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<p>先上实物图<br/>
[参赛]半导体智能图示仪
</p><p>
[参赛]半导体智能图示仪
</p><p>这是底面(用热转印做的,所以元件面差不多有20条跳线)</p><p>
[参赛]半导体智能图示仪
</p><p> 这个系统框架是2年前构思的,今年年头才有机会实践,取得突破是3月份采用推勉电源这个关键,历时半年多,总共实践了3个版本,<br/> 第一个版本是原始构思版本,见这里<a href="http://www.hifidiy.net/bbs/dispbbs.asp?BoardID=2&ID=22044&replyID=&skin=0">http://www.hifidiy.net/bbs/dispbbs.asp?BoardID=2&ID=22044&replyID=&skin=0</a>,只能测NPN或者N-MOS,使用不方便。<br/> 第二个版本总体思路已经成型:即用推勉电源代替原有的单极性电源,这样这个图示仪就变成了万能的了,差不多可以检测所有三端器件,并加了2档量程选择,硬件见这里<a href="http://www.hifidiy.net/bbs/dispbbs.asp?BoardID=2&ID=23316&replyID=&skin=0">http://www.hifidiy.net/bbs/dispbbs.asp?BoardID=2&ID=23316&replyID=&skin=0</a>,实际测量结果见这里<a href="http://www.hifidiy.net/bbs/dispbbs.asp?BoardID=2&ID=25593&replyID=&skin=0">http://www.hifidiy.net/bbs/dispbbs.asp?BoardID=2&ID=25593&replyID=&skin=0</a><br/> 第三个版本就是现在的版本,对第二个版本进行完善,对3.3V接口电平的电脑也能使用,并且细分成8档量程,用开关稳压电源代替原有7812,降低功耗,重新布了线和彻底改写程序。</p><p>原理简介<br/>
[参赛]半导体智能图示仪
</p><p> 上面是基本原理图,三端半导体器件分别由3个“推勉”电源驱动,通过设置此3个电源的不同电压来满足测量不同器件的需要,下面举例说明不同器件和不同特征曲线的电压设置方法</p><p>1。NPN(2SC3519)管的输出特性Vce->Ic特性曲线,其实测曲线如图<br/>
[参赛]半导体智能图示仪
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[参赛]半导体智能图示仪
</p><p> NPN正常工作条件为Vb>Ve,Vc>Ve,并且测量Vce-Ic曲线,所以选择测量条件为"Vb固定,Vc可变",并相应设置Vb为正的电压,Vc设定为从0-30V,步长0.5V,这样最多采样60个样,但曲线已经很清晰了,你也可以设更精细的步长;因为我测的管子是2sc3519,是大功率管,允许测量电流较大,所以这里Rc Rb选择2.2K和56欧,因为Rb较小,所以Vb不能太大,所以设为1-3V左右,还有一个参数就是最大测量电流,这个参数用于保护管子,当测量时集电极电流超过设定值,测量就结束了。因为这是大功率管,所以设定最大测量电流为500mA。<br/> .输出特性曲线是以Vce为X坐标,Ic为Y坐标,因此X Y轴选择相应的变量,同时还可以选择其它变量.电脑根据设定好的参数控制Vc递增,并同时测出每一个Vc对应的Vce和Ic,并画出曲线出来。然后改变不同的vb,就又可以画出多条曲线,最终得到如图所示的一簇Vce->Ic特征曲线。系统除了显示曲线出来外,测量的结果数值表格还可以保存以便以后再调出来看。</p><p>2.P-MOS(IRF9610)的输出特性曲线Vce-Ic,其实测曲线如图</p><p>
[参赛]半导体智能图示仪
<br/></p><p> 测量条件同样为"Vb固定,Vc可变",因为PMOS正常工作条件为Ve>Vb,Ve>Vc,这个系统都以Ve为基准点,所以Vb Vc要设为负电压,Vc设为从0到-25V,步长0.5V,被测管IRF9610是大功率管,测量电流较大,因此Rb Rc选择2.2K和56欧,vb设置为负3.8V,这样就可以测出一条曲线出来。但要注意的是,PMOS管工作时,电流是从e流到c和b,因此Vce和Ic都是负数的,所以测出来的曲线是在第4象限,如果用户不习惯的话,系统提供坐标反转功能,将其转到第一象限上显示。</p><p> </p><p> 顺便在这里插入一句:我这个仪器仅使用一个单40V电源,如何得到负电压?这也是本系统一个巧妙之处,其实我也没有采用逆变电路将正电压变成负电压,仅仅是通过设置3个通道不同电压高低而获得“相对负电压”的效果,例如上面测量PNP管,其Vb Vc相对于ve来说都是负的,因此系统将Ve设定为输出一个最高点压,例如25V,而将Vb设置为20V,Vc设置为2-25V变化,这样得到的效果就是Vbe、Vce都是负的电压,满足了测PNP型的需要。通过这种方法,只需一个单电源,就能获得正负电压的效果。并且还获得另两个好处是:一、方便了使用,测量P、N型管时,无须改变插座;二、减少了采样通道,如果采用正负电源,N管的集电极电流采样要到正电源端采样,P型的要到负电源端采样,需要增加一倍采样通道。<br/> 还顺便说一下这3通道电源发生器的结构,这3通道电源一定要用推勉结构输出方式的电 |
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[参赛]半导体智能图示仪
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