MOS管在功放中应用的探讨

扬帆远航

老爷车 发表于 2014-2-7 09:32
哪有那么多生气
不过，这个电路是做功率放大那是无疑的，存在问题也是肯定的，不然，我也不会拿到这 ...

回答你的问题：功率放大，应最基本要有电压，电流两项增益，你的电路没有电压增益。上线电压不会超过D1，D4稳压值-0.7。下线类同。·而且是在你前级输出幅度足够大的情况下。温补问题Q7可以理解为温补元件但要看R7,R8,R11的固有温度系数是多少。按你说的现象 应该把R7,R11换为负温系电阻R8应换位正温系电阻，R16也可以换成负温系。再不够在R7上串一只1N4148。我想应该差不多了。一个综合电路可以不管某一点的温系整体补是肯定可行的。局部分析是对的，但离散性，分布参数不可忽略，必须实测。还有初始电流应稍大一点。补偿稍过一点。廉价复合膜电阻大部分都是负温系。好的金属膜电阻是正温系。4只双极温飘比MOS要大，Q7换双极也是一种办法，也可合着用，没量的概念，矫枉先过正再往回调。你想要的可能是0反馈开式用，深度反馈的确不好处理好瞬态失真。但你这方式也有问题。想讨论再说。

牛哥

老爷车 发表于 2014-2-6 17:38
请问LS，如图，温补电路跟不上末级功率管温度漂移的速度，功率管电流缓慢持续上升，直到功率管烟花（将 ...

把R7R8R11的阻值都提高10倍，再看看。

老爷车

扬帆远航 发表于 2014-2-7 10:54
回答你的问题：功率放大，应最基本要有电压，电流两项增益，你的电路没有电压增益。上线电压不会超过D1， ...

谢谢回复。
一个完整的功率放大器肯定有电压放大级的，因这个电路在我的整个电路里相对独立，其基本功能就是电流（功率）放大，电压级与温漂无关，所以只截取这部分电路，就温漂问题向大家请教。
老兄请看清楚，D1D2稳压值是30V，D3D4的稳压值是12V，D1+D4=42V（这样用是就手头的元件），其实这一级稳压一般是不用的，之所以用了，是为了使功率管电流在电源电压大幅波动时保持相对稳定。
本来温漂的问题前些天已经解决了，就是采用负+负（NTC+双极管），之所以还把这个图贴出来，是前面有不少兄弟说只要调整好了，这样就可以抑制温漂。我想，这种简单温补既然可行，又何乐而不为呢。

老爷车

牛哥 发表于 2014-2-7 13:13
把R7R8R11的阻值都提高10倍，再看看。

理由？

老爷车

老爷车 发表于 2014-2-7 15:22
理由？

牛哥  让尽量大的电流受控于Q7  
有道理。也许R9R10也太大了一些。

扬帆远航

老爷车 发表于 2014-2-7 15:22
谢谢回复。
一个完整的功率放大器肯定有电压放大级的，因这个电路在我的整个电路里相对独立，其基本功能 ...

看来是考考我？NTC的曲线同PN结好像对不上，这我到没什意见。解决就好，自满意比什么都强。我也没出风头之意。只是认为MOS没那么神才说了几句。功放MOS管之类个有个的理解。个自为之。其实我还真不是个爱掺乎的人。在动力电子放面别人给钱的开发我还没干完呢。只是有问不可不答。

老爷车

扬帆远航 发表于 2014-2-7 16:33
看来是考考我？NTC的曲线同PN结好像对不上，这我到没什意见。解决就好，自满意比什么都强。我也没出风头之 ...

老兄别多心,我可是纯业余玩,也是听兄弟们说起超大电流MOS管的魅力,正好手里有一些拆机超大电流MOS管,运用时遇到一些问题,是诚心向兄弟们请教.
关于NTC和PN结曲线,也有些糊涂了.起初是用NTC+MOS管,结果不行,才用了NTC+双极管.
谢谢老兄赐教

扬帆远航

老爷车 发表于 2014-2-7 17:32
老兄别多心,我可是纯业余玩,也是听兄弟们说起超大电流MOS管的魅力,正好手里有一些拆机超大电流MOS管,运用 ...

