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楼主 |
发表于 2013-12-10 02:00
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dovecdh 发表于 2013-12-9 10:05 
你这样,做上下两种管的CISS差别更大!失真会不小!
你说对一半,的确是上下两个MOS管的Ciss差别更大了,上下两管Ciss对称性变差,的确会带来一定的不对称失真。但是,但是,对栅极影响最大的参数不仅仅是Ciss,还有栅电荷Qg,远远比Ciss影响更大!我们知道MOS是电压控制器件,Gate加电压就能控制器件的开启。这只是静态的说法。实际上Gate跟Source和Drain之间会是一种电容状态。Gate的控制电压并不是马上就能加载上去,而是像电容一样充到一定电压了,器件就开启了。。一个器件的栅电荷Qg大小直接影响到它的开启、关闭的速度。一夫二妻制,上下两管的Qg差别反而更小了!因为240是70nC,比9240的44nC几乎大一倍。两利相权取其重,两害相权取其轻。
世上难有绝对的完美,我相信,正温管的美艳能让任何人同时接受她脸上的小痣。 |
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