[分析测量] PASS电路的探讨

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 楼主| 发表于 2011-10-15 19:29 | 显示全部楼层
在PASS的Active Current Source全文中就有這樣一個電路.
wensan 发表于 2011-10-15 14:09



  但他的功放里好像没有用这个电路吧

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 楼主| 发表于 2011-10-15 19:37 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2011-10-15 20:56 | 显示全部楼层
能不能贴一个实用的电路,适合家用,方便安装调试的
数据可靠 发表于 2011-10-15 13:54


PASS 现成的电路不就很实用吗?

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发表于 2011-10-15 23:57 | 显示全部楼层
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发表于 2011-10-16 11:39 | 显示全部楼层
本帖最后由 wensan 于 2011-10-16 08:44 编辑
用运放驱动那只三极管主要是考虑三极管需要吃电流,给Ref一个阻抗匹配。
之前有说过为什么不直接用运放驱动。你打开运放的PDF,看看运放有几级放大?它在调整电流时是有延迟的。在这里用一只三极管是最直接,最好的。
lysohu 发表于 2011-10-15 03:26

電路的延遲是大還是小, 光看幾級放大就加以斷定未免太過武斷!
考慮到電路尺寸、製造工藝和先進材料等方面, PASS Alpeh 系列用的MPSA18的 ft 也才100MHz, 現在的低雜訊高速運放如ADA4960-1可達 5GHz, 一只MPSA18三極管的延遲比起高速運放還要大得多.
然而, PASS用一只三極管真的是為了較低的延遲嗎? 那麼下圖中的MPSA18這只三極管為什麼並聯了一只1000PF的電容, 使得延遲更大了呢?

在下很希望能聽聽您的想法, 更希望能看到您能實際實驗來證實您的想法.

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发表于 2011-10-16 14:22 | 显示全部楼层
一看图纸就头都大了~1

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发表于 2011-10-16 15:54 | 显示全部楼层
高手,学习了

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发表于 2011-10-17 00:57 | 显示全部楼层
本帖最后由 wendell 于 2011-10-17 00:59 编辑
这个电路这么不好,很难达到对称,别做了。这应该是早期的电路吧。做AX或X啊。就算单边输入,输出都是对称的 ...
lysohu 发表于 2011-8-4 20:38

ZEN XA不是PASS所設計的電路, 而是Kristijan Kljucaric將兩個ZEN 4變形拼湊而成.

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发表于 2011-10-17 05:42 | 显示全部楼层
這是幾張PASS Aleph系列後級放大器的電路, 是從以前PASS labs網站下載的Service Manual裡的電路圖.
以前PASS labs網站都會公開停產機種的Service Manual讓大家下載, 但由於仿冒太過猖獗, PASS先生將Service Manual從網站上刪除, 不再公開讓人下載.
Aleph12sch.gif
Aleph60sch.gif
Aleph5sch.gif
Aleph2sch.gif
這幾張PASS labs公開電路圖中的Active Current Source的MPAS18三極管都有並上電容.

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发表于 2011-10-17 05:47 | 显示全部楼层
PASS系的设计以简洁来实现目标,
原装电路几乎是无数次权衡利弊后,
以简洁设计达到目标参数最后完美结果
完美到我在电流温飘问题、效率理想化问题的解决办法
研究了一圈  最后还是兜回来:
所有的老PASS都想过了
这个pass专利是平衡所有妥协,而又达到目标的最极致的结果

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 楼主| 发表于 2011-10-17 12:22 | 显示全部楼层
電路的延遲是大還是小, 光看幾級放大就加以斷定未免太過武斷!
考慮到電路尺寸、製造工藝和先進材料等方面 ...
wensan 发表于 2011-10-16 11:39



你问的都是很尖锐的问题,一针见血啊,看来也非等闲之辈。我在你的贴上看到过你的名字柯文山是吧。。呵,我有个客户叫柯文森,也是台湾的。有点谐音啊。。。
我自己做的时候这个电容不加的,要加也不会加在这里,应该加在GS端越靠近越好。   用于去除瞬态DG反馈,防自激用的。我可以做个试验展示一下。

