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 楼主| 发表于 2026-8-17 09:56 来自手机端 | 显示全部楼层
Astralark 发表于 2026-8-16 00:51
那我可能下载的是你的贴片 OM2.7 Gerber,我还打了,不过我做的是原版穿孔的 。。。

我看了下 100W 是 ...

120w的我还没详细看过,等我得闲睇睇系埋更容易做先,现在100w卡住了。

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 楼主| 发表于 2026-8-17 09:57 来自手机端 | 显示全部楼层
牛哥 发表于 2026-8-16 11:09
还是看着这个瘦长的PCB将来贴地安装更方便一些,只是面积较大,不能白嫖了。

牛哥好,这个布局的我也刷到了,好像还有打板文件,等我找找分享下。

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 楼主| 发表于 2026-8-17 10:01 来自手机端 | 显示全部楼层
再次请教以上大神啊,我现在卡在焊接大管的步骤了,不管焊接大管,大管栅极对地电压,一边7v,一边12v啊,可是静态可调电阻已经最大了,这两个栅极开启电压还是那么大。

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 楼主| 发表于 2026-8-17 10:04 来自手机端 | 显示全部楼层
没焊接推动管和大管前,我按diyaudio上的调试步骤,将差分级电流调到1.4ma,电压级已经调到0.45ma左右的了,可是焊接推动管后,就出问题了,会不会是我用TTC004b/TTA004b代替2SC3503/2SA1381的问题?这两对管在作为推动管不能直接替换?

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发表于 2026-8-17 10:32 | 显示全部楼层
e1cwx1234 发表于 2026-8-17 10:01
再次请教以上大神啊,我现在卡在焊接大管的步骤了,不管焊接大管,大管栅极对地电压,一边7v,一边12v啊, ...

还是上个清晰点的原理图吧,然后再慢慢说.

100W-CFA-VMOSFET-1.4-sch.jpg
您的顾虑是对的,输出管采用的是IRFP240-9240,这对管子的开启电压在4V左右,再加上前面的BJT驱动管的BE之间的电压,上下每臂的偏置电压也就是偏压调整电路(C27)两端的电压应该是在9V左右,具体分配到输出管的U-GS之间大约是4V左右。在安装IRFP240-9240之前,必须把U-GS之间的偏置电压调整到最小,不高于3V,否则上去大管通电必然要烧管子。

从电路上看应该有2点需要注意:
1、偏置电路中的发光二极管特意注明是红色的,因为红色发光二极管开启电压大约是1.7V稍多,这是发光管里面最低的,如果用了绿色、黄色、紫色发光管,会引起偏置电压过高调不下来的情况。
2、如果仔细检查以后原件的选择安装没有问题,可以尝试减小电阻R21=3.3K。建议先用R21=2K左右的电阻替换一下,看看情况会怎样。

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 楼主| 发表于 2026-8-17 11:05 来自手机端 | 显示全部楼层
牛哥 发表于 2026-8-17 10:32
还是上个清晰点的原理图吧,然后再慢慢说.



谢谢牛哥回复,又学到了,这里的led我用的和前面两个led一样都是红色的,压降测过1.7v多一些,就是没问题了,我下午再测一测c27两端电压,然后不行就把r21减少,我中点伺服的小板焊上去了,还是麻烦了,把要检查的元件盖住了,看来要搞个可以拆下的。

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 楼主| 发表于 2026-8-17 11:07 来自手机端 | 显示全部楼层
另外请教下这里U-GS电压是测量栅极150欧电阻的压降还是测量栅极对地的电压?我问ds距话测栅极对地电压?我之前说的7v,12v也是栅极对地电压。这样测量没问题吧?

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发表于 2026-8-17 11:40 | 显示全部楼层
e1cwx1234 发表于 2026-8-17 11:07
另外请教下这里U-GS电压是测量栅极150欧电阻的压降还是测量栅极对地的电压?我问ds距话测栅极对地电压?我 ...

