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本帖最后由 locky_z 于 2011-11-11 22:05 编辑
哪天我上个锗管的特性曲线图,大家可以看看,什么叫近乎完美!
再拿硅管比比,UCE〈3V线性仍然良好的几不可寻,这就是天生的,一颗锗管可以做出在整个动态范围内无畸变的放大器,硅管却是多少只都做不出来。
这个问题可以与诸君详论之。
各位随便看个硅管的特性曲线。IC——UCE
低UCE时,HFE小,随UCE增加,IB不变的情况下,IC迅速增加。
这就出现了什么情况:每当大幅度低频信号到来时,也就是输出将近达满幅时,输出管的管压降快速降低,失真就出现了,放大倍数急速下降。导至输出不足。
这也是为什么硅管放大器一定要用多个功率管并联了,这是个死结!
此处说明:这种失真,低档仿真软件是仿不出来的!
无形浪子 发表于 2011-11-11 20:35 
不知道你说的'近乎完美‘,怎样才算近似完美?
是指输出曲线Vce-Ic,象3极电子管那种?是倾斜或者尽量垂直X轴的,并且间距均匀的一簇曲线?
我测过手头的锗管
但锗管也达不到三级电子管这种低内阻、高线性(曲线之间间隔)特性
硅管就好一点,间隔还算均匀,即线性可以,但内阻就很高,表现为和X轴平行。
但如果衡量hfe-Ic特性,那么锗管和硅管相比简直是一塌糊涂。
不过我手头的锗管都是'唱响管'级别,不能代表所有锗管 |
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