<p>比较透彻,轻轻授精……</p><p>好的方面就不说了,有几点不足:</p><p>1,第三楼,讲了热击穿曲线,但是没有提到二次击穿曲线;要知道后者才是大功率BJT失效的最主要原因;</p><p>2,还是第三楼,关于耗散功率,没有用本质的TJ/TC/热阻分析;另外,顺便提醒一下,ONSEMI POWER BJT的耗散功率曲线一般都是在TJ为150或者200度的测量结果,而不是泛泛的室温25度;</p><p>3,另外,POWER BJT的输入、输出电容/VCE 特性曲线没有提出,即VCE电压越高,则晶体管级间寄生电容则越小;从这个角度说,有利于晶体管放大器性能的提高。</p><p></p>