[参赛]半导体智能图示仪

lan1997 · 发表于 2006-7-19 21:42

好东西！报价！

aeon · 发表于 2006-7-19 20:09

大力支持这个，配合合适的壳子更好

ob44474 · 发表于 2006-7-19 19:31

搞个比较完整的套件吧，我一定买！

JiangWZ · 发表于 2006-7-19 17:30

强！顶！搂主软件硬件都行，没话说，比我强。要我设计硬件或写单片机程序都行，但就是没法定下心搞计算机软件。

hohoho · 发表于 2006-7-19 17:15

呵呵，是自主创新的吗，符合胡哥的精神啊

小钳子 · 发表于 2006-7-24 12:55

这个项目locky_z已经和我们沟通!具体细节要和locky_z落实!大家等待等待!

locky_z · 发表于 2006-7-24 11:01

<div class="quote">以下是引用aeon在2006-7-24 8:05:00的发言： 使用了两天，发觉配对大功率达输出管非常方便，曲线基本能反映管子的情况，但小电流状态下的参数误差比较大。配对的精度不高。能不能通过重新设计硬件部分来改善？毕竟我配对1MA左右的差分管的时候比较多。</div>测量信号进入AD转换之前，经过一个分压网络，现在的设计是280K/100K，这个阻值较大，较容易感应外面的干扰，第2版本时是20K/6.66K,输入端悬空时，感应出来的信号仅仅1-2bit跳动，折合4-8mV跳动，现在改成大电阻分压网络，悬空时，输入端跳动达到40-100mV变化，当基极电流达到1uA时，在180K上的压降才180mV,这100多mV的变化影响十分巨大。并且Hfe=Ic/Ib,导致测量的Hfe变化很很大。这估计就是影响小电流精度的原因。还有AD转换器输入端会分流电流，如果分压电阻280K/100K,AD转换端分流的电流估计也较大，导致分压系数不是想象的3.8。但如果分压电阻为20K/6.66K,Ad转换器分流的电流就差不多可以忽略。因此分压电阻取值最好越小越精确。但为什么我要改为这么大的分压电阻呢？先看看下面这个测量PNP的原理图（BTW：好像论坛会定期清除size较少的图片是不是？我1楼的那幅基本原理图现在就不能显示了，现在下面这个文件只有2-3K,可能过一段时间也会不见了吧？)

[参赛]半导体智能图示仪

Rb就是基极采样网络，Ri就是分压网络，Vb Vc Ve就是３个通道的输出电压，由于TDA2030有输出压降２V,在２８V电源下，Vb输出电压范围为２－２６Ｖ，同理其他通道也是这样。Vb最大输出２６V,如果Rb=100K,如果分压电阻Ｒｉ取小为26.66K,暂时不考虑基极电流，那么被测管的基极端电压最大只能为24*26.66/(100+26.66)=5.4V,要使PNP截止，那么Ve要小于5.4+Vbe=6V，就是说Ve最大只能６Ｖ，而Vc最小２V,这样导致Vce范围只能是０－４Ｖ以内变化，根本难以开展测量。如果Rb取小一点，例如１０Ｋ，这样Ve就可以达到２０V。但Rb小，它上面的压降也小，因为测量有8mV的跳动，所以在Rb上的电压至少是跳动电压的１０倍才够准确，就是说Ｒｂ上的电流至少为80mV/10K=8uA,小功率的管子的Hfe一般大于１００，那么最小的Ic将达到0.8mA,也没办法测量小于0.8mA的。解决方法就是如下右图：用一只运放缓冲，提高Ri等效则抗。但运放选择也是个问题，还有高输入阻抗运放会不会更容易感应干扰？运放也会存在失调电压等<img src="http://www.hifidiy.net/bbs/UploadFile/2006-7/20067209213790309.png" border="0" alt=""/>

zjf001 · 发表于 2006-7-24 10:54

请问aeon版主在多少ma以内误差比较大？

aeon · 发表于 2006-7-24 08:05

使用了两天，发觉配对大功率达输出管非常方便，曲线基本能反映管子的情况，但小电流状态下的参数误差比较大。配对的精度不高。能不能通过重新设计硬件部分来改善？毕竟我配对1MA左右的差分管的时候比较多。

