，还得把保护电路的线内阻一起考虑，包括保险丝内阻。
...

先把可控硅的原理搞清楚，用于HIFI的喇叭保护真不行的，小信号失真太大，有过零失真。

无语密码

qsj8889 发表于 2026-8-17 20:17
还真不了解可控硅用于同步整流的，开关速度太慢了。

我在广西科学院就是这样玩的。2个晶闸管控制220V的输入电压 。2欧的氮化硅加热器，既要控制输入电压，也要恒温。能恒温就可以了，有必要讲究速度吗？50HZ的交流电，工程师都不怕，我们管它做什么？

无语密码

qsj8889 发表于 2026-8-17 20:20
先把可控硅的原理搞清楚，用于HIFI的喇叭保护真不行的，小信号失真太大，有过零失真。

这种几十年前的硅图，真没必要翻出来。我都说了，你做的保护器，必须有0,8V的饱和压降。只有我做的才不会有。对我来说，即使是保险丝，电阻都大了。如何解决保险丝电阻问题，你也解决不了，所以更解决不了可控硅压降问题了。再说20年前就已经实现了的，你也没必要去怀疑我的能力。如果我打算做一个保护器，可能会提供图，。对我来说传统的保护器都会损伤信号

qsj8889

无语密码 发表于 2026-8-17 22:06
我在广西科学院就是这样玩的。2个晶闸管控制220V的输入电压 。2欧的氮化硅加热器，既要控制输入电压，也 ...

这个是可控硅功率调节，控制导通角达到调整功率实现恒温。这是可控硅最基础的应用

qsj8889

无语密码 发表于 2026-8-17 22:20
这种几十年前的硅图，真没必要翻出来。我都说了，你做的保护器，必须有0,8V的饱和压降。只有我做的才不会 ...

背靠背MOS管代替继电器，导通压降基本只跟MOS管的Rds有关，你用Idm300A,Rds才1毫欧的MOS管实验一下，20A时看有没有0.8V的压降。

zxhdoop

模拟开关低失真最重要的是导通电阻（On）平坦度，有测试数据就好了。

无语密码

zxhdoop 发表于 2026-8-18 17:18
模拟开关低失真最重要的是导通电阻（On）平坦度，有测试数据就好了。

如果·能·接受·电子音量，就能接受模拟开关。所以得看功放的来历
如果功放有设计要求的。就意味不能接受电子音量和模拟开关

20年前设计一个功放，就有又这要求，。所以保护电路是不能有保险丝，也能接继电器。否则功放的指标就达不到。
功放是按60A输出设计的，如果线路有0.1V的耗损，就会列入失真处理，这失真值就超大了。如果是仿真，失真就是0，相差超远。
多半功放是做出来的，没那些指标要求，所以用模拟开关不会有任何影响，也无需要求太高，价格低就可以了

榆木耳朵

zxhdoop 发表于 2026-8-18 17:18
模拟开关低失真最重要的是导通电阻（On）平坦度，有测试数据就好了。

驱动电压够的话，问题不大

无语密码

榆木耳朵 发表于 2026-8-18 17:58
驱动电压够的话，问题不大

资料不全

毛毛虫

榆木耳朵 发表于 2026-8-18 17:58
驱动电压够的话，问题不大

这MOS管导通电阻够低
普通DC12V小型继电器，20A、30A的，触点接触电阻都有几十毫欧姆吧。

无语密码

有时候N就是P，P就是N.。
只做导通考虑时，是双向的，只是，官方不会给出安全数据。我们只能认为正反都一样而已。或借仿真数据来参考

摇滚铁心

没见过可控硅做的扬保电路，谁发一个来看看

99990000

继电器保护和电子场效应管保护各有优缺点。
继电器：成本低，电路可靠性久经考验。
普及率：很高，从几十万到几十元（我DIY）的功放都在用。
缺点：继电器接触电阻会氧化增大甚至接触不良。
电子场效应管：架构复杂，成本高。可靠性未知。
导通电阻在生命周期几乎不变。
普及率：很低，几乎都是DIY在用，成品厂家釆用凤毛麟角。
缺点：场效应管选择有局限性，开启电压、驱动电平、输入电容、耐压都不一样。
输入电容大了影响音质间接影响导通、关闭速度，不有驱动电平的匹配。
总而言之比较复杂。

99990000

摇滚铁心 发表于 2026-8-19 09:34
没见过可控硅做的扬保电路，谁发一个来看看

专业功放。

榆木耳朵

榆木耳朵 发表于 2026-8-18 17:58
驱动电压够的话，问题不大

阈值损是输出电压高时，源极电压接近栅极电压导致VGS变小MOS进入线性区，使用固定供电电压的集成模拟开关会发生这种情况，所以用CMOS。分立元件的模拟开关VGS可以使用悬浮电压驱动，不管源极是什么电位，VGS电压始终不变，Rds(on）是非常稳定的。

无语密码

摇滚铁心 发表于 2026-8-19 09:34
没见过可控硅做的扬保电路，谁发一个来看看

下个月有时间就发，它适合配高阻尼系数的功放。

无语密码

毛毛虫 发表于 2026-8-19 08:56
这MOS管导通电阻够低
普通DC12V小型继电器，20A、30A的，触点接触电阻都有几十毫欧姆吧。

MOS管可以用超大电流的，那继电器为什么就不能用超大电流呢？当然功放不配使用才是关键点。

关键是20毫欧姆通0.9mA电流时的电压仅仅是18微伏。而MOS管就高达400微伏，如果是串联的就更高达800微伏，。所以使用1W的失真度是很高的。这种交越失真也是可以接受的。如果是耳放就更难以接受这种失真了。正因为失真明显，才加装了高频失真补偿。
如果将保护器接到功放的输出端，再用仿真，失真度估计已经不能接受了。

lter15

毛毛虫 发表于 2026-8-19 08:56
这MOS管导通电阻够低
普通DC12V小型继电器，20A、30A的，触点接触电阻都有几十毫欧姆吧。

几十毫欧不能用了，
实测就是几个毫欧

zxhdoop

榆木耳朵 发表于 2026-8-19 14:54
阈值损是输出电压高时，源极电压接近栅极电压导致VGS变小MOS进入线性区，使用固定供电电压的集成模拟开关 ...

是使用光伏光耦驱动吗？信号负周期会增加失真吗？我没研究过不清楚。CMOS传输门用分立件无法实现找不到衬底和源极分离的4端MOS。on图找不到关于负信号的曲线图。

榆木耳朵

zxhdoop 发表于 2026-8-19 15:55
是使用光伏光耦驱动吗？信号负周期会增加失真吗？我没研究过不清楚。CMOS传输门用分立件无法实现找不到衬 ...

用光伏光耦，变压器隔离供电，自举供电都可以。
MOS管是控制沟道宽度导通，两个方向电流都可以通过，只要导通压降不超过体二极管，VGS电压够高，双向电流就是对称的。
用分立器件做CMOS门其实可以考虑低压氮化镓管，某些型号可以直接做双向开关。