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智能图示仪使用说明
测量界面介绍 一般测量都使用菜单的“开始测量”-》“全能曲线测量”
屏幕如上图,分几个区域
1-测量模式选择标签
2-测量条件设置区域
3-测量结果数据区域
4-曲线显示区域
5-坐标轴区域
6-曲线颜色和名字附加信息
1号区域内3个标签分别对应这3种测量模式:
①Vb可变,Vce固定。用于测量Hfe-Ic曲线、Vbe曲线。
②Vce可变、Vb固定。用于测量MOS管Vds-Id曲线。
③恒定Ib、Vce可变,用于测量三极管Vce-Ic曲线。
前两种是恒压方式测量,第3种是恒流测量。
用户需要设置的测量条件在2号区域,允许设置的参数有Vb、Vce、Ib以及步进幅度;
注意:1.在这个系统中发射极是基准电位,Vb、Vce、Ib都是相对于发射极来说的,是可正可负的电压/电流,根据测量不同类型管子设置不同的极性和数值。
2.系统约定流入到E极的电流方向为正;比E极电压高的为正电压。反之..。
3.步长是绝对值,系统自动根据最大、最小值来自动确定步长的正负符号。
“最大测量电流”这个参数是保护参数,只要测量时集电极电流的绝对值超过这个设定的值,测量就停止。
“量程选择”是测量时要用那个Rb RC量程。如果测量的电流较少,那么要选择较大阻值的量程才能获得较好效果,
当用户选择了“Vce可变、Ib固定”模式时,这时的RB是不可选的,系统根据用户给出的基极电流计算出应选择那一档RB,再提示用户选择正确的RB量程。
系统可以测量出6种结果,分别是Ic、Vbe、Vce、Hfe、Ib、Vce。用户根据要测的特性曲线选择正确的横竖坐标对应的那个参数。
“镜像”这个选项是将X或者Y轴测出来的结果进行取负,其实就是坐标象限转移,例如测量NPN的Ic-》Hfe是在第一象限,而PNP管的Ic-》Hfe曲线其集电极电流ic是负的,Hfe是正的,因此曲线在第4象限。如果想比较这两种异极性管子,但因为他们在不同象限很难比较。因此测量PNP前,钩上X轴的镜像标志,这样测出来的集电极电流都变成正,曲线就迁移到第一象限显示,可以方便的比较NPN和PNP的曲线了。
“其他测量值”是一同在表格里面显示的其余结果。这个主要用于辅助判断曲线的数据是否有效。
“清除数据”按钮是将所有曲线和表格都删除
当设置好参数后,插入管,点“确定”就开始测量了。
因为设置参数比较麻烦,所以系统提供一个“装入预定义测试条件”的功能;用户只要在2号区域空白的地方右击,可以装入预先定义好的测量条件或者将当前的测量条件保存。
当点了“确定”后,系统根据参数设置相应的电压,并按给定的步长改变可变参数,每改变一次就测量并计算出Vce、Vbc、Vbe、Ic、Ib、Hfe一组数据,并根据用户的选择,将数据写到3号区域的表格中,同时将“点”显示在右面4号区域的曲线区,并和前后的数据连成折线图形。
每点一次“确定”,产生一个新的标签页存放测量的数据和一条新的曲线,每条曲线以不同颜色显示,为了将标签页和曲线联系起来,在标签页头有一个标识名字和一个颜色块,曲线区右边的6号区域也显示曲线颜色和关联的标签页名字。(没注册的程序只能同时显示一条曲线)。
表格数据的浏览和修改
3号区域里面的数据就是测量的结果,但也允许用户更改,双击单元格允许修改这单元格的内容,按Ctrl+Y删除光标所在整行数据。
在标签页页头右击会弹出菜单,允许用户改变标签名、改变和此标签关联曲线的颜色、隐藏和此标签关联的曲线、刷新曲线、删除当前标签页、平滑曲线、保存此数据、或者装入以前的数据。
改变颜色就是改变关联曲线的颜色。
隐藏曲线就是右面作图窗口不显示关联的曲线。
如果用户修改了数据,需要“刷新曲线”才能利用新的数据重新描画曲线
删除当前标签页,就是将此标签的数据以及关联的曲线删除
平滑曲线功能是重新产生一个新的标签页和曲线,其数据来源就是原有数据的连续3个数据的平均值。
保存数据功能就是将数据保存到磁盘,以后可以再调出来看,保存仅仅是保存结果数据,测量条件是不保存的。
装入数据就是装入以前的数据,完全取代这页的数据;如果是右击第一页“原理图”选择装入的话,则是创建一个新的标签页和曲线(未注册同一时间只有一页)。
