[音频测量] 关于高音的衰减电阻··

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发表于 2018-11-14 15:24 | 显示全部楼层
狂躁的刺猬 发表于 2012-11-25 21:01
虽然俺对两个电路的特性区别不熟悉,但俺知道,你说的是错误的··呵呵

你的判断还是挺清晰的,这个坛子里各种自创理论太多,擦亮眼睛。

这两个的差异,不是衰减量的事,是结果的频响曲线完全不同。
看高通网络的后面,一图网络的后面的负载阻抗,就是喇叭自己的阻抗曲线。二图网络的后面的负载阻抗,是喇叭阻抗加上串并后的阻抗,也是个曲线,肯定比喇叭自己的曲线更平直。于是出来的频响就有差异。具体哪个好根本要看实际结果,用模拟是个捷径,实测曲线出来再调整是进阶。往往两种情况可以同时用(三颗电阻),更复杂的再加上阻抗补偿,一个二阶高通能用到五六个电阻,这些都弄明白了,各种大神理论就一笑而过了。

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发表于 2018-11-14 19:56 来自手机端 | 显示全部楼层
“当高音串入8欧电阻时,分得一半功率,声压下降3dB。”这段论述错误,应该是功率是原来4分之1,下降6db

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发表于 2023-3-18 16:42 | 显示全部楼层
挺好的帖子。
要从插入衰减电阻后,不影响单元Qes值
角度分析。
(高音喇叭普遍Q值高,当Qes值因插入衰减器导致升高的话,后沿积累会加重,声音朝浑浊方向发展。)

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发表于 2023-11-14 17:29 | 显示全部楼层
yyf901 发表于 2023-3-18 16:42
挺好的帖子。
要从插入衰减电阻后,不影响单元Qes值
角度分析。

前辈,这样子分析可否?
假设单元Re=7Ω
   串联16Ω电阻衰减量为:20*LOG10(7/(7+16)=10.33dB

若要L型衰减网络达到10.33dB的衰减,则:
   R串=(1-10^(-10.33/20))*7=4.87Ω
   R并=7*10^(-10.33/20)/(1-10^(-10.33/20))=3.06Ω

显然第二张图串并联8Ω电阻的衰减幅度不等于只串联16Ω

图一串联16欧姆电阻,改变单元Qes(升高)声音往不清晰方向发展
   理由:   QQ截图20231114172625.jpg
     Qes升高,单元能量消耗少,控制力减弱,频率信号结束后振动不易停止

图二,串并联8Ω电阻
单元并联8Ω电阻后的阻值Re’=8*7/(8+7)=3.7Ω
Re’+R串=11.7Ω
衰减量=|20log(3.7/(3.7+8))|=9.95dB
相比图一电路(Re+R串=23Ω(不算电感内阻)),声音显得清晰干净

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发表于 2023-11-15 05:50 来自手机端 | 显示全部楼层
本帖最后由 yyf901 于 2023-11-15 06:00 编辑

楼上对的,分析到位。

L型衰减器在一些资料中是以单元阻抗Z计算的,因为中/高音单元Z与Re的值挨得很近,虽不能算错,但不够严谨。
《扬声器系统设计手册》中,阐述CR电路有这样一段话“这个电路也可以使用在球顶高频扬声器单元,不过一般不是用来方便分频网络的工作,而是为了消除刺耳感以及保证L形衰减电路的精确应用。”不难看出,手册作者也是把L形衰减器与单元阻抗勾连的。同时还提到了“消除刺耳感”。
高音扬声器Q值也是五花八门,涵盖范围从零点几---几,“消除刺耳感”是针对高Q值的高音单元而言,所以,高音单元选择阶段,TS参数测量步骤不能少。
当遇到高Q值高音单元时,L形衰减器、CR电路需要同时存在。(个人经验,Qtc大于2要使用CR补偿)

