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专用于音响的MOSFET没玩过 一直用工业管
内阻小 输出电流大 无二次击穿 个人感觉比较适合音响 感性容性的负载都会有冲击 对MOS没什么影响
缺点是不好做热补偿 (放大区工作只有少数MOS管是负温度系数,温漂比BJT大很多) 结电容大不好驱动  
BJT热补偿简单 驱动也比较容易 不用考虑应付像MOS管几千PF的结电容的问题
BJT的驱动只需足电流即可 但是容易过热造成二次击穿 因此也有人说一对MOS顶三对同参数的BJT
BJT不是很耐冲击

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 楼主| 发表于 2013-3-2 01:54 | 显示全部楼层
没人理你
yamamoto 发表于 2013-3-1 23:09



   

不过从坛子上发现一篇讲MOS的长文,很不错

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 楼主| 发表于 2013-3-2 01:57 | 显示全部楼层
回复 3# wangrb


    的确,栅极的寄生电容很麻烦。如果讲究速度,还是用BJT吧

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回复 3# wangrb
    gs极并上一电阻降低输入阻抗提供结电容放电通路是否能改善?
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有时候我们自己有个新想法,就以为是自己发明了什么重大成果,其

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发表于 2013-3-2 12:45 | 显示全部楼层
可能有点不贴题了,有一点区别很明显:
BJT管子并联,电流放大倍数并没有增大,而MOS并联跨导却在成倍增加,这是不是MOS多管并联容易自激的原因?

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发表于 2013-3-2 13:09 | 显示全部楼层
MOSFET的跨导gm比BJT小,而且随电流增加会迅速减小,所以MOS管失真更大。不过因为二次失真比较大所以听感上更好。

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发表于 2013-3-2 20:15 | 显示全部楼层
回复 3# wangrb

一直看到说二次击穿不知道到底什么事二次击穿
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回复 5# jxdking


    参考APEX PA04设计推动电路 需要额外的两只三极管 但提供低阻抗的CGS放电通道

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回复 10# yamamoto


    它的原因现在还没有定论 表现在工作在文档中提供的安全工作区内却出现的性能下降现象
  可能的解释是局部电流过大烧毁部分晶圆 其余部分仍是好的 导致的性能下降

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发表于 2013-3-2 22:52 | 显示全部楼层
回复 11# tsyg99


    MOS由于工艺原因不存在二次击穿

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 楼主| 发表于 2013-3-3 02:23 | 显示全部楼层
回复 12# wangrb


    三极管的大管前往往也是有一级推动级。这倒不是因为寄生电容而难以驱动,而是因为大管的放大倍数还不够,电压放大级无法提供足以驱动大管的电流。

我感觉,Mos管适合工作在开关状态,三极管适合工作在线性状态。

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回复  wangrb


    三极管的大管前往往也是有一级推动级。这倒不是因为寄生电容而难以驱动,而是因为大 ...
jxdking 发表于 2013-3-3 02:23



    用MOS推三极管兼输出这样好吗?两者的曲线重合后会更平直吗?

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回复 13# wangrb


    哦!!!

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回复 15# jxdking


    确实 三极管的推动级需要很大的电流 MOS管也只有少数特性曲线是均匀的
   PASS中常见的IRFP240要在ID超过500ma后才曲线均匀 所以他的好多机器都是电老虎
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V的好,都是超高速的,但会正确用在音响的没几个。
tsyg99 发表于 2013-3-2 10:31

    兄弟能否透露多点机密?学习中~
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