关于用两颗功率MOS管背靠背替代喇叭保护器继电器

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anmon 发表于 2026-7-30 09:57
记得有说法，这种电路声音比较闷。也是坛子里看到的。
没有实作过，不知具体咋样

我的天，这也能听出来区别真的是金耳朵，神人

forsli@163.com

qsj8889 发表于 2026-7-30 12:03
你这个设计有点问题，EG3001的供电电压太低了，MOS管驱动不完全。MOS管并管太多，不如用单个超低RDS管

您说的很对，因为当时手上现有的材料，只有5V的DC-DC，可选的MOS低开启型号太少。您在4楼贴的图纸的MOS型号就很好。如果是现在重做，可能我会用GAN试一下，例如INN100EBD018

牛哥

早就想搞这个了，跟豆包聊天，推荐了这个管子：

### EPC2361（首选）

- Vds：100V
- 典型 Rds (on)：**1.0 mΩ**（完美贴近目标）
- Ciss ≈ 750pF，Qg 极低，无反向恢复
- 封装：QFN 3×5mm（贴片）
- 优势：**同等 Rds (on) 下，输入电容远低于硅 MOS**；适合音频低速开关，栅极驱动功耗很小
- 短板：贴片，DIY 搭板不方便；增强型 GaN，Vgs 阈值～1.4V，驱动 0~5V 即可，不能超过 6V！

lin889889

我用ASSR-V621驱动4只国产的E100N1P5OH1用于300W/8Ω功放，已做了三台了，没任何问题。其中一台功放发生正电源保险丝意外烧断时，很好地保护了喇叭。
另外开关MOSFET我觉得用普通硅器件为好，便宜耐用。完全不用担心寄生电容太大的问题。