<SUMO>認識有關Circlotron電路的基礎知識

hdmdiy · 发表于 2009-11-12 21:12

電路仿真的再好也沒有用。到了實際使用還有很多的參數需要調節。

老哥 · 发表于 2009-11-12 23:48

lz假如能先介绍Circlotron電路有什么优点、适合用在什么场合，这样可能会会好一些。

samurai · 发表于 2009-11-13 00:42

電路仿真的再好也沒有用。到了實際使用還有很多的參數需要調節。
hdmdiy 发表于 2009-11-12 21:12

對啊!

所以我只會發表一些實驗性質的仿真跟大家交流而已.
這社會抄襲仿冒的風氣實在太盛了!

連論壇小甲都不公開電路,
我也不會公開實際製作調適完成的電路的!

samurai · 发表于 2009-11-13 00:47

吸收吸收~继续,mj11032的ic越大HFE越高,怎么会没有关系？在一定工作条件下这两个参数的变化在没有温度补偿和其它保护措施的情况下直接导致的结果就是~~烧管~~！
yong.bt 发表于 2009-11-12 20:38

原來你指的是這個啊!

溫度方面的穩定性, MOSFET顯然會好一些.

land · 发表于 2009-11-13 00:47

获益匪浅！感谢，还需要好好消化和仿真理解一下。

ps：LZ好像不是内地的？

yong.bt · 发表于 2009-11-13 00:51

原來你指的是這個啊!
溫度方面的穩定性, MOSFET顯然會好一些.
samurai 发表于 2009-11-13 00:47

不同ic电流所需驱动电流也不一样呀~!

land · 发表于 2009-11-13 00:54

26# yong.bt

你的头像是个什么器件？

yong.bt · 发表于 2009-11-13 00:56

26# yong.bt

你的头像是个什么器件？
land 发表于 2009-11-13 00:54

mj11032内部1/2硅晶体~

land · 发表于 2009-11-13 00:59

mj11032内部1/2硅晶体~
yong.bt 发表于 2009-11-13 00:56

噢！两个引脚分别是E、B？

samurai · 发表于 2009-11-13 01:01

lz假如能先介绍Circlotron電路有什么优点、适合用在什么场合，这样可能会会好一些。
老哥发表于 2009-11-12 23:48

Circlotron電路的優點主要就是用相同極性的管子就可以完全對稱做成推挽電路, 抵消偶次諧波失真.
如果是半對稱單端推挽輸出電路, 上下兩管的工作狀態不一樣.
如果是互補對稱單端推挽輸出電路, 由於N型半導體和P型半導體在載子遷移方面的差異很大,
所以互補管子的特性差異也很大, 要將互補的管子配對比將同極性的管子配對要困難得太多.

samurai · 发表于 2009-11-13 01:04

获益匪浅！感谢，还需要好好消化和仿真理解一下。

ps：LZ好像不是内地的？
land 发表于 2009-11-13 00:47

海峽的另一邊.

land · 发表于 2009-11-13 01:06

Circlotron電路的優點主要就是用相同極性的管子就可以完全對稱做成推挽電路, 抵消偶次諧波失真.
如果是半對稱單端推挽輸出電路, 上下兩管的工作狀態不一樣.
如果是互補對稱單端推挽輸出電路, 由於N型半導體和P ...
samurai 发表于 2009-11-13 01:01

确实！同型的温度特性也能吻合，不管工作在什么温度，对称性应该都是很不错的。这个电路真的值得很好地学习和体验。

land · 发表于 2009-11-13 01:12

海峽的另一邊.
samurai 发表于 2009-11-13 01:04

呵呵！那边来的功夫真的不一般。喜欢！

除了仿真，DIY否？可否介绍一下？

samurai · 发表于 2009-11-13 01:22

呵呵！那边来的功夫真的不一般。喜欢！

除了仿真，DIY否？可否介绍一下？
land 发表于 2009-11-13 01:12

改天如果再做個什麼, 再照幾張相片給大家瞧瞧.

yong.bt · 发表于 2009-11-13 01:24

改天如果再做個什麼, 再照幾張相片給大家瞧瞧.
samurai 发表于 2009-11-13 01:22

就这个Circlotron电路的实物吧~

samurai · 发表于 2009-11-13 01:27

就这个Circlotron电路的实物吧~
yong.bt 发表于 2009-11-13 01:24

還不曉得多久能做出來呢!

samurai · 发表于 2009-11-13 01:41

我喜欢动态A类的哦
wang1314 发表于 2009-11-12 19:42

我原本只是將MOSFET的源極電阻上的壓降引入控制偏流的JFET的g極形成負反饋控制使偏流穩定,
結果調一調, 調成了動態A類!

JiangWZ · 发表于 2009-11-13 10:44

原來你指的是這個啊!
溫度方面的穩定性, MOSFET顯然會好一些.
samurai 发表于 2009-11-13 00:47

若以Vbe来控制输出管静态电流的话，场管确实比双极性管较为稳定，不过在以上的应用里双极性管子的电流是以Ib控制的，而场管则只能以Vgs来控制，hFE对温度变化（从25度至100度一般只有1.X倍）较场管因温度变化导致Id的变化（从25度至100度一般高达几倍）的比值低得多，所以在这里双极性管会比场效应管更为稳定。

samurai · 发表于 2009-11-13 11:27

若以Vbe来控制输出管静态电流的话，场管确实比双极性管较为稳定，不过在以上的应用里双极性管子的电流是以Ib控制的，而场管则只能以Vgs来控制，hFE对温度变化（从25度至100度一般只有1.X倍）较场管因温度变化导致 ...
JiangWZ 发表于 2009-11-13 10:44

所以我嘗試將MOSFET的源極電阻上的壓降引入控制偏流的JFET的g極形成負反饋控制使偏流穩定.

hxy999 · 发表于 2009-11-13 11:51

好强的分析，学习一下，不过真的挺复杂啊

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