振膜振速是电声转换要素,频点处阻抗相对大振速相对高。为了让低音单元低通滤波器更好发挥衰减斜率的作用,CR电路当是标配。

继续延伸是CR电路设计内容。通常是简单计算后通过测量/调整C值。
电容值的不确定来自音圈平均电感值Le的不确定,为此派生出繁简不一的阻抗补偿计算方法,CR则是既简而好的阻抗补偿电路。
补偿电路电阻R=1.25Re;
补偿电路电容C=Le/R^2,(Le单位:uH)
Le要取音圈电感平均值,会用到多用途示意图:
Screenshot_20231115_034723.jpg

图中F1频点对应标称阻抗值,此频点差不多是单元阻抗最低处,原本可以从此频点向上到20KHz频段取音圈平均电感值(Le),但要考虑功放负载为4欧甚至2欧时、当分频器设计有些瑕疵而导致的某处阻抗过低问题,则应把阻抗曲线的基准值取高一点,也就是补偿的起始频点取在F2位置:
F2=F1*2^1.5=2.8F1;
单元阻抗值较高(6欧、8欧),F2=F1即可。

找F2---20KHz频段的1/2频程频点F3:
F3=F2*2^(20lg((20000/F2)/lg(2))/2)
嫌计算麻烦可以用:
F3=5*F2来就简计算(F2差不多在800赫兹附近);
F2=F1时,F3=8*F2。

音圈平均电感值Le=Zb*sin(θ)/(2π*F3)
(Zb是F3频点对应的阻抗值;θ是F3频点对应的角度值;它们的值可通过导出的阻抗曲线列表查得。分子是F3处的感抗。)

磁路有短路环的单元,其阻抗曲线谐振峰后频段比较平坦,则不需要CR电路。

应注意针对高音单元阻抗峰补偿电路LCR(分频点离阻抗峰小于2频程时使用),此网络是放在高通滤波器前面(信号输入端)使用的,因此它同时对低音单元有效,RC的插入会与LCR网络发生冲突,导致极低阻抗而伤害功放。













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发表于 2023-11-15 10:49 | 显示全部楼层
yyf901 发表于 2023-11-15 05:50
楼上对的,分析到位。

L型衰减器在一些资料中是以单元阻抗Z计算的,因为中/高音单元Z与Re的值挨得很近, ...

感谢前辈普及RC电路的知识点,有营养的干货

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本帖最后由 无边无际 于 2023-12-3 09:46 编辑
yyf901 发表于 2023-11-15 05:50
楼上对的,分析到位。

L型衰减器在一些资料中是以单元阻抗Z计算的,因为中/高音单元Z与Re的值挨得很近, ...

高手,太厉害了。我查看了一些资料,果然是用喇叭的直流电阻计算的,这真是大大出乎我的意料。我原以为,在分频点,因为频率高,高音喇叭阻抗会远高于直流阻抗,所以应该用实际分频点的喇叭阻抗计算衰减电阻。我分析了一下电路,用了L形衰减网络后,因为有一个电阻和喇叭并联,如果衰减量大,这个并联的电阻就会比较小,就会强制把并联后的阻值限定在一定范围内了。比如,喇叭直流阻抗4欧姆,20K时候,喇叭阻抗可能有20欧姆,而跟它并联的电阻才4欧姆,这样,并联后的阻值主要由4欧姆电阻决定,竟然还起到了阻抗稳定的作用。请教下,是不是这样?不过阻抗、Qes稳定了,但是Re毕竟不等于Z,计算的衰减就不准确了吧?

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无边无际 发表于 2023-12-2 21:30
高手,太厉害了。我查看了一些资料,果然是用喇叭的直流电阻计算的,这真是大大出乎我的意料。我原以为, ...

是这个道理。
线性衰减(通频带一视同仁),用Re参与计算即可,准的。
原理:R串+(R并//Re)=Re,也就是既起到了衰减作用,又不改变喇叭参数。
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