13款国产功率管对比测试。ADL。杰盛微。质超1943/5200，质超M(N)JW0281/0302与ON

liujian2024 · 发表于 2026-5-18 22:54

本帖最后由 liujian2024 于 2026-5-19 17:02 编辑

在此要再次强烈推荐一下ADL的A1943/C5200，一致性好，耐压高，极间电容最小！
意味着其高频可能有意外精彩表现！期待坛友测试反馈！

前后买了几十对，3元一只，最低302V，HFE108-138。

前面用LCR直测上面管子的极间电容数据(10kHZ，0.3V),发现倒换极性测试时有的结果出入较大，
估计0.3V下的导通泄露电流有影响，改为0.1V测试无差异，结果如下：
10kHz/0.3V          Cbc/Cbe                                        Cbc/Cbe
C5200(ADL)    1.75/4.58  nF          NJW0281(ON)    1.77/5.72  nF
C5200(杰盛微) 2.45/7.85  nF          NJW0281(质超)    2.19/8.37  nF
C5200(质超)    3.16/6.77  nF          MJW0281(质超)    2.10/8.27  nF
A1943(ADL)    1.68/3.85  nF          NJW0302(ON)    1.56/4.75  nF
A1943(杰盛微) 1.88/6.04  nF          NJW0302(质超)    1.98/7.23  nF
A1943(质超)    1.79/5.88  nF          MJW0302(质超)    1.93/6.97  nF
15034G ON       981/1483  PF          A1941(ADL)          0.666/1.71 nF
15035G ON       596/1190  PF          C5198(ADL)          0.698/1.83 nF

10kHz/0.1V       Cbc/Cbe                                           Cbc/Cbe
C5200(ADL)    554/4070  pF          NJW0281(ON)       617/5360  pF
C5200(杰盛微) 798/8570  pF          NJW0281(质超)       749/7780  pF
C5200(杰盛微) 613/7240 另一批次
C5200(质超)    594/6120  pF          MJW0281(质超)       747/7920  pF
C5200(东芝)    675/6540  pF          NJW0281(二手ON) 844/7980  pF
A1943(ADL)    747/3500  pF          NJW0302(ON)       1100/4450  pF
A1943(杰盛微) 1165/5680  pF       NJW0302(质超)       1290/6710  pF
A1943(杰盛微) 1180/5640  pF 另一批次
A1943(质超)    996/5480 pF       MJW0302(质超)       1250/6500  pF
A1943(东芝)    1220/5710  pF       NJW0302(二手ON) 1370/6450  pF
A1941(ADL)    445/1630 pF       A1186(三肯)          1030/4650  pF
A1941(东芝)    1120/4500 pF       C2837(三肯)          542/4650  pF
C5198(ADL)    366/1730  pF
C5198(东芝)    585/5060  pF

东芝A1941/C5198为啥容易自激从极间电容可窥见一斑。

码字真是一言难尽。。。

liujian2024 · 发表于 2026-5-19 08:20

本帖最后由 liujian2024 于 2026-5-19 11:08 编辑

从测试和标注的极间电容量看，ADL的A1941/C5198的极间电容最小，更适合做推动，今晚测试其中小电流表现。

筑明 · 发表于 2026-5-19 08:30

楼主辛苦了，感谢您为hifidiy社区的贡献！
另外，极间电容小也有可能是芯片小，比方说，东芝的TTC5200和2SC5200，电流及功率等参数是一样的，结电容是TTC5200更小，拆开看是TTC5200的芯片更小，再仔细看SOA参数，TTC5200要稍微低一些，这样就决定了使用场景，TTC5200多管并联更好，2SC5200单管更优秀。

univers · 发表于 2026-5-19 10:28

我也认同，又不是玩CPU，玩射频RF段，我认为功率级硅片面积大的，内阻才小。现在厂家偷工减料节约成本。。。所以硅片大小是功率管的硬伤。

liujian2024 · 发表于 2026-5-19 15:00

本帖最后由 liujian2024 于 2026-5-19 21:47 编辑

筑明发表于 2026-5-19 08:30
楼主辛苦了，感谢您为hifidiy社区的贡献！
另外，极间电容小也有可能是芯片小，比方说，东芝的TTC5200和2S ...

上述国产1943/5200均进行了5A大电流测试，完全无异常（舍不得砸管子啊）。假小芯管测试如下图：
前年（去年？）制作您共享的P3A时，用的ADL的1943和5200，
正负36V电源串22欧保护电阻，输入输出双空调试中点电压1.5mV和静态电流45mA正常后，
去掉22欧保护电阻，接入5欧负载电阻,接通变压器，电源正负36V直接上电，一瞬间发生了严重的自激（马上断交流，持续约2秒），
0.33欧的电阻都冒烟轻微变色，大管都没事，能抗住自激，管子经受住了考验（下面图中的板子）。

测试了单管重量国产的均在9.50-9.73克之间，重量无异常。水货管重量5.7克左右。

同时进行了2A持续电流（DY294）下的温升对比，从常温至发热至芯片微烫手（约60度），各管持续时间均在23秒左右达到同样温度，与拆机东芝管无差异，甚至持续时间更长。

查TTA1943、TTC5200资料，确实结电容更小，吉林华微TTA1943/TTC5200的TO-3PL封装的Pc是160W，显著高于东芝的150W，证明国产的是有工艺改进的。

明天吉林华微的1943、5200到货后进行测试。

liujian2024 · 发表于 2026-5-19 21:51

本帖最后由 liujian2024 于 2026-5-20 09:22 编辑

上一下马家TB店的三洋TO-126ML封装视频管的合照，可能还漏了1-2种D档的（一个个小袋袋太难找了）。有3种白字磨砂版，全部测试均正常，耐压均合格。

明天上ADL 1941/5198的中小电流曲线，5198与1941线性都不太好。

xc9572 · 发表于 2026-5-19 22:36

liujian2024 发表于 2026-5-19 15:00
上述国产1943/5200均进行了5A大电流测试，完全无异常（舍不得砸管子啊）。假小芯管测试如下图：
前年 ...