曲线的移动放大操作
测量的曲线显示在右面4号的曲线区,曲线区就是一个坐标图,X坐标轴就是3号区域表格的第一列,Y轴是第二列,但不显示单位。
光标在曲线曲移动时,两个坐标轴有两个标签会随着光标移动,显示光标点的坐标值。
在作图区按着鼠标右键移动就能平移曲线图
按着鼠标左键画一个框,就能放大显示框范围内的曲线
按着鼠标“向上向左”任意画一个框,就能恢复原有比例、显示整条曲线。
坐标轴的控制
右击纵坐标Y,会弹出菜单允许用户设置Y轴显示的最大最小值,“自动坐标”的功能也是让系统根据实际结果数据决定显示比例。“坐标轴反相”的功能是将原本是向上递增的Y轴变成向下递增。
右击横坐标X,出现的功能菜单和Y轴一样,不再详述了。
数据的插值排序(主要用于配对)
在4号曲线区区域右击,出现两个菜单项:“同一X轴排序”和“同一Y轴排序”,就是计算所有曲线在同一个X坐标(Y坐标)时的对应的Y(X)的值,并且按由小到大顺序排序。
下面简单说一下各种类型的测量条件设置
(一)、NPN Vce-Ic输出特性曲线
基本测量原理如下
条件说明:
1.这条曲线是恒定基极电流Ib,Vce可变测量模式,就是第3个标签。
2.NPN正常工作状态下Vce和Ib都是正的,所以设置Vc从0到35V,步长0.5V
3.Ib也是正的,设置为0.01mA。
4.最大测量电流为50mA
5.Rc量程选择1K或者10K(看实际的Ic决定)
6.其X轴是Vce、Y轴是Ic,
7.Vce和Ic都是正的电压,因此XY轴都无需镜像。
8.其他测量值可以选上Ib,以便看看测量途中Ib是否有变动。
9.板上的Rc量程要和程序上的设置一样
10.按确定,此时系统提示要求Rb拨至100K档,就将Rb拨到100K量程,再点确定就能测出一条类似下面的曲线。
11.然后改变Ib为0.02mA、0.03mA、0.04mA、0.05mA、0.06mA等递增,每个Ib对对应一条不同的曲线,汇总起来就是下面的一簇Vce-Ic特性图。
因为在uA级别的恒定Ib不是很准确,因此设置10uA,但发生出来的可能是8uA甚至14uA,,但这不影响实际使用,只要测量途中其Ib是恒定的就可以了。
(二)、NPN Vbe-Ic输入特性曲线曲线
测量示意图如下:
1.这条曲线是恒定集电极-发射极Vce之间电压下测量,通过改变基极电流,测量其集电极电流Ic和基极-发射极Vbe之间的关系,所以应该选择“Vb可变、Vce固定”模式,即第1个标签。
2.Vb是正的电压,所以设置Vb从0到10V,步长0.1V
3.Vce也是正的,设置为5V。
4.最大测量电流为50mA
5.Rc量程选择1K或者10K(看实际的Ic决定)
6.Rb选100K量程,这样产生的基极电流范围为0-(10-0.65)/100K=95uA左右。
6.其X轴是Vbe、Y轴是Ic。
7.Vce和Ic都是正的电压,因此XY轴都无需镜像。
8.其他测量值可以选上Vce,以便看看测量途中Vce是否有变动。
9.按“确定”就能测出一条类似下面的曲线。
如果你看到的效果不太的话好,可以放大或缩小一下曲线图和坐标轴,或者用其他的Rb/Rc量程再测一下。
注意:
有时候Ic太大,在集电极电流采样电阻上压降太大,一直Vce达不到原给定的条件。此时可以看见那些Vce偏小的点在曲线有跳动。此时应检查一下测出的结果末尾的数据,看看最后面的数据其Vce是否偏离太大。
(三)NPN Ic-Hfe特性曲线
1.这条曲线和Vbe-Ic的测试条件是一样的,都是恒定集电极-发射极之间电压下测量,通过改变基极电流,测量其集电极电流Ic和Hfe之间的关系,所以应该选择“Vb可变、Vce固定”模式,即第1个标签。
2.Vb是正的电压,所以设置Vb从0到10V,步长0.1V
3.Vce也是正的,设置为5V。
4.最大测量电流为50mA
5.Rc量程选择1K或者10K(看实际的Ic决定)
6.Rb选100K量程,这样产生的基极电流范围为0-(10-0.65)/100K=95uA左右。
6.其X轴是Ic、Y轴是Hfe
7.Hfe和Ic都是正的电压,因此XY轴都无需镜像。
8.其他测量值可以选上Vce,以便看看测量途中Vce是否有变动。
9.按“确定”就能测出一条类似下面的曲线。
