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发表于 2023-11-15 05:50
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本帖最后由 yyf901 于 2023-11-15 06:00 编辑
楼上对的,分析到位。
L型衰减器在一些资料中是以单元阻抗Z计算的,因为中/高音单元Z与Re的值挨得很近,虽不能算错,但不够严谨。
《扬声器系统设计手册》中,阐述CR电路有这样一段话“这个电路也可以使用在球顶高频扬声器单元,不过一般不是用来方便分频网络的工作,而是为了消除刺耳感以及保证L形衰减电路的精确应用。”不难看出,手册作者也是把L形衰减器与单元阻抗勾连的。同时还提到了“消除刺耳感”。
高音扬声器Q值也是五花八门,涵盖范围从零点几---几,“消除刺耳感”是针对高Q值的高音单元而言,所以,高音单元选择阶段,TS参数测量步骤不能少。
当遇到高Q值高音单元时,L形衰减器、CR电路需要同时存在。(个人经验,Qtc大于2要使用CR补偿)
振膜振速是电声转换要素,频点处阻抗相对大振速相对高。为了让低音单元低通滤波器更好发挥衰减斜率的作用,CR电路当是标配。
继续延伸是CR电路设计内容。通常是简单计算后通过测量/调整C值。
电容值的不确定来自音圈平均电感值Le的不确定,为此派生出繁简不一的阻抗补偿计算方法,CR则是既简而好的阻抗补偿电路。
补偿电路电阻R=1.25Re;
补偿电路电容C=Le/R^2,(Le单位:uH)
Le要取音圈电感平均值,会用到多用途示意图:
图中F1频点对应标称阻抗值,此频点差不多是单元阻抗最低处,原本可以从此频点向上到20KHz频段取音圈平均电感值(Le),但要考虑功放负载为4欧甚至2欧时、当分频器设计有些瑕疵而导致的某处阻抗过低问题,则应把阻抗曲线的基准值取高一点,也就是补偿的起始频点取在F2位置:
F2=F1*2^1.5=2.8F1;
单元阻抗值较高(6欧、8欧),F2=F1即可。
找F2---20KHz频段的1/2频程频点F3:
F3=F2*2^(20lg((20000/F2)/lg(2))/2)
嫌计算麻烦可以用:
F3=5*F2来就简计算(F2差不多在800赫兹附近);
F2=F1时,F3=8*F2。
音圈平均电感值Le=Zb*sin(θ)/(2π*F3)
(Zb是F3频点对应的阻抗值;θ是F3频点对应的角度值;它们的值可通过导出的阻抗曲线列表查得。分子是F3处的感抗。)
磁路有短路环的单元,其阻抗曲线谐振峰后频段比较平坦,则不需要CR电路。
应注意针对高音单元阻抗峰补偿电路LCR(分频点离阻抗峰小于2频程时使用),此网络是放在高通滤波器前面(信号输入端)使用的,因此它同时对低音单元有效,RC的插入会与LCR网络发生冲突,导致极低阻抗而伤害功放。
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