说来奇怪,这个帖子沉一段时间,被翻出来一回,上次是3整年,这次是1整年,无非说我如何不懂,确实很烦。很多回帖都是车轱辘话翻来覆去,实在没什么新意了。
您觉得争论焦点在那里,但是确实真不在那。其实287L第3段说得很直白。对所讨论的话题上,您是少有的几个明白人,你我看法不同的地方小到不值一提,但是无论是否出于感情原因,我知道在立场上却跟我不在一起。之前曾经反思过,不知道是自己的态度还是什么其它原因。对年纪大的保持尊重,交流中有些言语我尽量保持克制,我自然也希望得到平等对待。正常叙述之外的话尽量少讲,这一方面是为了别人,也为了自己。我很珍惜这里提供的平台,更珍惜能在这里能讲点自己喜欢话题的机会。扯远了。
您说的不饱和区放大,这应该不是问题,毕竟您也同意四管机的第一级、第二级都工作在不饱和区的说法,可以放大是事实存在的。但是这称不上原理上的颠覆吧,更不存在某人口中所谓传统教科书都不知道JFET真正的工作区在哪里的说法。
还是不说工作区,一说都想头撞墙,爱叫啥区啥区吧,因为某人说的工作区压根就不是你我所说的工作区概念,这里只说共源极放大器的工作状态。
一个JFET,说到底是一个压控电流源器件,要么压控电阻,要么压控恒流源,二选一,说到这里请您一定先放下Vp是不是定值的事情,是与不是无所谓,大不了临界点处的功能模糊一点,在整个帖子里也这不是重点。
还有看到您写的UGS或者UDS,有点心虚,请暂时忽略大小写、正斜体的差别可否?论坛里还是写Vgs顺手。
言归正传,Vgs的变化导致Id的变化,即ΔVgs => ΔId,那么放大倍数就可以用ΔId/ΔVgs来表述,在负载电阻Rd上引起电压变化,而ΔId/ΔVgs不就是JFET的跨导Gm嘛。
输入曲线是弯曲的,输出曲线是有疏密变化的(该死的又说到这里,这两个说的压根就是一个意思,本来说一个就足够了,为什么偏有人把输出曲线说的一无是处呢),所以Gm是变化的。对照输入曲线来看,还可以参考286L给的图,看得出来Id大的时候Gm大,Id很小的时候Gm也小。如果图表数据足够,Gm完全可以计算出来。前边的帖子里记得说过这个。
由于设计出发点不同,选取的静态工作点或大或小。
如果静态电流选取的小,那么ΔId也相对较小,这时候还想达到相同的输出电压摆幅,在噪声可以接受的前提下,那么增加漏极电阻Rd就能达到目的。
放大倍数就可以写成Gm*Rd,考虑到相位可以显得“薛薇”(借岳云鹏语皮一下)严谨一点,电路的电压放大倍数Av就可以写作
Av = - Gm * Rd = - ΔId / ΔVgs * Rd,
这个公式很粗略,也很想当然,但是原理上还说的通吧?
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