有关“结型场效应管JFET”的那些事

xbass

hulx 发表于 2018-12-18 15:02
无理也无礼，也罢。

本来在谈技术，跟着你的节奏饱和区说完了，我说的估计你也没看，前面扯"你们内部"，现在开始扯道德了？

我看完你的贴子，认为LZ技术原理很精湛，但是认为你对四管机有误解，原本是本着技术讨论来的，现在看来也没必要继续下去了。

dpml

牛哥 发表于 2015-6-4 11:28
因为比较喜欢FET管，之前也看了一些资料，做了一点测试和试验，也来说说自己的看法，不一定对，欢迎探讨 ...

根据图上标出的电压值，粗略计算一下静态工作点。我觉得如果要进入可变电阻区域，静态Vds必须足够小，因此我猜想第一级和第二级肯能在可变电阻区域。各位什么意见？请指点。
另外，看到有一个言论飘过，这个区域会使得偶次谐波增多，不知道这个问题各位怎么看？我认为这个问题很有价值。

hulx

这是牛哥于56L引用的一张图，我贴在这里。



我做的实测工作点跟这个差不多，可能大部分做成功的都差不多，1、2级工作在什么工作区自行判断。

我看到xbass在219L、222L里面提到的第一级工作点，眼睛一亮，确实在恒流区（饱和区），Vds那么大，可是我没做到。想请教各位，实际做过的除了xbass，还有谁做到了。

我在230L里面说过，如果我当初做出来的工作点如xbass所说，这个帖子根本不存在。

JFET工作区，还是那句话，或者可变电阻区，或者恒流区（饱和区），二者必居其一。至于夹断区和击穿区，那不是正常的工作区。

在恒流区，不管电流Id是小还是大都是恒流区，至于网友说的靠近夹断区的C区，那也是恒流区。C区也满足Vds足够大，但是前面图里的Vds才0.x伏肯定不够条件。甚至把C区叫预夹断区也无所谓，但是它不像某些人说的这里才是真正的恒流区，又引申为这里才是JFET真正的工作区，而只要电流大一点就落入可变电阻区。

预夹断究竟是什么？顶楼第二、三张图，放在下边：




Vgs固定，Vds从0逐渐加大，漏极侧耗尽层变宽，相对的导电沟道变窄，这时Id随Vds线性正比变化，DS极体现出电阻特性，Vgs决定电阻值，是为可变电阻区，即图1.4.4的（a）。对应图1.4.5输出特性的预夹断轨迹的左边部分。

Vds继续加大，直至漏极侧耗尽层碰上，发生了预夹断，即图1.4.4的（b），对应图1.4.5输出特性的预夹断轨迹的一个点。

Vds再加大，耗尽层自漏极侧变长，这时Id不再跟随Vds的变化，发生了饱和，这是两种作用的结果，见图中对应叙述。即图1.4.4的（c），对应图1.4.5输出特性的恒流区。

预夹断时，Vds=Vgs-Vp。

其重要性在于，它是电阻区和恒流区的分水岭，换言之，这是判断一个JFET工作区的判据，Vds>Vgs-Vp是恒流区，Vds<Vgs-Vp就是电阻区。

hulx

dpml 发表于 2018-12-18 17:19
根据图上标出的电压值，粗略计算一下静态工作点。我觉得如果要进入可变电阻区域，静态Vds必须足够小，因 ...

我认为你说的工作点分区对。

dpml

最好老刘自己出面说一说，为什么第一级设计的静态工作点在这个位置（我已经没法描述这是哪一个位置了，因为电压太小，电流太小），究竟是什么奥妙。

牛哥

dpml 发表于 2018-12-18 17:19
根据图上标出的电压值，粗略计算一下静态工作点。我觉得如果要进入可变电阻区域，静态Vds必须足够小，因 ...

    我在56楼已经很清楚的表明了自己的看法，不应该绝对的划分什么区，电路确实有放大作用，我不会去纠结到底哪个区叫什么。
    而且从测试的管子特性曲线放大一些来看，如果在U-DS很小的时候，很有可能进入那段最左侧的弯曲区，在那个区域的曲线是接近竖直的倾斜（类似理想的电子管中的三极管特性曲线），跟右侧曲线的几乎平直（类似理想的电子管五极管特性曲线）完全不同。因为二者的曲线不同，当然放大电路出来的声音会是不一样的，这也正常。

dragon7314

牛哥 发表于 2015-6-7 21:29
是的，您提供的资料很好。
刘老一开始也提到到了“弱小信号的放大”，从我在前面的做出来的负载线，就可 ...

