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发表于 2026-4-22 22:44 | 显示全部楼层
2楼图中的电容一般不会那样接,而是应该把R2改成二只电阻串联,然后把电容的下端接到二只串联电阻的连接点。

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仅仅恒流源就改那么多,好像性价比不高

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发表于 2026-4-23 02:16 | 显示全部楼层
两个耗尽型MOS应该是性能最好的方式 缺点是恒流值要靠可调电阻调节

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发表于 2026-4-23 08:27 | 显示全部楼层
哪一种最好呢?

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 楼主| 发表于 2026-4-23 08:52 | 显示全部楼层
本帖最后由 卖油翁 于 2026-4-24 22:09 编辑

本楼测量有误,以65楼为准。


第六款是TL431与K170组合恒流源。
曲线显示1K之PSRR=-143,20K之PSRR=-125,100K之PSRR=-111
温漂从2.04306降至2.04294mA,换算为0.24 ppm/℃

表现十分优秀
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发表于 2026-4-23 09:06 | 显示全部楼层
卖油翁 发表于 2026-4-23 08:52
第六款是TL431与K170组合恒流源。
曲线显示1K之PSRR=-143,20K之PSRR=-125,100K之PSRR=-111
温漂从2.0 ...

还有一款,我发你仿真,油翁从前级和后级,到电源,到恒流源,这些都是硬货。赞

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发表于 2026-4-23 09:10 | 显示全部楼层
本帖最后由 siwen907 于 2026-4-23 09:12 编辑

就是2个发光管和三极管组成的,落地电阻可以改成恒流管
QQ图片20260423090935.png

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 楼主| 发表于 2026-4-23 11:06 | 显示全部楼层
本帖最后由 卖油翁 于 2026-4-23 11:27 编辑

第七款是siwen907提供的LED控BIT双倍串联恒流源,多谢。
PSRR:1K时-76,20K时-72,100K时-58。不平坦。
温漂很高:从1.56毫安上升到2.2毫安,与第一二款差不多。
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有时候我们自己有个新想法,就以为是自己发明了什么重大成果,其

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发表于 2026-4-23 11:20 | 显示全部楼层
lin889889 发表于 2026-4-22 22:22
一直都不喜欢复杂的恒流源,喜欢用耗尽型元件做恒流源。可以是JFET,也可以是耗尽型MOSFET,或者二者结合都 ...

这电路架构把J-FET换成D-MOS管,比如BSS229可能会更好一些,因为耐压高,应用范围也更广。

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 楼主| 发表于 2026-4-23 11:32 | 显示全部楼层
加恒流低频处PSRR好点,温漂不变。1K=-93
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发表于 2026-4-23 13:35 | 显示全部楼层
牛哥 发表于 2026-4-23 11:20
这电路架构把J-FET换成D-MOS管,比如BSS229可能会更好一些,因为耐压高,应用范围也更广。

用耗尽型MOSFET确实有很多优点,但也有二个要注意的问题:一是MOSFET更容易发生振荡,所以栅极一定要串足够大小的电阻;二是MOSFET低频噪声大,所以在对噪声有要求的地方可以考虑下管用JFET,上管用耗尽型MOSFET。另外当用于高压电路时,上管的功耗也往往比较大,用BSS229可能还嫌不够。我一般用CPC5602,加散热实际用到了0.7~1W也很稳定。

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发表于 2026-4-23 13:50 | 显示全部楼层
A970和2240已经很好了。如果确实对电流有要球,直接达林顿管吧。

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 楼主| 发表于 2026-4-23 14:22 | 显示全部楼层
本帖最后由 卖油翁 于 2026-4-23 14:46 编辑

第八款,单JFET恒流源。
改10V测K170。
@1K=-52分贝,@20K=-49分贝,@100K=-40分贝
温漂从2.062上升至2.064,换算为4ppm/°C。

测J202
PSRR-34分贝平直至40K甚至1M
温漂有点惊人:从2.0305仅上升至2.0305014,换算为0.003ppm/°C。

是否系统刚好选了一个零温度系数附近的管子做模型,还是哪里出错了,请教各位!
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 楼主| 发表于 2026-4-23 14:52 | 显示全部楼层
第九款:由2N5486与J202组合的双JFET恒流源
1K=-74,20K=-73,100K=-65
温漂=0.003ppm/°C
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卖油翁 发表于 2026-4-23 14:22
第八款,单JFET恒流源。
改10V测K170。
@1K=-52分贝,@20K=-49分贝,@100K=-40分贝
是否系统刚好选了一个零温度系数附近的管子做模型,还是哪里出错了,请教各位!

应该是JFET模型简化了,缺少相关参数。

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 楼主| 发表于 2026-4-23 14:59 | 显示全部楼层
小结:冠军属于第七款TL431与K170组合恒流源,亚军属于第九款2N5486与J202双JFET恒流源
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 楼主| 发表于 2026-4-23 15:26 | 显示全部楼层
换用5486与170的组合
1K=-90,20K=-83,100K=-70
温漂=3ppm/°C
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lin889889 发表于 2026-4-22 22:22
一直都不喜欢复杂的恒流源,喜欢用耗尽型元件做恒流源。可以是JFET,也可以是耗尽型MOSFET,或者二者结合都 ...

仿真了一下,这个电路恒流效果很好,但压差要到10.5V以上才好,到20k仍然有80多dB的抑制比。低于10V则降到53dB.
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发表于 2026-4-23 17:03 | 显示全部楼层
卖油翁 发表于 2026-4-23 11:06
第七款是siwen907提供的LED控BIT双倍串联恒流源,多谢。
PSRR:1K时-76,20K时-72,100K时-58。不平坦。
...

把Q4去掉,R7改成J-fet会怎么样?

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 楼主| 发表于 2026-4-23 18:03 | 显示全部楼层
2SN5486换用BSS229,低频区抑制能力强一些。
1K=-106,20K、100K不变
温漂增大,368ppm/°C
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