无语密码 发表于 2026-2-5 23:36

3DD15是在散热盘足够大下的散热片下测试功耗的

柳暗花明 发表于 2026-2-6 00:11

Lou 发表于 2026-2-5 22:40
---->通上电,让3DD15D达到50瓦功耗可以正常工作,此时的管芯温度已经上百度了。而国外晶体管是规定管 ...

你把他的温度-功耗曲线图调出来看看,看他是规定的是管芯温度,还是管壳温度。

Lou 发表于 2026-2-6 01:28

本帖最后由 Lou 于 2026-2-6 01:33 编辑

柳暗花明 发表于 2026-2-6 00:11
你把他的温度-功耗曲线图调出来看看,看他是规定的是管芯温度,还是管壳温度。

---> 你把他的温度-功耗曲线图调出来看看,看他是规定的是管芯温度,还是管壳温度

我看到的是管殼溫度呀 ! Tc: Case Temperature.

https://www.onsemi.com/download/data-sheet/pdf/2n3055-d.pdf

您瞭解為何有 power de-rating 嗎?那是因為從管芯到外殼有熱阻呀!若熱阻是零,這圖根本就不用啦!

180016200 发表于 2026-2-6 07:47

无语密码 发表于 2026-2-5 21:05
没做好热跟踪,是极容易烧管的,除非加大交越失真。
那时我已经用了无温补电路,所以3DD15C蛮好用的,现 ...

不是热补偿的问题,您想用三极管直接替换场管,能用吗,而且是工作在单端甲类。当时是无知无畏才能干这样的事

180016200 发表于 2026-2-6 08:01

本帖最后由 180016200 于 2026-2-6 08:04 编辑

Lou 发表于 2026-2-6 01:28
---> 你把他的温度-功耗曲线图调出来看看,看他是规定的是管芯温度,还是管壳温度

我看到的是管殼溫 ...

大家认为3055不好,是因为当时奸商用3DD15打磨换标成3055,这样坏了3055的名声。反过来想,3DD15好,为何不把3055打磨换标呢
实际上功率管好还是不好,输出电流和功率都不是最重要的因素,线性,离散性,结电容这些才是考虑的重点
从我当时用3055替换3DD15来看,3DD15声音发闷,动态不足,刮耳,完全和3055没有可比性。只是当时手里只有万用表,没有示波器这些仪表。无法从数据的角度来客观说明。
我用的3055和3DD15都是正品,当时单位是用3055替换3DD15,才有那么多3DD15玩

柳暗花明 发表于 2026-2-7 14:23

Lou 发表于 2026-2-6 01:28
---> 你把他的温度-功耗曲线图调出来看看,看他是规定的是管芯温度,还是管壳温度

我看到的是管殼溫 ...

好嘛,那你解释一下这条壳温的曲线怎么应用?

lin889889 发表于 2026-2-7 15:56

3055的“115W”与3DD15的“50W”不能直接比的。2N3055的115W功耗是指壳温25°C时的最大允许值,而3DD15的50W额定功耗是指壳温为75±5°C时的最大允许值。由于不知道3DD15的最高允许结温,所以无法折算出壳温25°C时3DD15的最大允许功耗值。
虽然我并不看好以前的老国产半导体元件,但要说2N3055比3DD15好很多,我只能表示呵呵~~~

无语密码 发表于 2026-2-7 20:27

180016200 发表于 2026-2-6 07:47
不是热补偿的问题,您想用三极管直接替换场管,能用吗,而且是工作在单端甲类。当时是无知无畏才能干这样 ...

在我的电路里,单端甲类用什么管都一样,因为静态电流不会改变

Lou 发表于 2026-2-7 21:52

本帖最后由 Lou 于 2026-2-7 21:55 编辑

柳暗花明 发表于 2026-2-7 14:23
好嘛,那你解释一下这条壳温的曲线怎么应用?

---> 那你解释一下这条壳温的曲线怎么应用

Data Sheet 不是寫的很清楚嗎 ?

這個 3055 的包裝熱阻,是 0.657 W/C。也就是晶片每產生 0.657W,外殼就會上升一度。

您先計算晶片消耗多少瓦的能量, 用 Ic * Vce。這就是從外殼到核心的溫差。

圖片中,根據瓦數,就可看到外殼能接受的最高溫而晶體不至於損壞。

此溫差,就等於這個計算 :25C + 0.675 * Ic * Vce。

而晶體外殼與散熱板幾乎同溫,差別大約是一度的雲母片。

在現實 DIY 中,把電晶體裝在散熱板上,放進機箱中,通小電流測量瓦數,再用溫度計量電晶體外殼的溫度後,就知道電晶體還能再加大幾安培,或再多幾瓦,而不至於損毀。

熱阻是線性的,就跟歐姆定律的計算一樣。


柳暗花明 发表于 2026-2-8 02:03

本帖最后由 柳暗花明 于 2026-2-8 17:40 编辑

你这个解释只是部份解释,你只解释了壳温和芯温的关系,但没有解释壳温和Pcm的关系。当实用中壳温上升了100度,Pcm是多少?壳温上升了150度,Pcm又是多少?壳温上升到175度,Pcm又是多少?事实上,只要壳温上升10度,115瓦的Pcm就不存在了。所以我说115W的Pcm就是水中月,镜中花,你只在参数表看得见,实用中你无论如何都得不到它。

无语密码 发表于 2026-2-8 09:48

115瓦是算出来的,没必要实测。
3DD15是实测出来的,没办法计算。

lin889889 发表于 2026-2-8 10:18

应该说从官方公布的参数看,2N3055的最大管耗是大于3DD15的。2N3055在壳温75°C时,管耗极限值可达80W多一点。
但是我们是用来做功放,2N3055的60V耐压,管耗就是再大些也没多大意义。

柳暗花明 发表于 2026-2-8 14:41

Lou 发表于 2026-2-7 21:52
---> 那你解释一下这条壳温的曲线怎么应用

Data Sheet 不是寫的很清楚嗎 ?


归根结底还是要根据壳温推算出芯温,推算出的芯温如果超标了,就要降额使用,你咋不解释降额的问题。并且芯温是发热源,所以我说管芯温度升高了,Pcm就要降低,这话是没毛病的。
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查看完整版本: 初玩850功放板发现超大芯片3DD15D!应该是最大的金封管芯片了吧……