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[分立后级] 横向 MOSFET功放的制作计划

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发表于 2026-8-17 21:47 | 显示全部楼层
gqhsy 发表于 2026-8-17 17:24
发现这种管子多管并联要挑选,不然容易烧管。

那就换成正温管,免得配对麻烦

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 楼主| 发表于 2026-8-17 23:15 | 显示全部楼层
牛哥 发表于 2026-8-17 21:26
我在24楼的观点很明确,就是这个架构的声音不太令人满意,至少在投入差不多的情况下,这个架构声音没法跟“ ...

仿真了一下,加上一级射随后,方波的下沿尖刺没有了,电路看起来比原来复杂多了。

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有时候我们自己有个新想法,就以为是自己发明了什么重大成果,其

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发表于 2026-8-17 23:24 | 显示全部楼层
筑明 发表于 2026-8-17 23:15
仿真了一下,加上一级射随后,方波的下沿尖刺没有了,电路看起来比原来复杂多了。

这可能是解决问题的方向,既能保证带宽,还能让电路工作起来更稳定。几个月前我也画了使用平面MOS管做输出的电路,沉淀了几个月,慢慢的思路更清晰了,但是确实如您所言,电路的复杂程度比这个架构用的元器件加倍了都不止。
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