locky_z · 发表于 2006-7-24 00:11

看看配对什么参数，如果是并联的MOS管，就是配对Vgs->Id曲线，如果三极管，配对Ic->Hfe曲线最好。但对于异型管要怎样配对，配对什么参数我也不知道。配对都是要首先估算好测试参数，插管上去测，调节参数直到得到较满意的曲线为止，这时候就要保留这些设置参数，开始测每一只管了。下面举例说一下测量大功率NPN Ic->Hfe的参数估算：一、决定是选取“Vb固定、Vc可变” 还是 “Vb可变、Vce固定"这两个选择，因为测量Ic->Hfe曲线，就是说Ic变化的，而为什么Ic变化，就是因为Ib变化，而Vb变化就是引起Ib变化的主动量，所以选择Vb可变、Vce固定"这个选择。二、首先决定最大测量电流。    一般测Hfe时的Ic最好小于1A,这样管子的功耗不会很大，不用加散热片。所以定最大测量电流500mA.三、决定集电极电阻量程，集电极采样电阻有3.3/68/845/20K这4档量程，  1.这个仪器的最小测量电压理论是3.8mV,但由于电压波动、干扰等，并且最好有效数字越多越好，最好能够有3位有效数据最好，这时候集电极电阻对应的最小电压为3.8mV x 100=380mV以上最好，这样误差较少；  2.因为电源电压为28V,再去掉C E通道的TDA2030的压降2V,那么被测管的Vce最大只有24V；测量Hfe条件是Vce不变，例如设为Vce=5V,这样Rc上最大电压最多19V;    如果选择Rc=845欧,那么最大测量电流为19/845=22mA,太小了    如果Rc=3.3欧，因为最大电流只有0.5A,那么Rc上最大电压仅仅才1.56V,大大浪费了电压幅度，并且在较小电流下,Rc上的压降较小，导致误差也较大。    如果选择Rc=56欧，那么最大测量电流为19/56=340mA,较好兼顾了精度和电压的动态范围。所以选择56欧。四、决定Rb量程，RB有324/2.2K/20K/180K 4档    1.基极电压通道输出电压幅度是电源电压减B、E通道的压降，也只有24V；AD转换器输入端分压电阻为380K，如果选择前3档就不用忽略分压电阻对基极电压的分压。同样基极电阻上的电压最大越好    2.初步将Hfe定为40-200来估算基极电流，这样最大基极电流为340mA/40=8mA-1.7mA,如果选择Rb=324欧，那么Rb最大电压为8mA*324=2.6v,也浪费了Vb电压幅度如果2.2K,那么Rb上的最大电压为2200*8ma=17.6V,合适如果20K,那么最大基极电流为24/2200=1.2mA,则提供的最大基极电流不是很足，难以驱动功率管到300mA.所以选择2.2K最好了。五、设定Vce，因为这是NPN,所以Vce为正电压，设为+5V六、设定Vb变动范围，因为是NPN,所以Vb都是正的，电压从0开始到24V,取样50个点左右，所以步长为0.5V七、选择坐标轴，因为测量Ic->Hfe曲线，所以X坐标为Ic,Y坐标为Hfe,八、选择顺便测量的其他参数，因为测量Ic-Hfe是在Vce恒定状态下测，所以勾上Vce,以便在数据表格中可以看到Vce,九、点确定开始测量。十、测出曲线出来后，例如下面的图，同时左面还有一个表格，记录了Ic Hfe Vce这3个参数，表格每一行对应一个步长的电压，Ic是递增的，但这个图后面是掉下去了，是什么原因呢？这时候你就要到表格相应Ic的这一行看看，这一行的Ic已经超过了340mA了，导致Rc上的压降增大，结果使到Vce减少，你看表格的Vce这一列也可以看到，前面的行的Vce都能保持在5V左右，但后面的Vce就迅速减少了接近0了，这时候表示IC已经受Rc和电源电压限制了，不能再增大了，后面的数据都没意义的了。

