初玩850功放板发现超大芯片3DD15D！应该是最大的金封管芯片了吧……

ljf1212

上一个标准OCL电路之一，

公羊

上面这个不就是“纯净版NAP140”了吗，或者说NAP140是校音版的“标准OCL”。

dismissive

公羊 发表于 2026-1-20 11:29
上面这个不就是“纯净版NAP140”了吗，或者说NAP140是校音版的“标准OCL”。

收藏起来了，以后慢慢进步

dismissive

ljf1212 发表于 2026-1-20 08:46
上一个标准OCL电路之一，

貌似850是最精简化的OCL了吧，简化的不能再减了，收藏起来，以后慢慢学习慢慢进步

uikyhuang

850初听声音很清靓，绝对耳目一新的感觉，耐不耐听不好说。

dismissive

uikyhuang 发表于 2026-1-20 15:44
850初听声音很清靓，绝对耳目一新的感觉，耐不耐听不好说。

确实，我做了一大堆厚膜功放，STK4196、STK426-530、STK401-330、STK4161V、RSN3502……原以为非常满意了，但这几天装好850板子以后，90年代印象中的小音量交越失真、低频欠缺、细节欠缺，竟然都没问题，我用的自己装的惠威D5.4II大音圈扬声器音箱，低频相当好，细节也完美，简单对比了一下厚膜（没有进行瞬间切换的测试），感觉好像厚膜的某个音频频率相比850来说好像有一点点欠缺一样，850的低频、细节、整体均衡度令人感到惊讶……一天到晚都在听850了，很喜欢

Lou

dismissive 发表于 2026-1-20 18:50
确实，我做了一大堆厚膜功放，STK4196、STK426-530、STK401-330、STK4161V、RSN3502……原以为非常满意 ...

Motorola 和 RCA 的 3055 聽感上有差別嗎？

柳暗花明

ljf1212 发表于 2026-1-20 08:46
上一个标准OCL电路之一，

C3极性接反了，应该正接地。这个电路值得玩。末级可以全互补，也可准互补。

ljf1212

柳暗花明 发表于 2026-1-20 23:05
C3极性接反了，应该正接地。这个电路值得玩。末级可以全互补，也可准互补。

反馈端的电容本就是负极接地何来接反之说？

ljf1212

公羊 发表于 2026-1-20 11:29
上面这个不就是“纯净版NAP140”了吗，或者说NAP140是校音版的“标准OCL”。

是的，比较经典的OCL电路之一。

柳暗花明

ljf1212 发表于 2026-1-20 23:14
反馈端的电容本就是负极接地何来接反之说？

你分析一下R7的电流流向，然后对比左右两端的电位你就明白了。另外C6也是多余的。

luhuineng

ljf1212 发表于 2026-1-20 23:14
反馈端的电容本就是负极接地何来接反之说？

确实是反了，Q2的基极电压是负值Ub2=-Ib2＊R7

ljf1212

luhuineng 发表于 2026-1-20 23:34
确实是反了，Q2的基极电压是负值Ub2=-Ib2＊R7

这个是差分端，Q1bU＝Q2bU，怎么会是负值？理想状态是无极为佳，当作为反馈端只能负极接地遵循信号极性方向。

柳暗花明

无语密码 发表于 2026-1-12 22:20
芯片大，散热是差一点，芯片面积是根据功耗决定的。所以不会因为面积大，功耗就一定大，

你又发谬论了，芯片面积大，对应的散热面积也增大，散热条件更好。

ljf1212

柳暗花明 发表于 2026-1-20 23:29
你分析一下R7的电流流向，然后对比左右两端的电位你就明白了。另外C6也是多余的。

原来你们差分OCL反馈电容都都是正极接地啊？

无语密码

柳暗花明 发表于 2026-1-20 23:48
你又发谬论了，芯片面积大，对应的散热面积也增大，散热条件更好。

没看参数吗？只有功耗大小，没有面积大小。
采用1u的芯片，肯定芯片是大的

无语密码

相同功耗的芯片，旧版芯片面积远大于新版的，因为新版的热传导已经提高很多了，，

柳暗花明

ljf1212 发表于 2026-1-20 23:53
原来你们差分OCL反馈电容都都是正极接地啊？

只用一个电容的时候，就应该正接地，也可以用两只同容量电容对接成无极性电容。

柳暗花明

无语密码 发表于 2026-1-21 00:17
相同功耗的芯片，旧版芯片面积远大于新版的，因为新版的热传导已经提高很多了，，

新版的热传导使用了什么高科技？

Lou

柳暗花明 发表于 2026-1-21 01:09
新版的热传导使用了什么高科技？

影響熱阻的因素是製程好壞，晶片的厚薄，包裝材料，和導電膠的熱傳導性能。磨薄晶片要成本，損壞率也高。

所謂 150w 的功率，指的是當消耗 150W 能量時，從晶片的 PN junction 到外殼的最大溫差。

外殼一般假設能維持常溫 25度。而 PN 介面的最高溫是不造成介面崩潰的最高溫度。這跟製程有關，有些擴散能到 200度以上，而一般離子植入就不能。

晶片大也不表示電流就大，半導體是合金，又不是電線。像同樣是 TO-92 包裝的小黑豆，有些只有 50ma, 有些可到1A. 這跟 doping 濃度有關，是製程的一部分。

因為好奇拆開晶片包裝是無所謂的。但憑肉眼看面積進而斷定性能就太土法煉鋼。

除了表面的金屬鋁，肉眼能看出什麼嘛！

早期的鑽石切割機器準確度可能不夠精確，晶片間會留較大空隙，這跟晶片性能是毫無關係的。

有些晶片之間有測試電路，稱之為 E-test structure. 這樣在製程中可檢視流程的準確度。也會影響晶片大小, 但跟性能或功率毫無關係。