谁来谈谈BJT功放管 vs MOSFET功放管，不讲听感，只讲参数。

minor

docmd 发表于 2022-7-20 10:08
仿真相反，摸死管普遍比BJT失真更大，不信你试试。但是摸死管带负载能力远比BJT强，重负载失真比BJT小。

thd没有意义。具体到二次多少，三次多少，高阶多少，才有意义。

locky_z

BJT在发射极串联一个电阻，可以将跨导降低到和MOSFET一样（也就是Vbe-Ic曲线和Vgs-Id曲线平行），
但串联发射极电阻后的“等效Vbe-Ic”曲线的线性比MOSFET好很多。比原生Vbe-Ic曲线的线性好上几个数量级。
也就是说BJT有足够的余量施加局部负反馈改善自己的线性。而FET能施加局部负反馈的空间不是很足。


另外MOSFET的结电容其实不用太关注，因为通常你在音频上使用是跟随器模式，跟随器电路没有米勒电容效应。
而工业应用通常是漏极输出，开关输出，有增益的，因此其等效米勒电容会很大，此时就需要大得多的前级驱动电流才能驱动得起MOSFET。

docmd

locky_z 发表于 2022-7-22 11:29
BJT在发射极串联一个电阻，可以将跨导降低到和MOSFET一样（也就是Vbe-Ic曲线和Vgs-Id曲线平行），
但串联 ...

把e极电阻短路后就能听到音质明显上一个档次，比换电容更明显。所以2022M把静态电流调好后就把S极电阻短路，音质可以把多管并联大制作一脚踢到收购站。

locky_z

docmd 发表于 2022-7-22 11:39
把e极电阻短路后就能听到音质明显上一个档次，比换电容更明显。所以2022M把静态电流调好后就把S极电阻短 ...

如果你会分析电路的话，你的2022M电路，功率管上管的发射极电阻，根本不起到任何负反馈作用的。
下管的发射极电阻，就起到负反馈作用，包括静态电流的稳定。

docmd

locky_z 发表于 2022-7-22 11:48
如果你会分析电路的话，你的2022M电路，功率管上管的发射极电阻，根本不起到任何负反馈作用的。
下管 ...

怎样解释有无这2只电阻电路一样稳定。

菠萝

locky_z 发表于 2022-7-22 11:29
BJT在发射极串联一个电阻，可以将跨导降低到和MOSFET一样（也就是Vbe-Ic曲线和Vgs-Id曲线平行），
但串联 ...

功率放大，串接Re不可能太大。一般0.1—1欧。太大了影响输出电阻，Re功耗也大。再说，跨导降低了，不如直接用低跨导的管子。我说过，并联使用，场管好些，就是因为串接Re后，跨导降低。对配对精度要求放宽了。

mxlwj

我只用过2SK1058、2SJ62
这个对管跟电子管特性比较相近：
1、导通特性比较平缓，工作电流不单与栅极电压有关、跟漏源电压也有关。
2、温度特性是负温度特性，即是温度升高静态电流变小，这对管从30度升到50度，静态电流大约下降10%左右，所以工作点不需要温度补偿。
3、因为导通特性，单管静态电流不可能很小，所以并联使用时静态电流成比例增大，而且这对管工作时静态电流不能过小，所以比较适合甲类甲乙类电路。
4、输出内阻比双极型晶体管大，所以需要并管使用。

正温度系数场效应管没用过。

minor

这个小电阻（Re或者叫Rs）的取值关键在于其偏压范围，国外早有篇文章讲过这个，外坛高手亦按之取静流值和阻值。这里好像没人知道这回事啊？
这个阻值有时需要很大，曾做过一功放取值0.8欧，因为静流偏小，阻值大则失真大，需要反馈来消除。
bjt和正温管需要此阻，负温管不需要。

无语密码

这种电阻，我取0.1

docmd

minor 发表于 2022-7-24 00:48
这个小电阻（Re或者叫Rs）的取值关键在于其偏压范围，国外早有篇文章讲过这个，外坛高手亦按之取静流值和阻 ...

我用正温管，不需要S极电阻，装上0.1Ω，调好静态电流后短路电阻。

菠萝

docmd 发表于 2022-7-24 15:57
我用正温管，不需要S极电阻，装上0.1Ω，调好静态电流后短路电阻。

正温度系数mos管，超过一定电流就是负温度系数。需不需要S电阻也要看电路结构。温补合适就可以不用