如果有效的数据只有开头十几行，有效采样点不是很足，这时你就要改变参数了，例如数据从第21行Vce开始降低，第21行对应Vb电压为21*0.5=10.5V,那么你可以设置Vb从0-11V,步长0.1V,这样就能测出55个较有效的数据点来，曲线就平滑的多。    可能你们觉得太麻烦了，所以系统提供了多种预定义好了的测试条件，在测量条件的空白部分右击，就弹出菜单，允许用户装入定义好的测试条件，或者将你自己摸索出来的测试条件保存起来，以后随时调出。管子配对：  决定了测量参数后，就不要改变参数了。直接开始测量其他管子。每测一次产生一页表格数据和一条曲线，每一条曲线都有一种唯一的颜色和一个序号，你自己记着那个序号曲线对应那只管；再换一只管，又测出一条曲线/序号/表格。继续下一只管...，所有的曲线都是在同一个坐标纸上显示，只不过不同颜色。直到看到有两条或多条曲线较拟合，就表示拟合的这几条曲线对应的管子就是配对的，再找回对应序号的管子就行了。    同一时间测的曲线条数最多允许多少条我没有试过，不过我监测过程序消耗内存，每增多一条曲线，增加内存好像只有几K，所以估计百来条也没有问

zjf001 · 发表于 2006-7-23 20:30

请问管子进行配对，保存有没有限数量的？

alon1688 · 发表于 2006-7-23 16:50

只有高手才有这个境界~~

ruanhfgd · 发表于 2006-7-23 12:34

顶，出套件后留一套，待我变成老鸟后再卖来用。

cww11 · 发表于 2006-7-23 11:16

好东西，等楼主出套件！！！！

ymdiy · 发表于 2006-7-23 11:09

确实强,向LZ学习!

ob44474 · 发表于 2006-7-23 10:34

这个要顶

LZG70118 · 发表于 2006-7-29 11:26

佩服楼主，有了套件我也要。[em02]

lijunwen · 发表于 2006-7-29 10:34

[参赛]半导体智能图示仪

可测IB=10MA以下时的HFE，分三档，VCE(SAT)最大IC=2A，ICEO，稳压IC78、79系列及6V以下的二极稳压管，最好是可以测电容的耐压值！

locky_z · 发表于 2006-7-29 09:26

<div class="quote">以下是引用aeon在2006-7-24 8:05:00的发言： 使用了两天，发觉配对大功率达输出管非常方便，曲线基本能反映管子的情况，但小电流状态下的参数误差比较大。配对的精度不高。能不能通过重新设计硬件部分来改善？毕竟我配对1MA左右的差分管的时候比较多。</div>根据aeon反馈意见，测Vbe-Ic的Vbe的波动也较大，而测量Vgs-Id曲线时，曲线就好得多据分析，估计是以下原因因为Vbe只有0.6x伏，但经过3.8倍分压加到AD转换器输入，只有不到200mV,如果AD转换有8-20mV的误差的话,那么误差就达到10%了。而测Vgs时，Vgs达到2-3.x伏，分压后也有0.8-1V,那个8-20mV的波动引起的误差小得多，因此Vgs-Id就好看得多。打算采取的解决的办法：1.加入一级运放缓冲，并且降低分压电阻，以前版本用小的分压电阻时，感觉波动小得多。2.控制增益，用MOS管控制3.8倍分压电路，因为系统本身有一只HC595移位寄存器，用于控制量程电阻，只用了4bit,还剩4bit,用其中1Bit控制下面电路，出高电平时，MOS通，并且其Vds两端得到的分压极小极小，等效与一只纯电阻，完全没有滞留电压。，这时候就是3.8倍分压，如果控制端为0，那么MOS管不通，这时候就等效于输入信号没有衰减。(但这个电路测量P型管时没用[em06][em06],因为P型管的E极电压开始就已经是最高电压了，肯定要分压)

[参赛]半导体智能图示仪

顺便将采样电阻改一下，现在我用的阻值是根据我现成的电阻放下去的，但3.3欧的采样电阻太小了，理应的电阻计算如下：因为Vce+Vrc最大变动范围24V,Vce最小定为5V,那么Rc上电压最大19V,因为测量电流最大1.7A左右，所以这个电阻定为10-20欧较合适。其余量程电阻按10倍增大。同样Vbe+Vrb也是24V,Vbe(Vgs)最大定10V,最大基极电流0.1A,所以Rb最小为100欧以上，其余量程１０倍递增

yht8210 · 发表于 2006-7-29 03:06

值得学习！顶一下

[心得经验] [参赛]半导体智能图示仪

高、高、高，厉害！与论坛合作搞个比较完整的套件吧，我一定买！

前天买一个这DD，感觉还不错

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