我认为MOSFET的魅力在D极输出，才有胆味和宽频。

老爷车

扬帆远航 发表于 2014-2-7 20:35
我认为MOSFET的魅力在D极输出，才有胆味和宽频。

说来听听

牛哥

老爷车 发表于 2014-2-7 15:36
牛哥  让尽量大的电流受控于Q7  
有道理。也许R9R10也太大了一些。

因为前面的驱动电路不知道是什么形式的，但是从0DB放大器的输入电容看，R9-R10的数值还不算太大，如果驱动级的驱动能力比较强，适合驱动较低阻抗的负载，可以加大输入耦合电容，并减小R9-R10，也是可行的。
不过有个情况要注意，很多的MOS的温度特性是随着电流大小，管温高低而变化的，之前我做过MOS驱动BJT的ODB放大器，用普通的BJT补偿，结果是过补偿。
温补管还是多次试验，根据自己的散热器和管型，以及温补管与散热器的耦合形式来决定。

牛哥

老爷车 发表于 2014-2-8 08:27
说来听听

我猜测扬帆远航同学的想法，不一定正确。
对于MOS来说，VGS直接影响的是ID，所以在MOS管有电压放大和电流放大特性的共源组态，更能体现出MOS管的特性。而共漏组态的原机输出器，给MOS管展示自己特点的机会就少了点。

天马飞云

漏极输出的MOS-FET功放

tb3008940

老爷车 发表于 2014-2-7 17:32
老兄别多心,我可是纯业余玩,也是听兄弟们说起超大电流MOS管的魅力,正好手里有一些拆机超大电流MOS管,运用 ...

NTC+MOS管结果不行的原因是，NTC必须并联一个比NTC阻值小10倍左右的电阻，让NTC温度补偿速度下降，和MOS管基本同步，比如你用10k的NTC，必须并联一个1K的电阻或电位器，调整这个电阻，可以令NTC的温度补偿和MOS管完全同步。

tb3008940

lysohu 发表于 2014-1-12 10:00
就现在你只用到一级MOS的情况下,用一只正温的mos就可以补偿好了的...如果用NTC的话(NTC指负温度系数热敏电 ...

NTC温度补偿的确需要稳压，但稳压很简单的，用质量好的稳压管经电阻或电位器分压即可。

tb3008940

牛哥 发表于 2014-2-8 10:45
我猜测扬帆远航同学的想法，不一定正确。
对于MOS来说，VGS直接影响的是ID，所以在MOS管有电压放大和电流 ...

同意牛哥的说法，Vgs控制Id，可谓是四两拨千斤。共漏电路的Vgs不稳定的因素较多，仅仅是电源电压在工作中跌宕起伏，就容易对Vgs进行调制，很难抑制，Id输出肯定受影响。
共源组态的Vgs的马步（静态工作电压）最稳定，且基本不受信号和电源电压影响。

扬帆远航

老爷车 发表于 2014-2-8 08:27
说来听听

MOSFET是类同电子管的场控器件，没有同输出的PN结关系，双极多少都会对前级有反射做用，大电流还不小，但做为跟随器，特点不明显，有点对不起管子。至于MOSFET的微观分析没做过，我只关心过和我应用有关的参数。正玄用对前极输出几乎没严格要求，方波另说。另温补是要的是两条线反向吻合，有条件进恒温箱，没条件用冰箱拉一下也有补益。点补是不够的，由其NTC。不特别了解NTC但我记得不是一种曲线。还有要兼顾零飘

老爷车

牛哥 发表于 2014-2-8 10:41
因为前面的驱动电路不知道是什么形式的，但是从0DB放大器的输入电容看，R9-R10的数值还不算太大，如果驱动 ...

谢谢。
驱动级是胆阴随，整体电路就是---胆结石。

老爷车

天马飞云 发表于 2014-2-8 11:28
漏极输出的MOS-FET功放

谢谢，希望能上一张更清晰的图。

老爷车

tb3008940 发表于 2014-2-8 11:55
NTC+MOS管结果不行的原因是，NTC必须并联一个比NTC阻值小10倍左右的电阻，让NTC温度补偿速度下降，和MO ...

谢谢。
现在是NTC+BJT。手里只有3K的NTC，用了2只串联（没有并联电阻），再串接在上偏中，2只NTC分别压贴在功率管上，偏置管在驱动管中间，距功率管相对较远。功率管ID调在280mA，散热器表面温度40度（环境温度20度），机器连续工作6小时以上温度电流都能保持稳定。
但是也还有一个问题：开机时功率管ID会快速上升至设定电流的3~4倍（约800~1000mA），再降到十几毫安，然后缓慢上升至平衡。请问：这种情况需不需要处理。
开机时看到电流飙升很恐怖，还是处理了一下，就按老兄说的，在NTC两端并联电阻，不过不是小10倍，而是稍大一点的（6K：10K），现在已经OK了。
再谢

老爷车

扬帆远航 发表于 2014-2-8 13:33
MOSFET是类同电子管的场控器件，没有同输出的PN结关系，双极多少都会对前级有反射做用，大电流还不小，但 ...

看来这MOSFET也跟胆一样，阳出才有胆味。