U-GS定义就是MOS管的栅极对源极的之间的电压,而不是对地。
鉴于您现在的情况,还没有装输出级MOS管,可以直接测量R17两端的电压作为上下两臂IRFP240和IRFP9240两管的偏置电压之和,上面我们说过两管的偏置电压之和只有在8V以下(上下两臂分别小于4V),上大管才是相对安全的。
但是前提要保证放大电路是闭环的,不装大管还要有大环路负反馈,这个需要做点文章,这个电流膜架构的电路还真不太好弄,先这样试试吧:不接输出级大管,暂时在每个输出管的栅极和源极之间分别焊一个3K左右的电阻(每个板子上4只)试试,也就看这个位置好拆卸原件了。

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发表于 2026-8-17 11:46 | 显示全部楼层
对了,明确一下,您之前测试的7V、12V,不应该对地,应该是对输出端,因为源极电阻为0.165欧姆产生的压降很小,可以粗略的忽视。只有到最后需要测量每个输出管的电流时候,可以测量这些源极电阻上的压降换算成电流。

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 楼主| 发表于 2026-8-17 11:52 来自手机端 | 显示全部楼层
牛哥 发表于 2026-8-17 11:40
U-GS定义就是MOS管的栅极对源极的之间的电压,而不是对地。
鉴于您现在的情况,还没有装输出级MOS管,可 ...

理解了,谢谢,原来我之前测电压都测错了,AI还是有坑啊,另外请教下这个3k电阻有无功率要求,用来闭合电路的话,功率1w的3.3k电阻可以吗?我手头没有更大功率的了。

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发表于 2026-8-17 12:07 | 显示全部楼层
    这个偏置电路是Vbe 倍增结构,电位器阻值越大,电压倍增系数越高,上下栅极的偏置压差就越大。
    想要降低偏置电压,应该把电位器旋到阻值最小,不是最大。

    这个电路是源极输出结构,MOS 管源极接 OUT 输出端,只有当输出中点稳定在 0V 时,栅极对地电压才近似等于 Vgs。
    MOS 管的开启电压是Vgs(栅源电压),不是栅极对地电压。
    没焊大管、电路未调平衡时,中点电压飘移很正常,此时对地电压不等于开启电压,所以就没有 “偏置太大”这个说法了。

    先不要纠结栅极电压,焊好大管,交流输入端串个灯泡限流后再上电;
    上电后先调 P2 电位器,把输出中点直流电压调到 ±50mV 以内,让源极电位接近 0V;
    再慢慢调P1电位器,以源极电阻压降为依据,把静态电流设到目标值(建议先设单管 50~80mA,热稳定后再微调);
    热机大概10分钟后复查中点和静态电流,确认无漂移就OK了。

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发表于 2026-8-17 12:28 | 显示全部楼层
e1cwx1234 发表于 2026-8-17 11:52
理解了,谢谢,原来我之前测电压都测错了,AI还是有坑啊,另外请教下这个3k电阻有无功率要求,用来闭合电 ...

暂时用于调试的3K电阻功率没有要求,0.25W的都够用。

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发表于 2026-8-17 12:36 | 显示全部楼层
HuBin168 发表于 2026-8-17 12:07
这个偏置电路是Vbe 倍增结构,电位器阻值越大,电压倍增系数越高,上下栅极的偏置压差就越大。
    想 ...

“这个偏置电路是Vbe 倍增结构,电位器阻值越大,电压倍增系数越高,上下栅极的偏置压差就越大。
    想要降低偏置电压,应该把电位器旋到阻值最小,不是最大。”

这点要探讨一下,可调电阻是在BE之间,应该是可调电阻位于最大位置的时候,U-CE才是最小的。

您的串灯泡调试方案很好,我现在因为没有灯泡,一般是用可以设置过载电流的双路输出稳压电源了,只可惜手头的这个老式模拟电源是最高32V输出,最大电流3A的,也可以粗略调试电路了。

