- 积分
- 201
- 在线时间
- 204 小时
- 最后登录
- 2010-3-11
- 阅读权限
- 5
- 精华
- 0
- UID
- 156781
- 帖子
- 212
- 精华
- 0
- 经验
- 201 点
- 金钱
- 201 ¥
- 注册时间
- 2009-12-19
|
硅材料MOSFET在提高器件阻断电压时,必须加宽器件的漂移区,这会使其内阻迅速增大,压降增高,损耗增大。硅IGBT(绝缘栅双极晶体管)虽然在高压应用时可降低导通功耗,但若开关频率增加时,开关功耗亦随之增大,因此IGBT在高频开关电源上亦有其本身的限制。而用SiC做衬底的MOSFET,可轻易做到1000~2000伏的MOSFET,其开关特性(结电容值,开关损耗,开关波型等)则与100多伏的硅MOSFET相近,导通电阻更可低至毫欧值。在高压开关电源应用上,SiC MOSFET完全可取代硅IGBT并可提高系统的整体效率以及开关频率。近年来,采用少子注入等工艺制作出SiC IGBT功率器件,电阻减为通常硅器件的十分之一以下,再加上SiC器件本身发热量小,因而导热性能极佳。
SiC电子器件有着非常广泛的应用,如电力电子设备、家用电器、工业生产设备、连续供电器、列车牵引设备、高压直流输电设备,将来会应用到PC、服务器、移动电话基站、混合动力车辆等系统。在这些新型电力电子系统中,SiC功率器件是最核心的技术,可大大降低电能的消耗。
低功耗的SiC器件已经从实验室进入了实用器件生产阶段。目前SiC晶圆的价格还较高,其缺陷也多。通过不断的研究开发,预计到2010年前后,SiC器件将主宰功率器件的市场。 |
|