JFET-2K304场效应管前级diy-在此一并向liushuliang老先生致谢！

kiven_chen · 发表于 2014-1-10 22:27

zjmcxf 发表于 2014-1-9 08:57
刘老前辈嘱咐：看354楼的图：S与地间串个20K可调电阻，调节其电阻值，就知道什么是预夹断了！！！！！！:vi ...

D极用串电阻吗？

jason2013 · 发表于 2014-1-10 22:48

C档的是激光刻字的，

kpwj · 发表于 2014-1-10 23:20

这块 2SK304 pcb终于做回来了是zjmcxf兄的心血,感谢他哦!

jason2013 · 发表于 2014-1-11 08:35

漂亮

bazys · 发表于 2014-1-11 08:56

kiven_chen 发表于 2014-1-10 22:27
D极用串电阻吗？

测Vp漏极直通Vdd，源极用可变电阻。

kiven_chen · 发表于 2014-1-11 09:42

bazys 发表于 2014-1-11 08:56
测Vp漏极直通Vdd，源极用可变电阻。

貌似不太可能，预夹断区好像VDS最大电压才5V，VDD12V，VGS要高达6V,VGS电压不可能有那么高。

zjmcxf · 发表于 2014-1-11 09:58

kiven_chen 发表于 2014-1-10 22:27
D极用串电阻吗？

我的理解：S与地间串个20K可调电阻，调节其电阻值。D脚不用串电阻；9V万用表电池做电源。

jason2013 · 发表于 2014-1-11 10:04

有人要304吗我买300个价格在1.5元，有人需要的话PM我，要配对的话每人买个50个

kiven_chen · 发表于 2014-1-11 10:11

zjmcxf 发表于 2014-1-11 09:58
我的理解：S与地间串个20K可调电阻，调节其电阻值。D脚不用串电阻；9V万用表电池做电源。

嗯，我明白，但我的理解是D脚要串个电阻。
要不然S脚电压高达8V，而G脚0V，那是不能的。
只有D脚电压降到4V以下才有可能进入预夹断区。
就算你用9V电池，S脚电压也要高达5V。
除非你的9V电池已经用完电。内阻很大了。

zjmcxf · 发表于 2014-1-11 10:50

kiven_chen 发表于 2014-1-11 10:11
嗯，我明白，但我的理解是D脚要串个电阻。
要不然S脚电压高达8V，而G脚0V，那是不能的。
只有D脚电压降 ...

很有道理，那就D脚串上电阻，动手实际操作一下看看。

bazys · 发表于 2014-1-11 11:07

本帖最后由 bazys 于 2014-1-11 11:52 编辑

测量夹断电压UP                                                          UDS=10V

按图所示连接电路，改变UGS的大小，

使ID=50μA。此时测出UGS的值就得到夹断

电压UP的值。即此时的UGS = UP。结型场效

应管的UP为负，其绝对值一般小于9伏。

请思考一下（初学者朋友们），怎样改变Vgs值？
（50μA，微小的电流不就是接近夹断电流0了吗？示值是为了便于测量）

bazys · 发表于 2014-1-11 11:31

结型场效应管的源极S和漏极在制造工艺上是对称的，可以互换使用。把3DJ6应用于前置级，D、S极互换后，电路工作状态并无变化。
MOS管的衬底B与源极如果不连在一起，则D、S极可以互换，但有的MOS管由于结构上的原因(即衬底B与源极S连在一起)，其D、S极不能互换。

kiven_chen · 发表于 2014-1-11 11:32

请教一下刘老先生，就第一级来说，预夹断区的工作点该如何选择？
K30A的PDF有低压特性图，那就以K30A为例吧。

捕获.JPG

在上图中，该选择多大的ID？VGS与VDS多高的电压才能更完美的放大呢？
希望刘老先生指点一下，谢谢。

jason2013 · 发表于 2014-1-11 11:36

本帖最后由 jason2013 于 2014-1-12 17:03 编辑

慢慢消化，理论知识不够

kiven_chen · 发表于 2014-1-11 11:52

bazys 发表于 2014-1-11 11:07
测量夹断电压UP UDS=10V

按图所示连接电路 ...

貌似我理解的预夹断区和你说的预夹断区有所差别。
我理解的预夹断区与ID的大小无关，VDS与ID的关系才是重要的。
你说的预夹断区一定要小电流ID（蓝色区域）。
我理解的预夹断区是在红色区域，就算ID大于2mA也是，
正常的放大是在区域，
当VGS固定，VDS不会引起ID的大的变化，就是放大区。
我认为，VDS变化会引起ID变化的的区域，就是预夹断区。

bazys · 发表于 2014-1-11 11:58

kiven_chen 发表于 2014-1-11 11:52
貌似我理解的预夹断区和你说的预夹断区有所差别。
我理解的预夹断区与ID的大小无关，VDS与ID的关系才 ...

非常支持你探讨的问题，是想把工作点设定在线性放大区。

kiven_chen · 发表于 2014-1-11 12:52

bazys 发表于 2014-1-11 11:58
非常支持你探讨的问题，是想把工作点设定在线性放大区。

这个前级的精髓就在于“预夹断区”啊。

bazys · 发表于 2014-1-11 14:45

kiven_chen 发表于 2014-1-11 12:52
这个前级的精髓就在于“预夹断区”啊。

可是还没有找到一个好的方法来准确定位到某个区，电路结构限制也有关系。

bazys · 发表于 2014-1-11 14:59

本帖最后由 bazys 于 2014-1-11 15:03 编辑

kiven_chen 发表于 2014-1-11 11:52
貌似我理解的预夹断区和你说的预夹断区有所差别。
我理解的预夹断区与ID的大小无关，VDS与ID的关系才 ...

在VDS2V、ID2.5mA之内，都在陈大侠所说的范围之内吧？

super168 · 发表于 2014-1-11 16:42

好样的！支持！可以将电路图发邮件过来吗？PEF126@126.com
还有这个板吗？多少钱？

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