MOS管在功放中应用的探讨

tb3008940 · 发表于 2014-1-12 01:28

老爷车发表于 2014-1-11 07:12
另外，从上面这段文字，是否可以理解，我前面实验所遇到的问题，是否因管子“晶胞单元局部的过热”而导致 ...

在模拟功放运用中，这个交汇点是MOS管的鬼门关，MOS管在功放电路设计的最大电流很少会超越这个交汇点对应的电流，在这个电流的70%时，功放的输出功率都已经非常大了，超过这个交汇点对应的电流70%时，失真量就开始加速，经常超过的话，声音肯定明显失真，如果散热又不足时，阎王爷就会出现了。

tb3008940 · 发表于 2014-1-12 01:48

NTC的确是负温度系数电阻，做正温管温度补偿非常有效。

在模拟功放中，作为正温度MOS管，Vgs静态电压不变时，其静态电流Id也会随温度升高而增加，因此，为了稳定Id，必须随温度而同步降低Vgs静态电压才能稳定Id。在Vgs的偏置电路中，合理接入NTC进行负温度补偿，事实证明，能在比较大的温度变化范围，有效稳定Id的大小，使正温管可靠地工作。

NTC是一种简单有效的温度补偿方法，同步设置也相对简单。

老爷车 · 发表于 2014-1-12 07:46

tb3008940 发表于 2014-1-12 01:48
NTC的确是负温度系数电阻，做正温管温度补偿非常有效。

在模拟功放中，作为正温度MOS管，Vgs静态电压不变 ...

明白，谢谢！
就这个电路而言，用哪种型号NTC比较好呢。

老爷车 · 发表于 2014-1-12 07:58

本帖最后由老爷车于 2014-1-12 07:59 编辑

lysohu 发表于 2014-1-11 16:23
并不是你现在那样理解的,,模拟应用也不会有他上面提到的快速开启和慢速关断的过程,他文章是开关应用的所要 ...

这方面实在是业余，加上日常工作繁忙，一时半会消化不了的。老乡能不能就我拼凑的那个电路给一些具体的建议。
注：因为这是在烂地基上盖房子，限于原机箱、电路（板）、散热器等综合因素考虑，前级用胆电路，功率级就用380楼那个电路架构。
谢谢！

lysohu · 发表于 2014-1-12 10:00

老爷车发表于 2014-1-12 07:58
这方面实在是业余，加上日常工作繁忙，一时半会消化不了的。老乡能不能就我拼凑的那个电路给一些具体的 ...

就现在你只用到一级MOS的情况下,用一只正温的mos就可以补偿好了的...如果用NTC的话(NTC指负温度系数热敏电阻)一般它要配合稳压来应用的,就你现在这个电路的话,不需要,直接接在偏执上,不过,它的温度系数和MOS的有些差别的,要自己并串应用起来,也就是串上普通电阻和并上普通电阻..使它的温补曲线差不多就OK了...建议你就保持现在的补偿.这个补偿方式是OK的..MOS的对你的PCB布线是有要求的..如果布线不合理的话,再简单的电路都不会正常工作的...

老爷车 · 发表于 2014-1-12 12:42

lysohu 发表于 2014-1-12 10:00
就现在你只用到一级MOS的情况下,用一只正温的mos就可以补偿好了的...如果用NTC的话(NTC指负温度系数热敏电 ...

谢谢。
原功率级是装在一长条形小板上的（偏置电阻在主板上），现在双极性功率管对管改MOS功率管准互补，只是刻断了几条印版铜箔，做了一点小的改动，对布线相关参数应该不会有大的影响。

红烧牛肉 · 发表于 2014-1-14 21:13

请教楼主，如果用沃尔曼接法，对场管的性能有哪些方面改善呢~

bazys · 发表于 2014-1-17 07:34

lysohu 发表于 2014-1-12 10:00
就现在你只用到一级MOS的情况下,用一只正温的mos就可以补偿好了的...如果用NTC的话(NTC指负温度系数热敏电 ...

我们知道场效应管特性曲线中有一个预夹断轨迹，您认为场效应管“预夹断区”的提法是否正确？

fyd · 发表于 2014-1-17 21:47

好帖子学习了

老爷车 · 发表于 2014-1-25 14:38

lysohu 发表于 2014-1-12 10:00
就现在你只用到一级MOS的情况下,用一只正温的mos就可以补偿好了的...如果用NTC的话(NTC指负温度系数热敏电 ...

