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楼主 |
发表于 2011-6-9 18:40
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本帖最后由 TDA-7294 于 2011-6-9 19:26 编辑
呵呵,我自然知道场效应管如何工作,你可知道他有几个PN节?和普通晶体三级管有什么不同?你知道它的特性那 ...
ACNMH 发表于 2011-6-9 18:05 
就你问的问题哥就知道你是半桶水了,哥跟你浪费时间是因为哥无聊
这样,哥回答你的问题,你也回答哥在207楼、214楼、228楼的问题。
MOSFET的结构图如下,其PN结就在沟道那里。
当栅极加上电场,P区被电场排开,PN结就被破坏,源极的N区将通过N+沟道与漏极的沟道相连。
他的整个电流路径都是N型半导体,只有一种载流子导电,所以是单极型器件。
控制Ugs就可以控制沟道的宽度,以控制电流大小。
你后面那俩问题太幼稚,简略说一下。
BJT是CCCS,MOSFET是VCCS,所以他们的控制是不同的。
做功放并不是把偏置改了改,就可以两种管子互换了,具体很多东西需要考虑,哥就不多扯了;
MOSFET结构你也看到了,天生就有一个反向二极管,所以MOSFET是没有反向关断能力的。
BJT有电导调制效应。
在MOSFET的基础上,在漏极增加一个P区变成了IGBT,其含有BJT结构,同样存在电导调制效应,RDSon很可观。 |
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