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发表于 2011-10-17 12:57 | 显示全部楼层
你问的都是很尖锐的问题,一针见血啊,看来也非等闲之辈。我在你的贴上看到过你的名字柯文山是吧。。呵,我有个客户叫柯文森,也是台湾的。有点谐音啊。。。
我自己做的时候这个电容不加的,要加也不会加在这里,应该加在GS端越靠近越好。   用于去除瞬态DG反馈,防自激用的。我可以做个试验展示一下。
lysohu 发表于 2011-10-16 20:22

但是PASS先生公開的電路確實是這樣啊!
那是PASS Labs許多年前正式量產的產品, PASS設計的電路以簡潔為上, 加這個電容必有用意.
您說PASS的Active Current Sourec只用一個三極管, 不用運放, 是因為一個三極管的延遲最小, 但PASS刻意加上電容增加延遲, 這就跟您的說法互相矛盾了!

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 楼主| 发表于 2011-10-17 13:17 | 显示全部楼层
我上面的图说的是高Dv/Dt。。用这个图可以更真实的反应出效果。如果用IRF250这种Dv/Dt慢的器件的话在波形上就看不到差别了。不能看到电容加在上面就认为它有延时了,这是相对的啊。

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发表于 2011-10-18 11:33 | 显示全部楼层
对楼主的讲解粗略看了一下…等调整好状态再一一拜读!
楼主在楼上说了能够向大家解释一下关于管子参数的问题!那就请您向大家讲解一下吧!我想:不仅仅是我感兴趣!非常感谢

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 楼主| 发表于 2011-10-18 15:35 | 显示全部楼层
OK,有人敢问,我就敢讲。我会另外开个贴。

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发表于 2011-11-24 11:52 | 显示全部楼层
另外,提醒一下,IR的器件大多都是代工生产的,所以参数相差很大,我这里就有两种IRFP250,一种是国内代工, ...
lysohu 发表于 2011-8-4 15:50



    我也有一些国产的IRFP250M,开启电压较高,不知道是不适合用在音频输出上?
想请教一下,这些相对较差的参数,除了输出电压的损失外,还有那些不利影响?
先谢了~

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 楼主| 发表于 2011-11-24 16:48 | 显示全部楼层
可以用在输出上,国产代工的IRFP250芯片也不是国产的。只是参数上会有差别,高开启电压用在功放上差别不大,用在功放上好的管子主要看它的Qgd这一项,很重要,越小越好。另外,Qgs,开启电压,Qgd的平台电压这三项用于配对。

开关速度选慢点的管子比较好。因为再慢的MOS都比三极管快N倍。太快的MOS密勒反馈太强,很难控制,容易自激。两种方法解决,Gate加磁珠电感或加电阻。

发热后参数有差别是因为贴片时芯片和铜基之间的银浆中气泡面积太大和芯片左右高低贴不平衡,还有打线没打好等,导致结温差别大所致。这种器件可以用雪崩能量测试仪,做重复能量承受测试可以选出来。。做重复能量承受时,芯片的热量如果不能及时传给铜基会导致承受的电流下降,能量减低等,最后直接打死器件。这是毁坏式测试,一般厂家一只器件只做一次雪崩,除非是定制的。因为重复测试很慢,而且良率会降低很多,所以测试费很高,有些做下来可能比器件贵。

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 楼主| 发表于 2011-11-24 16:59 | 显示全部楼层
回复 118# yaagoo


    开启电压高的用在开关电源不太好,驱动会变慢,而且高开启电压的器件RdsON高。发热大。
用在功放上和开关电源不同,功放的控制电压都保持在开启电压左右,RdsON也不是决定音质的参数,因为在这里器件不会百分百导通,且MOS在百分百导通下密勒反馈最强,这会引起非线性失真。相对于三极管,Mos的RdsON算是很低的了。。。。器件工作状态不同,有些参数在功放中并不重要,但有些会变得很重要。
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