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 楼主| 发表于 2026-8-17 13:33 来自手机端 | 显示全部楼层
再次谢谢以上大佬的指教,调试更加清晰了,现在不上大管,在GS极之间跨接一个3.3k电阻(两对大管共4只都跨接),然后静态电阻调最小,通电,测得3.3k电阻一边电压3.8v左右,一边4.3v左右,看来这个就是vgs电压了吧?也就是U-GS电压?另外关于可调电阻究竟是调大还是调小,我也很乱,diyaidio上面的翻译是说一开始调最大,Hu大佬在前面说调小,所以迷惑。但是我一开始调最小,串3.3k电阻是3-4v左右,等我将可调电阻调大,这个3.3k两端电阻会变小的,我从最小调到2.2k左右,电压范围变成1.5v到2.5v左右。

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 楼主| 发表于 2026-8-17 13:34 来自手机端 | 显示全部楼层
看来电路应该没问题,准备安装大管试试先,赌一把,就只有两对大管,千万别烧啊。。
IMG_20260817_133323.jpg

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发表于 2026-8-17 13:50 | 显示全部楼层
e1cwx1234 发表于 2026-8-17 13:33
再次谢谢以上大佬的指教,调试更加清晰了,现在不上大管,在GS极之间跨接一个3.3k电阻(两对大管共4只都跨 ...


嗯,现在的3.3K电阻两端电压就是对应后面要焊接大功率管IRFP240和IRFP9240的,在焊接大功率管之前必须保证这个电压不能高于4V,最好是调整到3V左右。
经过以上调整好之后,拆掉3.3K电阻,焊上大管子一对大管,再缓慢调整P1,同时测量源极电阻上的压降,开始的时候只要有较小的电流就可以,按照45楼的原理图,源极电阻为0.165欧姆。假如测量这个电阻上的压降达到10MV,这只对应管子的电流就是大约60MA。

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发表于 2026-8-17 14:16 | 显示全部楼层
转移一下从隔壁论坛下载的打扮文件:


顺便上个图片:

cfa dadot top silk.jpg


CFA 100W DADOT_gerberx2.zip (476.3 KB, 下载次数: 81)

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发表于 2026-8-17 15:07 | 显示全部楼层
本帖最后由 HuBin168 于 2026-8-17 15:09 编辑
牛哥 发表于 2026-8-17 12:36
“这个偏置电路是Vbe 倍增结构,电位器阻值越大,电压倍增系数越高,上下栅极的偏置压差就越大。
    想 ...


      我重新梳理了一下,是的,前辈是正确的,姜还是老的辣,不服不行

      三极管集电极 C 接上端、发射极 E 接下端,固定电阻串联在 C 与 B 之间,可调电阻串联在 B 与 E 之间。
      稳态下基极电流很小可忽略,流过 C-B 和 B-E 支路的电流近似相等:I = Vbe÷Rbe
      总集射极电压为 C-B 压降与发射结压降之和:Vce=I×Rcb+Vbe

      确实,B-E 之间的电阻越大,Vce 越小,C-B 之间的电阻越大,Vce 越大。

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 楼主| 发表于 2026-8-17 17:11 来自手机端 | 显示全部楼层
感谢以上两位大佬的技术赞助,没有烟花,已经开声,就是静态调节太磨人了,从2.2k一直调小,几圈几圈的来,又不敢拧太多喔,拧到500欧左右才开始有变化,现在调个10mv试听紧,差小管散热没有合适的,大管散热也没有大的散热片,要啥啥没有。。。
IMG_20260817_153608.jpg

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 楼主| 发表于 2026-8-17 17:13 来自手机端 | 显示全部楼层
现在有新的问题,再次请教,diydudio上面建议静态130到150ma,就是对应25mv左右吗?可是这个电路很神奇,p管和n管的源极电阻一个0.165欧,一个0.235欧,测出来的静态不一样的,不平衡关系大不大。就比如上面的我一边调10mv,另一边只有7mv左右。
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