东芝老型号2SC5198是多重扩散工艺，TTC5198已改成外延平面，工艺也变了，三肯的重来都是外延平面，不知道哪种工艺好

liujian2024 · 发表于 2026-5-19 23:03

补充A1480与C3790曲线

liujian2024 · 发表于 2026-5-20 08:45

本帖最后由 liujian2024 于 2026-5-20 08:49 编辑

xc9572 发表于 2026-5-19 22:36
东芝老型号2SC5198是多重扩散工艺，TTC5198已改成外延平面，工艺也变了，三肯的重来都是外延平面，不知道 ...

问DS可知，对于音频放大器用的电压和功率等级，两种均可。
扩散工艺的HFE线性稍好，一致性稍差，热稳定稍好，可实现高电压大概率，但结电容大，高频上限低一些，噪声稍高。
多重扩散工艺则凭借其强大的功率处理能力和高可靠性，在电力电子、电源管理、电机驱动和汽车电子等中高功率领域占据主导地位。

外延平面可靠性寿命稳定性好，HFE一致性好，线性稍差，热稳定稍差，结电容小，高频上限高，低噪声。
外延平面工艺以卓越的高频、高速和低噪声特性，成为现代高频通信、超高速数字电路和精密模拟电路等领域不可或缺的基石。

从测试结果来看，ADL的1943、1941、5200、5198应该是采用的外延平面工艺，高频会更佳。

筑明 · 发表于 2026-5-20 08:58

本帖最后由筑明于 2026-5-20 08:59 编辑

我也问了几个AI，得出的对比表：
三极管工艺对比.PNG

1. 耐压（VCEO、VCBO）
多重扩散：深结 + 厚集电区 + 掺杂梯度，耐压更高（可达 200–400V），雪崩特性好。
外延平面：外延层厚度受限，耐压中等（100–200V 常见），过高易穿通。
结论：高压场景优先多重扩散。
2. 电流能力（ICM、PCM）
多重扩散：台面结构电流集中，大电流下易局部过热，ICM 偏小。
外延平面：平面叉指 / 网格发射极，电流分布均匀，ICM 大、散热好、PCM 高。
结论：大电流 / 大功率优先外延平面。
3. 频率特性（fT、fmax）
多重扩散：基区薄、结电容小（Ccb/Cbe 小），fT 高（几十 MHz 到上百 MHz），高频响应好。
外延平面：结面积大、结电容大，fT 偏低（几 MHz 到几十 MHz），高频损耗大。
结论：高频 / 高速开关优先多重扩散。
4. 饱和压降（VCE (sat)）
多重扩散：集电区电阻率高，VCE (sat) 偏大（1–2V），大电流下损耗高。
外延平面：外延层可低阻设计，VCE (sat) 小（0.5–1V），效率高。
结论：低压大电流、高效率优先外延平面。
5. 二次击穿（SB）与可靠性
多重扩散：掺杂梯度缓解电场集中，二次击穿耐量好、安全工作区（SOA）宽。
外延平面：表面电场集中，二次击穿敏感，需场限环等优化。
结论：高可靠、强抗冲击优先多重扩散。
6. 成本与一致性
多重扩散：三次高温长时扩散，工艺复杂、成本高、参数离散性大。
外延平面：外延 + 平面光刻，量产性好、成本低、一致性强。
结论：大批量、低成本优先外延平面。

liujian2024 · 发表于 2026-5-20 09:07

本帖最后由 liujian2024 于 2026-5-20 09:08 编辑

ADL的1941和5198中小电流测试：

5200线性不太好，测试了2只，结果一样，查与其HFE曲线基本一致。

不过对于推动管，线性的影响不大。

liujian2024 · 发表于 2026-5-20 09:09

本帖最后由 liujian2024 于 2026-5-20 09:16 编辑

筑明发表于 2026-5-20 08:58
我也问了几个AI，得出的对比表：

怎嘛关于电流能力和频率的结论对比刚好相反

我的搜索有敏感词，坛子不让发拦截了，只能截图了

liujian2024 · 发表于 2026-5-20 22:15

本帖最后由 liujian2024 于 2026-5-21 21:13 编辑

测试吉林华微电子的A1943/C5200,与NJW0281/0302，

5A没问题，耐压更不是问题！国产4个品牌中耐压最低的是杰盛微，偶尔会出现耐压不达标的情况，但低的不多。

不得不赞，华微的各型均采购了4只，一致性非常好，出奇的好，同型号HFE最大只差2！

只是对管的HFE差别较大，相差20-25，这点ADL和质超相对较好。

从众多的测试比对结果来看，国货功率管和推动管的一致性都已经非常好了，足功率，毫无疑问，比肩小日子甚至稍有超越！说明国产品牌半导体的工艺精度、技术水品、产品性能、质量检验品控已非同昔比，值得可喜可贺！（耐压指标杰盛微仍需加强控制）