今天又抽空弄了下，还是不行，功率管电流从设置的约3mA，以每10秒钟0.1mA的速度持续上升，一直到1.8A还没有停下的趋势，只能关机。

LAOQIANG · 发表于 2014-1-27 08:32

lysohu 发表于 2012-11-24 17:52
如果用来推动三极管会很好。如果用来推动MOS管，除非很多对并联，要不然没必要。

请问；采用单管单端甲类的放大器，CD直推也没必要加一级源级推吗？我用的是2SK1437电容很大，加一级源级推试图减少米勒效应。

LAOQIANG · 发表于 2014-1-27 08:39

lysohu 发表于 2012-11-24 17:52
如果用来推动三极管会很好。如果用来推动MOS管，除非很多对并联，要不然没必要。

如果再用一级源级推正温管，按上面所说也是采用正温小功率管比较合适。我想问的是这两只管子安装上；是同在一块散热器上，还是分别安装起温补效果好？

LAOQIANG · 发表于 2014-1-27 09:57

lysohu 发表于 2012-11-28 23:17
负温管最好是工作在很小电流下，让器件温度尽量低，要不然并多少只管子都没用。。。。。。。还有一点忘 ...

你所指的输出电阻是源级电阻吗？

gu1978 · 发表于 2014-1-27 12:24

麻烦LZ帮看看这对管子是正温管还是负温管，及电路中的运用。先祝您马年快乐。谢谢指教。

samchen · 发表于 2014-1-27 22:45

樓上qu1978大哥您好,能不能將您貼上的電路圖再放大一點,我想儲存起來研究電路設計,但是圖太小看不清楚元件數值,眼睛看得很吃力!麻煩您,謝謝!

jml32370 · 发表于 2014-2-3 23:21

记号，留下学习

老爷车 · 发表于 2014-2-6 09:08

tb3008940 发表于 2014-1-9 21:24
可以的，三极管也行，NTC也可以，这不太重要，重要的是，你要调整温补电路的偏置电阻的阻值，使温补电路的 ...

用PRF510这类正温管做温补还是不得要领，跟不上功率级的温漂。
不得已用了负温电阻+负温管做温补，才把IRFP264的温漂抵消，这样做感觉复杂了些。先生可不可以对用正温管做补偿的偏置电阻给个经验数值，或者调整的原则。

soundgood · 发表于 2014-2-6 15:22

lysohu 发表于 2012-11-23 22:46
本人从事MOS管测试领域多年，对MOS管还算比较了解，有什么不解的可以提提问，我知道的可以回答一下

请推荐一对互补mos管，要求输入电容尽量低（需要尽量高的工作频率），耐压200V以上，电流1~2A，的高速mos管

扬帆远航 · 发表于 2014-2-6 15:58

xhqsese 发表于 2012-11-25 00:37
不是打击楼主，但楼主的论述确实存在根本的谬误，还请厘清为好以免误导！mos管的温度系数应该相对其rds而论 ...

同意。我也在MOSFET应用圈里玩了多年。刚进这论坛几天。我91年做的全MOS功放至今没坏用的功率也过的去，已好多年没拆过型号全忘，图也没了。没多难用，精力有限。图示仪在地下室也多年了。配对是开环重要闭环大概就行。别钻烟桶。我不喜欢日本MOS管,同指标比IR等美货先坏。具说沟道不一码事。音效由于原理就同双极不一样要好的多，功放用的也没几吊。还有MOS好并。温补就不难也不用补到极至。用PN结就行。

老爷车 · 发表于 2014-2-6 17:38

本帖最后由老爷车于 2014-2-6 17:40 编辑

扬帆远航发表于 2014-2-6 15:58
同意。我也在MOSFET应用圈里玩了多年。刚进这论坛几天。我91年做的全MOS功放至今没坏用的功率也过的去，已 ...

请问LS，如图，温补电路跟不上末级功率管温度漂移的速度，功率管电流缓慢持续上升，直到功率管烟花（将初始电流调到几个毫安也一样）。请问该如何调整。

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