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即使我展开并解释一个二极管模型，你们也不知道那些参数是影响输出关键特性的。。。还是讨论用那些电 影响音质吧。。。
- .model VS-E5PH3006 D(
- +Is=19.744E-6 ;饱和电流（Saturation current）。这是二极管在反向偏置下的理想漏电流，决定了二极管的导通阈值和正向电压降。值越大，正向电压降越低。
- +N=2.5801 ;发射系数（Emission coefficient，或理想因子）。描述二极管电流-电压曲线的非理想性（接近对数关系）。典型值为 1-2；高于 1 表示复合或表面效应影响。
- +Rs=2.7042E-3 ;串联电阻（Ohmic resistance）。表示二极管内部的寄生电阻，主要影响高电流下的电压降和功率损耗。
- +Ikf=.5589 ;高注入膝电流（High-injection knee current）。当正向电流超过此值时，模型切换到高注入区，电阻增加以模拟实际行为。用于功率二极管的高电流模拟。
- +Cjo=415.53E-12 ;零偏置结电容（Zero-bias junction capacitance）。反向偏置下结电容的初始值，影响开关速度和寄生效应。
- +M=.41414 :分级系数（Grading coefficient）。描述结电容随反向电压变化的非线性（C ∝ V^{-M}）。M=0.5 表示均匀结，M=0 表示线性。
- +Vj=.3905 :;结电位（Junction potential）。内置电位差，决定了零偏置下的耗尽层宽度和电容计算。典型硅二极管为 0.7V，此值较低可能反映特定工艺。
- +Isr=10.010E-21 ;复合饱和电流（Recombination saturation current）。用于模拟高电平注入下的复合电流，很小的值表示复合效应弱。
- +Nr=4.9950 ;复合电流发射系数（Emission coefficient for recombination current）。与 Isr 结合，描述复合区的非理想电流行为。
- +Bv=712.26 I ;击穿电压（Reverse breakdown voltage）。二极管反向击穿时的电压（雪崩或齐纳效应）。数据手册为 600V，此值略高可能用于内部建模裕度。
- +bv=25.865E-3 ;击穿电压下电流（Current at breakdown voltage）。击穿时允许的电流，用于模拟反向特性。
- +tt=26.586E-9 ;传输时间（Transit time）。表示载流子穿越结的时间，用于计算反向恢复时间（trr ≈ 2 × tt）。快速恢复二极管的关键参数，与数据手册的 46 ns trr 相关。
- +Vp=0.18 ;软反向恢复参数（Soft reverse recovery parameter）。LTspice 特定参数，用于添加 dQ/dt 阻尼，模拟更平滑的反向恢复波形，减少振荡。值 >0 表示启用软恢复建模。
- +Xti=4 ;饱和电流温度指数（Saturation-current temperature exponent）。控制 Is 随温度变化（Is ∝ T^{Xti / N} × e^{-Eg / (kT)}）。用于温度依赖模拟；4 表示 junction 类型。
- +Tikf=0.05 ;Ikf 的线性温度系数（Linear temperature coefficient of Ikf）。描述高注入膝电流随温度的线性变化（Ikf(T) = Ikf × (1 + Tikf × ΔT)）。
- +Trs1=0.001 I ;Rs 的线性温度系数（Linear temperature coefficient of Rs）。描述串联电阻随温度的线性变化（Rs(T) = Rs × (1 + Trs1 × ΔT)），模拟热效应。
- +ave=30 ;平均电流额定值（Average current rating）。仅用于原理图标注，不影响仿真；匹配数据手册的 I_F(AV) = 30A。
- +Vpk=600 ;峰值电压额定值（Peak voltage rating）。仅用于标注，匹配数据手册的 V_RRM = 600V。
- +mfg=Vishay ;制造商（Manufacturer）。LTspice 库元数据，用于识别器件来源。
- +type=FastRecovery ;器件类型（Type）。LTspice 库元数据，表示“快速恢复”二极管，用于分类和搜索。
- )
电源.rar
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发表于 2025-11-12 14:31