要注意问题和上面的一样。
PNP的和NPN的一样,只不过所有电流、电压都改成负的电流、电压;有时候还要钩上某些镜像标志。
N-MOS管Vgs-Id输入特性曲线曲线
测量示意图和NPN 的Vbe-Ic一样:
1.这条曲线是恒定集电极-发射极Vce之间电压下测量,通过改变基极电流,测量其集电极电流Ic和基极-发射极Vbe之间的关系,所以应该选择“Vb可变、Vce固定”模式,即第1个标签。
2.Vb是正的电压,所以设置Vb从0到5V,步长0.1V
3.Vce也是正的,设置为5V。
4.最大测量电流为50mA
5.Rc量程选择1K或者10K(看实际的Ic决定)
6.因为MOS管不吸收电流,Rb选小一点,取1.2K。
6.其X轴是Vbe、Y轴是Ic。
7.Vce和Ic都是正的电压,因此XY轴都无需镜像。
8.其他测量值可以选上Vce,以便看看测量途中Vce是否有变动。
9.按“确定”就能测出一条类似下面的曲线。
N-MOS管Vce-Ic输出特性曲线
基本测量原理如下
[ img NMOS Vds-Id测量原理图]
条件说明:
1.这条曲线是恒定基极电压,Vce可变测量模式,就是第2个标签。
2.N-MOS正常工作状态下Vce和Vgs都是正的,所以设置Vc从0到35V,步长0.5V
3.Vgs也是正的,设置为3.3V。
4.最大测量电流为500mA
5.Rc量程选择1.2K
6.其X轴是Vce、Y轴是Ic,
7.Vce和Ic都是正的电压,因此XY轴都无需镜像。
8.其他测量值可以选上Vbe,以便看看测量途中Vgs是否有变动。
10.按确定,就能测出一条类似下面的曲线。
11.然后改变Vb为3.4V 3.5V 3.6V...等递增,每个Vgs对对应一条不同的曲线,汇总起来就是下面的一簇Vce-Ic特性图。
因为这里使用的不是专用DAC,因此出来的电压和条件设置的电压不一定准确相等,但这不影响实际使用,只要测量途中其Vbe是恒定的就可以了。
N-JFET管Vgs-Id输入特性曲线曲线
1.这条曲线是恒定集电极-发射极Vce之间电压下测量,通过改变基极电流,测量其集电极电流Ic和基极-发射极Vbe之间的关系,所以应该选择“Vb可变、Vce固定”模式,即第1个标签。
2.JFET正常工作是负的Vgs电压,所以设置Vb从0到-5.5V,步长0.05V
3.Vce也是正的,设置为5V。
4.最大测量电流为50mA
5.Rc量程选择1K或者10K(看实际的Ic决定)
6.因为MOS管不吸收电流,Rb选小一点,取1.2K。
6.其X轴是Vbe、Y轴是Ic。
7.Vce和Ic都是正的电压,因此XY轴都无需镜像。
8.其他测量值可以选上Vce,以便看看测量途中Vce是否有变动。
9.按“确定”就能测出一条类似下面的曲线。
N-JFET管Vce-Ic输出特性曲线
1.这条曲线是恒定基极电压,Vce可变测量模式,就是第2个标签。
2.N-MOS正常工作状态下Vce和Vgs都是正的,所以设置Vc从0到35V,步长0.5V
3.Vgs也是负的,设置为-1.5V。
4.最大测量电流为500mA
5.Rc量程选择1.2K
6.其X轴是Vce、Y轴是Ic,
7.Vce和Ic都是正的电压,因此XY轴都无需镜像。
8.其他测量值可以选上Vbe,以便看看测量途中Vgs是否有变动。
10.按确定,就能测出一条类似下面的曲线。
11.然后改变Vb为3.4V 3.5V 3.6V...等递增,每个Vgs对对应一条不同的曲线,汇总起来就是下面的一簇Vce-Ic特性图。
因为这里使用的不是专用DAC,因此出来的电压和条件设置的电压不一定准确相等,但这不影响实际使用,只要测量途中其Vbe是恒定的就可以了。
P-MOS和N-MOS一样,电压电流改成负的,坐标轴要镜像。
P-JFET和N-JFET一样,所有电压都取反,坐标轴要镜像。
稳压二极管的特征曲线测量
二极管只有2个极,不需B极参与,因此选择测量模式:Vce可变,Vb恒定就可以了
因为Vce范围只有35V,所以设置Vc范围-18到+18V,
Vb设置为0,选择恰当的Rc量程后确定即可,
光偶三极管其实和NPN测量一样。 |
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