[分立后级] 试验MOSFET单管单端甲类放大器.

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 楼主| 发表于 2010-3-8 08:15 | 显示全部楼层
应该知道B=N*I*L
而L是与匝数近似平方关系,请大家自己代入计算下,看胆机和晶体管变压器有哪些区别?会饱和吗?当然这个变压器肯定要留空气间隙.另外要上高电压的兄弟,请你做一下MOSFET在400V工作的负载图看下,我做不出,我看下你是怎么做到的。

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发表于 2010-3-8 08:32 | 显示全部楼层

需要那么高电压吗?

偶瞎猜,上100应当可以吧。主要是想把电流降些下来...
没研究过,但愿这个状态下MOS的工作点应当没问题.....
偶经常想起以前的电视机里边那个用牛的音频功放,简简单单的电路,二、三只管子,很高的电压,声音好听..............

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发表于 2010-3-8 09:56 | 显示全部楼层
上电路图看看。

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发表于 2010-3-8 11:12 | 显示全部楼层
应该知道B=N*I*L
而L是与匝数近似平方关系,请大家自己代入计算下,看胆机和晶体管变压器有哪些区别?会饱和吗?当然这个变压器肯定要留空气间隙.另外要上高电压的兄弟,请你做一下MOSFET在400V工作的负载图看下,我做不出 ...
雨滴02 发表于 2010-3-8 08:15



你知道输出变压器的作用之一,就是阻抗变换吗?如果采用100:1的输出,意味着8欧纯电阻负载时,其晶体管的实际负载是800欧

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发表于 2010-3-8 11:43 | 显示全部楼层
理想變壓器的初級輸入功率等於輸出功率(理想變壓器無功率損失).
匝數跟電壓成正比, 匝數跟電流成反比, 匝數的平方跟阻抗成正比.

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 楼主| 发表于 2010-3-8 11:43 | 显示全部楼层
谁说要用100:1的变压器了.晶体管的目前1:1甚至更小,请你做个负载图看下,我请教下.

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发表于 2010-3-8 16:31 | 显示全部楼层
谁说要用100:1的变压器了.晶体管的目前1:1甚至更小,请你做个负载图看下,我请教下.
雨滴02 发表于 2010-3-8 11:43


你都上400V了,还用1:1输出?那当然不行,我叫你上高压,就是要上电子管输出牛,否则,怎么降低电流?不降低电流,有什么意义?

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发表于 2010-3-8 16:44 | 显示全部楼层
32欧/8欧的???

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顶起来.

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这个好方案好。以前正犹豫做不做。准备用四个场管并连。用变压器输出。

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发表于 2010-3-11 11:33 | 显示全部楼层
1# 雨滴02


在单管的后面加一级跟随器就不用输出牛了.

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soundgood兄弟,你自己没搞明白.你知道MOSFET的内阻是很低的,负载线也不同于电子管.清楚这些你就知道为什么设计到低电压大电流模式了.MOSFET这种240不可能工作在高压小电流的不然不成了电子管了?呵呵.

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请你看下DATASHEET

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输出牛用薄膜合金如何?

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那太好了,太贵

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 楼主| 发表于 2010-3-13 21:51 | 显示全部楼层
不能光说不练.以事实说话.有图有真相.
今天稍微有点时间.弄那个破变压器做了个测试.不是非常严格的测试,提供图供大家分析。
说明下:
1)所用电源功率不大,下次接大的。这次懒得弄了。
2)MOSFET用的IRF240管子小电流曲线不是很详细,大致估算了下阻抗。
3)输出变压器简易做的.基本是1:1,有多个抽头供测试.
4)负载固定的8欧姆电阻.
5)测试仪器,普通示波器.
改天喝点酒.上20多万进的动态分析仪器测试,呵呵.大材小用拉.

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 楼主| 发表于 2010-3-13 21:52 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2010-3-13 21:53 | 显示全部楼层
注意到这个电路的架构完全和电子管相同,由于场管和电子管一样都是电压型的。为设计省了很多事情.
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