刘老的说法是正确的，这个电路的每一级的静态工作点应该在直流负载线偏左的部分，原因是交流负载要并联后级输入电阻导致负载线斜率变化。

牛哥

dragon7314 发表于 2019-5-4 19:06
刘老的说法是正确的，这个电路的每一级的静态工作点应该在直流负载线偏左的部分，原因是交流负载要并联后 ...

我不想参与什么感情的争论，但是技术问题是乐于加入的。
别的就不说了，看看这个常见的放大电路，您看看Q1的U-DS电压能有多大？电路有没有放大作用？自己要不断的完善自己的认知，才能去挑战更高的层次。

牛哥

dragon7314 发表于 2019-5-4 19:06
刘老的说法是正确的，这个电路的每一级的静态工作点应该在直流负载线偏左的部分，原因是交流负载要并联后 ...

    或者再补充一下，下面这个管子是V-FET，工作的U-DS比较高，但是与普通的J-FET的最左侧的曲线是不是有一些类似？刘老的电路在公开的时候，我是第一批看到的，而且也是我第一个把刘老截图文件太大，经过处理之后发到某个论坛的，这里不是第一次发论坛的网站。如果作为研究的眼界再开阔一点，作为技术研究的心胸再广博一点，作为为人再和善一点。。。。。。。那么很多问题其实就不是问题。
   

牛骑兵

再坚持12天，就可以搞个本帖的四周年纪念活动了。

牛骑兵

楼主在243楼所引用的图是教材内容，与实际的工作情况有一点点小区别。

实际上，14.4（a）才是所谓的预夹断区，也可以称为过渡区。这个区域的特点是因为Vds的提升，D端与G端产生的耗尽层加厚，导致沟道宽度变窄，导通电阻明显增加，在传输特性上对应于曲线的转折部分；

14.4（b）是夹断点，此时管子已经表现出恒流特性，进入沟道夹断状态了，可以认为与14.4（c）是相同状态，只不过Vds电压不同而已；

线性区（可变电阻区）的特征是Vdg足够小，两者所产生的耗尽层对于沟道形状影响不大，使得沟道表现出完全受Vgs耗尽层控制的导通电阻特性，图中没有表示出来；

至于截止区（夹断区）的状态，可以近似认为是把14.4（c）中的D、S极对调的情况。

dragon7314

牛哥 发表于 2019-5-4 21:16
我不想参与什么感情的争论，但是技术问题是乐于加入的。
别的就不说了，看看这个常见的放大电路，您看看 ...

嗯，应该在这个论坛探讨一些问题。这个电路我也是前几天才看到的，之前没逛这个版块。我正在整理所有关于这个电路的帖子。我之所以对这个电路感兴趣，原因是颠覆了我原来对场效应管的认识，因为工作区设置在一个之前我没关注的区域。
另外，我想问问牛哥，你的SIT（或者VFET）的产品信息在哪里可以查到，比如我想查SIT（或者VFET）有哪些型号，我通过百度查，几乎查不到。

牛哥

dragon7314 发表于 2019-5-4 23:47
嗯，应该在这个论坛探讨一些问题。这个电路我也是前几天才看到的，之前没逛这个版块。我正在整理所有关于 ...

关于SIT管，我关注有差不多10年了，积累的一些资料基本都在脑子里了，很容易理解的比喻就是：V-FET相当于电子管的三极管，J-FET相当于电子管的五极管，这样很多的知识就可以迁移过来了。
现在网络查资料是真的苦难了，如果公司有自己的VPN，可以用狗狗来查，也是资料最全的。但是我是没有这个条件，所以就只能用国内允许使用的搜索引擎：必应。
https://cn.bing.com/

dragon7314

牛哥 发表于 2019-5-4 23:53
关于SIT管，我关注有差不多10年了，积累的一些资料基本都在脑子里了，很容易理解的比喻就是：V-FET相当于 ...

