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楼主 |
发表于 2012-11-25 15:45
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感谢楼主分享!!!学习了
我个人觉得你的分析用在开关电源或数字功放上可能更准确些,如果拿开关工作状态 ...
mzsrz 发表于 2012-11-25 12:40
感谢你提的意见,我分享这些也只是投石问路,之后的设计还靠你们自己。
我单单拿Qg来主要分析就是因为它跟模拟应用最相近,如果是开关分析的话就关系到所有的动态参数了,Qg栅电荷,Rg栅电阻,Trr/Qrr反向恢复时间,Rsw阻性开关时间,Lsw感性开关时间,Isc短路测试,热阻,等等很多项,MOS的所有动态参数都是为开关工作而测的。不知你认为哪一项更适合模拟应用呢。
我所说的也只是负温管并联,其中还有一个故事,记得读大学时,曾经有一次我把一台4并的MOS管甲类功放漏掉了一只管子没打螺丝,几年后我开盖,发现那只管由绿色变为暗绿色了。功放一直在服役中,居然没烧! 那时候还不懂负温管这回事,那时把开启电压零点几伏的管子慢慢调到4V,发现我怎么调,输出电阻的压降都会慢慢回降。当时不解。现在倒是很容易解释,因为当时我用的散热片太小,我调高了偏置只换来了散热片的热度,而电流没有什么增加。
如果是正温的就不是这么回事了,早烧得片甲不留了。
至于你提的其它的,有些我不认同,但我也不反驳。想了解的人自己去试验吧。 |
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