谢谢了，我尝试查一下

gzywq

学习中

liushuliang

十年前出于好心，推荐了JFET四管前级给大家玩。可推出以后也引起了不少议论。论坛上似乎绝大多数人都说第一级第二级是设置在可变电阻区，理由是看了JFET的输出特性曲线的理解。记得前几年也有个大学物理老师，约我去他的实验室，验证了一下JFET的电压放大工作区到底在哪里。做了实验，那个老师说，看来我很对不起我的学生，一直以为预夹断点左面是可变电阻区，右面的平行线饱和区。从来没有人来纠正过，这样以错教错那么多年，真是罪过。其实也不怪这个老师，社会上那些教科书也真是粗枝大叶，就是那么写的。JFET用得也少，从来没有想到这样的定义是很片面的。
加上平时都接触晶体管，电流小到截止区，电流大到饱和区，中间都是放大区。这样套用到JFET管子上就会理解出…错。JFET是单极性管，DG与SG呈二极管状态，有相对称的特性。输出特性曲线看到的，是Vds逐渐升高，Ids从0电流逐渐上升的曲线变化，一旦Vdg电压达到夹断电压Vp，可变电阻区这条斜线指示的电流流，将不再线性增大，而是拐头按水平方向延伸，电流变化越来越小，这就是JFET的后预夹断饱和区。在这个输出特性曲线图上很难看出JFET的前预夹断饱和区。我们可以通过转移特性曲线来看前预夹断饱和区到底在哪里。转移特性曲线是固定Vds=＋10V，Vsg与Ids之间关系，Vsg=0时，Ids=管子的Idss，Vsg加负电压后，Ids按线性减小，成一条笔直的斜线，当Vsg负到接近Vp，电流减小变得越来越缓慢，最后拐弯沿着水平方向延伸，直到Vsg=Vp完全夹断，电流为0,这一段就是前预夹断饱和区。也是JFET作为微信号放大的电压放大区。电流是微安级别的，一般情况下在160ua到0之间。

liushuliang

有人说转移特性曲线上根本看不出鲍和区，那是图画得不准确。你可以测量一个管子，将Veg对应的aid,画一个转移特性曲线，我相信就一目了然。

liushuliang

Vsg对应的Ids画个转移特性曲线(上面写得有錯更正）

wwwtttwww

估计楼主没有读活书，没有考虑到在很微的Id时，Vds可以很小，Jfet 也可处于饱和区工作。
另外，楼主所引用的根据，jfet的输出曲线中饱和区和可变电阻区的虚线也就是原理性地随手一画，不精确。

hulx

liushuliang 发表于 2020-5-29 19:30
十年前出于好心，推荐了JFET四管前级给大家玩。可推出以后也引起了不少议论。论坛上似乎绝大多数人都说第一 ...

都好几年没人翻这个帖子了，看来还是放不下。之前您在论坛与我私信，突然有一天私信里说了很多与您年龄不相符合的话，说是气急败坏一点不过，然后关闭我的消息权限，操作都很6，转眼又是几年过去，不提也罢。提几个问题，愿意回答就请直接：

1、您如何理解“可变电阻区”的可变？

2、讨论的话最好不自创名词，以前是“预夹断区”，现在是“前预夹断饱和区”、“后预夹断饱和区”，而且回帖中这两个名词叙述前后是矛盾的，拐点的左还是右，说明或者标识一下可否？

3、按照回帖叙述，画了2个图，知道您一直理解的转移特性曲线就应该是左边那样的曲线，那个拐弯右侧的是电阻区，左侧的就是您说的恒流区、放大区、预夹断区。如果很不幸，有一个JFET曲线如后面那个图了，是否就没有电压放大区了呢？

4、转移特性曲线，为什么设定条件Vds=10V？
如果管子耐压足够，Vds=20V行不行？
假如一只3DJ6，Vp=-5V，画一条Vds=2V的转移特性曲线，那么这条曲线代表了什么？

5、转移特性曲线可以从输出特性曲线上得到，方法参见本帖23楼Q&A第6条，那么反之可以吗？

6、

JFET是单极性管，DG与SG呈二极管状态

JFET里面两个二极管状态的东西，能用万用表测一下看看吗？